Обзор и тестирование твердотельного накопителя Samsung SSD 850 Pro 128GB / Overclockers.ua
Корпорация Samsung часто выступает в виде новатора интересных решений и всегда старается максимально быстро внедрить в свои продукты новые технологии. Вот и в сфере производства флэш-памяти корейский гигант решил не участвовать в гонке нанометров по выпуску MLC-памяти, а разработать нечто альтернативное. Венцом их работы на сегодняшний день стала память 3D V-NAND. Главная особенность которой состоит в абсолютно ином подходе к компоновке ячеек памяти — создании вертикальных слоев, что избавляет от необходимости наращивания плотности хранения данных на двумерной плоскости кристалла. Актуальные поколение ячеек V-NAND насчитывает 32 слоя и позволяет выпускать чипы по более старому и проверенному 40-нм техпроцессу, что в свою очередь обеспечивает повышенную надежность и ресурс работы памяти. Производитель заявляет о 35 000 циклах перезаписи и это значительно превосходит сегодняшние возможности MLC-чипов.Samsung SSD 850 Pro (MZ-7KE128)
Первым продуктом для массового рынка с использованием новой памяти 3D V-NAND стал Samsung SSD 850 Pro. Он пришел на смену прошлому флагману в лице 840 Pro и призван побороться за звание самого быстрого SSD на сегодняшний день.
Серия 850 Pro насчитывает четыре устройства объёмом от 128 до 1024 Гбайт. Максимальный уровень производительности доступен уже в модели MZ-7KE256, ёмкостью всего в 256 Гбайт. При этом скорость записи младшего продукта MZ-7KE128 равняется 470 Мбайт/с, что значительно выше чем у большинства конкурентов аналогичного объема. Ресурс наработки для каждой модели составляет 2 000 000 часов или 150 Тбайт записи соответственно. Этого должно хватить для ежедневной записи в 40 Гбайт на протяжении десяти лет.
В Samsung SSD 850 Pro установлен знакомый по серии 840 EVO контроллер MEX с частотой 400 МГц. Стоит отметить, что алгоритм его работы был полностью переписан ввиду использования новой памяти. В дополнение к контроллеру, тестируемый образец оснащен буфером LPDDR2-памяти на 256 Мбайт.
| MZ-7KE128 | MZ-7KE256 | MZ-7KE512 | MZ-7KE1T0 | |
| Ёмкость, ГБ | 128 | 256 | 512 | 1024 |
| Скорость последовательного чтения, МБ/с | 550 | 550 | 550 | 550 |
| Скорость последовательной записи, МБ/с | 470 | 520 | 520 | 520 |
| Максимальная скорость случайного чтения (блоки по 4 Кбайт), IOPS | 100 000 | 100 000 | 100 000 | 100 000 |
| Максимальная скорость случайной записи (блоки по 4 Кбайт), IOPS | 90 000 | 90 000 | 90 000 | 90 000 |
| Буфер | 256 МБ LPDDR2 | 512 МБ LPDDR2 | 512 МБ LPDDR2 | 1024 МБ LPDDR2 |
| Контроллер | Samsung 3-core MEX controller | Samsung 3-core MEX controller | Samsung 3-core MEX controller | Samsung 3-core MEX controller |
| Тип памяти | Samsung, 40-нм, 3D V-NAND | Samsung, 40-нм, 3D V-NAND | Samsung, 40-нм, 3D V-NAND | Samsung, 40-нм, 3D V-NAND |
| Среднее время наработки на отказ (MTBF), часов | 2 000 000 | 2 000 000 | 2 000 000 | 2 000 000 |
| Интерфейс подключения | SATA 6 Гбит/с | SATA 6 Гбит/с | SATA 6 Гбит/с | SATA 6 Гбит/с |
| Потребляемая мощность (чтение/запись), Вт | 3,0–3,3 | 3,0–3,3 | 3,0–3,3 | 3,0–3,3 |
| Потребляемая мощность (простой), Вт | 0,4 | 0,4 | 0,4 | 0,4 |
| Форм-фактор | 2,5″ | 2,5″ | 2,5″ | 2,5″ |
| Габариты, мм | 100 x 69,85 x 6,8 | 100 x 69,85 x 6,8 | 100 x 69,85 x 6,8 | 100 x 69,85 x 6,8 |
| Масса, г | 66 | 66 | 66 | 66 |
Устройство поставляется в крупной картонной коробке. На лицевой стороне упаковки кроме названия серии можно найти упоминание об использовании той самой памяти V-NAND.
С обратной стороны указаны максимальные показ
www.overclockers.ua
Оригинальный SSD диск Samsung 850 PRO 128GB с технологией 3D V-NAND
Быстрый SSD Samsung или маленький помощник для большого компьютера.Под катом немного информации, проверка на оригинальность, тесты, сравнение и upgrade компьютера
Я уже ускорял рабочий ноутбук с помощью SSD диска Samsung серии 840 EVO, что положительно сказалось на производительности всей системы. Что-то подобное я хотел проделать и на своем «домашнем» ноутбуке.
Выбор
Выбор пал на Samsung линейки 850 PRO. По тестам он быстрее даже чем 840 EVO. Быстрее только 950 PRO с умопомрачительными ценами.
Спецификация на диск от производителя
Небольшая ремарка – это действительно один из самых быстрых жестких дисков на рынке, но важно отметить, что выпущена эта линейка была в 2014 году и на сегодняшний момент существуют и другие диски, показывающие рекорды скорости записи и чтения. Например, это серия Samsung 950, некоторые модели Plextor, а также и жесткие диски с другими интерфейсами (mSATA, M.2, PCI-E и другие, которые быстрее, чем SATA. Но в защиту выбора укажу на то, что про Samsung’ские SSD 850й серии самые лучшие отзывы. А у PRO серии еще и самая большая гарантия (10 лет) и надежная память MLC 40 nm.
Отличие между сериями 850 PRO и 850 EVO все-таки есть. Например, это гарантия 10 лет против 5 лет, обусловленная применением более надежного типа памяти Samsung 40nm MLC V-NAND (для PRO версии) против Samsung 40nm TLC V-NAND (EVO). Высокая надежность вызвана технологией 40 нм, что не является передовым техпроцессом производства чипов памяти, но имеет определенные преимущества, в первую очередь, медленнее «рассасывается» заряд на затворах ячеек, а также требуется большее напряжение
mysku.me
Обзор и тестирование твердотельного накопителя Samsung SSD 850 Pro 128GB
Корпорация Samsung часто выступает в виде новатора интересных решений и всегда старается максимально быстро внедрить в свои продукты новые технологии. Вот и в сфере производства флэш-памяти корейский гигант решил не участвовать в гонке нанометров по выпуску MLC-памяти, а разработать нечто альтернативное. Венцом их работы на сегодняшний день стала память 3D V-NAND. Главная особенность которой состоит в абсолютно ином подходе к компоновке ячеек памяти — создании вертикальных слоев, что избавляет от необходимости наращивания плотности хранения данных на двумерной плоскости кристалла. Актуальные поколение ячеек V-NAND насчитывает 32 слоя и позволяет выпускать чипы по более старому и проверенному 40-нм техпроцессу, что в свою очередь обеспечивает повышенную надежность и ресурс работы памяти. Производитель заявляет о 35 000 циклах перезаписи и это значительно превосходит сегодняшние возможности MLC-чипов.Первым продуктом для массового рынка с использованием новой памяти 3D V-NAND стал Samsung SSD 850 Pro. Он пришел на смену прошлому флагману в лице 840 Pro и призван побороться за звание самого быстрого SSD на сегодняшний день.
Серия 850 Pro насчитывает четыре устройства объёмом от 128 до 1024 Гбайт. Максимальный уровень производительности доступен уже в модели MZ-7KE256, ёмкостью всего в 256 Гбайт. При этом скорость записи младшего продукта MZ-7KE128 равняется 470 Мбайт/с, что значительно выше чем у большинства конкурентов аналогичного объема. Ресурс наработки для каждой модели составляет 2 000 000 часов или 150 Тбайт записи соответственно. Этого должно хватить для ежедневной записи в 40 Гбайт на протяжении десяти лет.
В Samsung SSD 850 Pro установлен знакомый по серии 840 EVO контроллер MEX с частотой 400 МГц. Стоит отметить, что алгоритм его работы был полностью переписан ввиду использования новой памяти. В дополнение к контроллеру, тестируемый образец оснащен буфером LPDDR2-памяти на 256 Мбайт.
| MZ-7KE128 | MZ-7KE256 | MZ-7KE512 | MZ-7KE1T0 | |
| Ёмкость, ГБ | 128 | 256 | 512 | 1024 |
| Скорость последовательного чтения, МБ/с | 550 | 550 | 550 | 550 |
| Скорость последовательной записи, МБ/с | 470 | 520 | 520 | 520 |
| Максимальная скорость случайного чтения (блоки по 4 Кбайт), IOPS | 100 000 | 100 000 | 100 000 | 100 000 |
| Максимальная скорость случайной записи (блоки по 4 Кбайт), IOPS | 90 000 | 90 000 | 90 000 | 90 000 |
| Буфер | 256 МБ LPDDR2 | 512 МБ LPDDR2 | 512 МБ LPDDR2 | 1024 МБ LPDDR2 |
| Контроллер | Samsung 3-core MEX controller | Samsung 3-core MEX controller | Samsung 3-core MEX controller | Samsung 3-core MEX controller |
| Тип памяти | Samsung, 40-нм, 3D V-NAND | Samsung, 40-нм, 3D V-NAND | Samsung, 40-нм, 3D V-NAND | Samsung, 40-нм, 3D V-NAND |
| Среднее время наработки на отказ (MTBF), часов | 2 000 000 | 2 000 000 | 2 000 000 | 2 000 000 |
| Интерфейс подключения | SATA 6 Гбит/с | SATA 6 Гбит/с | SATA 6 Гбит/с | SATA 6 Гбит/с |
| Потребляемая мощность (чтение/запись), Вт | 3,0–3,3 | 3,0–3,3 | 3,0–3,3 | 3,0–3,3 |
| Потребляемая мощность (простой), Вт | 0,4 | 0,4 | 0,4 | 0,4 |
| Форм-фактор | 2,5″ | 2,5″ | 2,5″ | 2,5″ |
| Габариты, мм | 100 x 69,85 x 6,8 | 100 x 69,85 x 6,8 | 100 x 69,85 x 6,8 | 100 x 69,85 x 6,8 |
| Масса, г | 66 | 66 | 66 | 66 |
Устройство поставляется в крупной картонной коробке. На лицевой стороне упаковки кроме названия серии можно найти упоминание об использовании той самой памяти V-NAND.
С обратной стороны указаны максима
www.overclockers.ua
рождение новой звезды? / Накопители
В течение последних лет Samsung смогла стать одним из ключевых игроков на рынке твердотельных накопителей. Стратегия компании заключается в полной вертикальной интеграции производства от начала и до конца, что позволяет ей держать первенство при внедрении новых перспективных технологий. Занимаясь одновременно разработкой и выпуском как контроллеров, так и флеш-памяти, компания получает огромное инженерное преимущество, поскольку ввод в эксплуатацию и отладка новых дизайнов не требуют никакого стороннего участия. И примеры реализации этого преимущества мы уже наблюдали: здесь уместно вспомнить SSD серии 840, которые стали первыми массовыми продуктами, базирующимися на трёхбитной TLC NAND. Именно благодаря этой технологии Samsung смогла покорить рынок массовых флеш-дисков. Использующие недорогую TLC-память собственного самсунговского производства накопители серии 840, а впоследствии и 840 EVO, предложили отличное сочетание производительности и цены, что в конечном итоге сделало их одними из самых популярных решений.
Теперь же, спустя два года с момента появления TLC NAND, Samsung вновь совершает мощный технологический прорыв и выпускает новаторские накопители серии 850 Pro — первые потребительские SSD, в которых применена принципиально новая MLC NAND с трёхмерной компоновкой. Несмотря на то, что Samsung 850 Pro официально на российский рынок пока не поставляется, нашей лаборатории удалось заполучить и протестировать экземпляр многообещающего твердотельного накопителя. Станет ли этот SSD достойным продолжателем традиций модели 840 Pro и займёт ли он место лучшего флеш-диска для персональных компьютеров, мы выясним в этом материале.
⇡#Samsung V-NAND: новая парадигма флеш-памяти — в действии
Память типа NAND изменила весь рынок хранения данных. Накопители, основанные не на традиционных жёстких магнитных дисках, а на флеш-памяти, смогли установить фундаментально более высокий уровень производительности, и это сделало их одной из наиболее интересных компьютерных технологий последнего десятилетия. В то же время NAND-память — далеко не новое изобретение. На самом деле она появилась ещё в 70-х годах прошлого века, но долгое время просто не могла проникнуть в устройства широкого потребления в силу своей дороговизны. Однако технологический прогресс в конце концов смог сделать такую память приемлемой по цене, и теперь представить себе современный производительный компьютер без SSD, начинённого MLC или TLC NAND, стало попросту невозможно.
В деле снижения стоимости флеш-памяти основную роль сыграло совершенствование полупроводниковых технологических процессов, которые используются для производства кристаллов NAND. Уменьшение норм производства снижает площадь получающихся кристаллов, повышая плотность хранения в них информации, что в конечном итоге приводит к уменьшению себестоимости твердотельных накопителей. Например, массовое проникновение SSD на потребительский рынок началось при переводе производства кристаллов флеш-памяти с 50-нм процессов на 30-нм. Сейчас же в ходу техпроцессы с нормами менее 20 нм, и стоимость флеш-дисков вполне закономерно продолжает падать.
Однако следует иметь в виду, что совершенствование техпроцессов до бесконечности невозможно. Более того, производители флеш-памяти уже ощущают скорое и неминуемое приближение технологических пределов. Дело в том, что с утончением производственных норм и уменьшением геометрических размеров транзисторов у флеш-памяти снижаются характеристики надёжности. Например, память, выпускавшаяся по 50-нм технологии, была способна выдержать до 10 тысяч циклов перезаписи, сегодняшняя же 20-нм NAND в лучшем случае рассчитана на 3 тысячи циклов программирования-стирания. Иными словами, на пути дальнейшей масштабируемости традиционной NAND-памяти, на которую, как и на прочие полупроводниковые устройства, пока ещё распространяется закон Мура, встают серьёзные препятствия.
К счастью, всё это вовсе не означает, что прогресс будет замедляться. На помощь приходят принципиально новые идеи, вносящие изменения в конструкционные принципы флеш-памяти и позволяющие увеличить плотность хранения информации без снижения размеров ячеек.
Первой такой идеей стала попытка увеличить разрядность ячеек при переходе от SLC NAND к MLC- и TLC-памяти, где в каждой ячейке хранится не один, а два или три бита информации. Достигается это внедрением большего числа сигнальных напряжений. В то время как ячейки SLC используют лишь два уровня напряжения, соответствующие логическим состояниям 0 и 1, в MLC применяется уже четыре напряжения, а в TLC — восемь. Однако на самом деле этот путь — тупиковый. Если переход к MLC можно считать уже делом состоявшимся, то с TLC NAND возникают очень серьёзные проблемы, что, как показывает практика, сдерживает её распространение. Дело в том, что использование большого числа напряжений в плавающем затворе ячейки возможно лишь в том случае, если этот затвор достаточно массивный и способен удерживать значительное число электронов. Но внедрение техпроцессов с тонкими нормами, напротив, сокращает размеры ячеек, поэтому выпуск TLC-памяти по технологиям 10-нм класса становится экономически невыгодным. Снижается не только выход годных кристаллов, но и надёжность распознавания сигналов, что требует внедрения в управляющую логику более сложных схем аналого-цифрового преобразования и контроля целостности данных. Плюс остро встаёт и ещё одна серьёзная проблема — взаимное влияние ячеек, электрическое поле которых порождает интерференционные процессы.
Очевидно, требуется какой-то иной подход. И таким подходом, который должен стать катализатором дальнейшего развития рынка флеш-памяти в течение ближайших нескольких лет, является трёхмерная (3D) NAND. Его суть заключается в том, что вместо увеличения плотности хранения данных на двумерной плоскости полупроводникового кристалла предлагается перейти к использованию вертикального измерения и располагать ячейки не только планарно, но и слоями.
Первой на массовое производство такой памяти смогла выйти компания Samsung, в исполнении которой эта память называется V-NAND (от слова Vertical), в то время как прочие производители, такие как Micron, Toshiba, SanDisk и SK Hynix, собираются приобщиться к перспективной технологии в течение 2015 года.
Самое интересное — 3D NAND делает совершенно ненужной гонку нанометров. Например, та же компания Samsung после внедрения для изготовления своей планарной памяти 19-нм технологии не стала делать следующий шаг, а, напротив, с переходом на выпуск V-NAND откатилась на 40-нм техпроцесс. Высокую же плотность хранения информации, не уступающую плотности обычной NAND, которая выпускается другими производителями по 16-нм и 19-нм техпроцессам, обеспечила многослойная компоновка. Но основной выигрыш нашёлся с другой стороны: зрелые технологии и достаточно крупные полупроводниковые элементы заметно увеличили ресурс памяти и позволили избежать проблем с низким выходом годных кристаллов.
Пробные твердотельные накопители, основанные на V-NAND первого поколения, Samsung смогла представить ещё в прошлом году. Такие новаторские SSD, ориентированные на серверное применение, отлично себя зарекомендовали. Использовавшаяся в них память, которая совмещает 24 вертикальных уровня с ячейками, обеспечила увеличившуюся на 20 процентов производительность, примерно вдвое повысила надёжность и заметно улучшила экономичность флеш-дисков. Это дало Samsung все основания для продолжения разработок в том же направлении. И вот теперь компания готова внедрять новую технологию и на массовый рынок: в арсенале Samsung появилась V-NAND второго поколения с 32 вертикальными уровнями и новый потребительский накопитель на её основе — SSD 850 Pro.
Надо заметить, что V-NAND не просто предполагает расположение ячеек слоями, но и вносит некоторые изменения в базовое устройство ячеек флеш-памяти. Вместе со структурными преобразованиями Samsung воспользовалась технологией Charge Trap Flash (CTF) — «флеш с ловушкой заряда», разработанной инженерами компании ещё в 2006 году. Идея состоит в том, что заряд хранится не в плавающем затворе из легированного поликристаллического кремния, а в тонком непроводящем слое из нитрида кремния. Такая технология легко адаптируется для трёхмерного дизайна: диэлектрик помещается между управляющим затвором и полупроводниковым каналом концентрическими цилиндрами, что в конечном итоге увеличивает надёжность всей схемы и снижает вероятность возникновения структурных дефектов при многослойном производстве. К тому же технология CTF позволяет снизить уровень напряжений, необходимых для программирования ячеек. А это, естественно, положительно сказывается на их времени жизни.
В результате ресурс Samsung V-NAND ощутимо вырос: те самые 32-уровневые кристаллы флеш-памяти, которые попали в Samsung 850 Pro, способны переносить до 35 тысяч циклов программирования-стирания. То есть они на порядок выносливее современной плоской MLC NAND, которая обычно используется в потребительских SSD. Кроме того, понижение программирующих напряжений положительно сказывается как на энергопотреблении, так и на производительности при записи.
Ещё одно важное преимущество V-NAND — её компактность. Выпускаемые по 40-нм технологии полупроводниковые кристаллы V-NAND второго поколения, используемые в Samsung 850 Pro, имеют ёмкость 86 Гбит, при этом их площадь составляет порядка 95 мм2. Таким образом, плотность хранения информации в V-NAND превышает плотность размещения данных в 16-нм планарных кристаллах флеш-памяти производства Micron примерно на 20 процентов. К тому же Samsung, осуществляя полный производственный цикл с начала и до конца, обладает возможностью упаковки до 16 ядер V-NAND в одну микросхему. И это значит, что максимальный объём одной микросхемы трёхмерной флеш-памяти может достигать 172 Гбайт.
Конечно, многие плюсы технологии V-NAND проявятся лишь впоследствии. Например, применяемый сегодня интерфейс SATA 6 Гбит/с вкупе с протоколом AHCI не даёт раскрыть всю скорость новой памяти, и в будущих моделях SSD с интерфейсом PCI Express она сможет заиграть новыми красками. Но самое главное, технология трёхмерной памяти прекрасно масштабируема. Ёмкость простых плоских чипов NAND вряд ли превысит 128 Гбит, а V-NAND позволяет беспрепятственно добавлять новые уровни и таким образом наращивать ёмкость. Так, в планах Samsung стоит выпуск в 2017 году терабитных кристаллов, и нет причин, по которым этот рубеж может быть не взят. Попутно производимая по достаточно зрелым техпроцессам V-NAND может легко быть переведена на TLC-дизайн, и это не приведёт к катастрофическому снижению надёжности. Однако на данный момент такие возможности даже не рассматриваются, и в течение ближайших лет упор будет делаться именно на масштабировании памяти в вертикальном измерении.
В ближайшее время мы можем ждать повсеместного внедрения V-NAND во многих продуктах Samsung. Ради этой памяти компания запустила специальный завод в китайском городе Сиань, который к концу этого года должен выйти на полную мощность. Любопытно, что применяемый на этом заводе 40-нм техпроцесс позволил обойтись достаточно дешёвым производственным оборудованием, причём добавление в трёхмерную NAND новых слоёв практически не требует каких-либо дополнительных инвестиций. Например, 32-слойная память выпускается на тех же самых технологических линиях, где раньше производилась память с 24 слоями. И это значит, что ещё одним плюсом новой технологии выступает возможность экономии на техническом переоснащении производства при повышении плотности хранения данных.
Получается, что V-NAND может похвастать всеми возможными преимуществами, причём сразу. Она обладает более низкими латентностями, очень надёжна, предлагает высокую плотность хранения информации, энергоэффективна, а себестоимость её производства сравнительно невысока. И если такую память поместить в накопитель с современным контроллером, то, кажется, должна получиться потрясающая модель, которая будет превосходить всё то, что было выпущено до сих пор. Вышла ли такая модель у Samsung? Давайте посмотрим на 850 Pro подробнее.
⇡#Samsung 850 Pro: технические характеристики
Новый флагманский накопитель Samsung 850 Pro представляет собой дальнейшее логическое продолжение линейки потребительских SSD компании. При этом Samsung внедряет инновации строго последовательно, и V-NAND — единственное принципиальное преимущество 850 Pro перед предшественниками. Этот накопитель продолжает использовать привычный интерфейс SATA 6 Гбит/с и основывается на хорошо знакомом потребителям восьмиканальном контроллере MEX, который давно применяется в серии 840 EVO. Причём контроллер MEX, базисом которого выступают три ядра с ARM-архитектурой, в новой модели сохранил даже свою рабочую частоту — 400 МГц. Однако справедливости ради заметим, что в прошлом флагманском флеш-диске Samsung, 840 Pro, аналогичный по архитектуре контроллер MDX работал на частоте 300 МГц.
В то же время микропрограмма Samsung 850 Pro переписана практически полностью. Поддержка V-NAND реализуется именно через неё, и предлагаемые этой памятью более низкие латентности при записи и стирании информации, более высокий ресурс ячеек и все прочие характерные особенности требуют специальных оптимизаций.
В результате серия Samsung 850 Pro получила следующий набор характеристик:
| Производитель | Samsung | |||
| Серия | 850 Pro | |||
| Модельный номер | MZ-7KE128 | MZ-7KE256 | MZ-7KE512 | MZ-7KE1T0 |
| Форм-фактор | 2,5 дюйма | |||
| Интерфейс | SATA 6 Гбит/с | |||
| Ёмкость | 128 Гбайт | 256 Гбайт | 512 Гбайт | 1 Тбайт |
| Конфигурация | ||||
| Микросхемы памяти: тип, интерфейс, техпроцесс, производитель | Samsung 86 Гбит 40-нм MLC V-NAND | |||
| Микросхемы памяти: число / количество NAND-устройств в чипе | 2/4 + 2/2 | 2/8 + 2/4 | 4/8 + 4/4 | 4/16 + 4/8 |
| Контроллер | Samsung MEX | |||
| Буфер: тип, объем | LPDDR2-1066, 256 Мбайт | LPDDR2-1066, 512 Мбайт | LPDDR2-1066, 512 Мбайт | LPDDR2-1066, 1 Гбайт |
| Производительность | ||||
| Макс. устойчивая скорость последовательного чтения | 550 Мбайт/с | 550 Мбайт/с | 550 Мбайт/с | 550 Мбайт/с |
| Макс. устойчивая скорость последовательной записи | 470 Мбайт/с | 520 Мбайт/с | 520 Мбайт/с | 520 Мбайт/с |
| Макс. скорость произвольного чтения (блоки по 4 Кбайт) | 100000 IOPS | 100000 IOPS | 100000 IOPS | 100000 IOPS |
| Макс. скорость произвольной записи (блоки по 4 Кбайт) | 90000 IOPS | 90000 IOPS | 90000 IOPS | 90000 IOPS |
| Физические характеристики | ||||
| Потребляемая мощность: бездействие/чтение-запись | 0,4 Вт/3,0-3,3 Вт | |||
| Ударопрочность | 1500 g | |||
| MTBF (среднее время наработки на отказ) | 2,0 млн часов | |||
| Ресурс записи | 150 Тбайт | |||
| Габаритные размеры: ДхВхГ | 100х69,85х6,8 мм | |||
| Масса | 66 г | |||
| Гарантийный срок | 10 лет | |||
| Рекомендованная цена | $130 | $200 | $400 | $700 |
Несмотря на то, что во многом производительность Samsung 850 Pro сдерживается возможностями интерфейса SATA 6 Гбит/c, даже простые формальные спецификации позволяют прочувствовать скрытую в этом флеш-приводе мощь. Обратите внимание на скоростные характеристики младшей модели ёмкостью 128 Гбайт. Данная модификация практически не отстаёт от старших собратьев, несмотря на то, что контроллер в ней не может воспользоваться чередованием устройств в своих каналах. Типичной скоростью записи для 128-гигабайтных SSD с интерфейсом SATA 6 Гбит/с выступают величины порядка 300 Мбайт/с, но Samsung 850 Pro аналогичного объёма выдаёт почти возможный максимум — 470 Мбайт/с. Это явно указывает на значительно более высокие скорости записи, обеспечиваемые именно технологией V-NAND. Очень похоже, что, когда Samsung наконец выпустит основанный на V-NAND флеш-привод с интерфейсом PCI Express, это будет настоящая бомба. Впрочем, до этого прекрасного момента ещё надо дожить.
Второе преимущество V-NAND, явно прослеживаемое в таблице характеристик Samsung 850 Pro, — высокая надёжность. Все модификации, включая и самую младшую модель ёмкостью 128 Гбайт, имеют декларируемый ресурс записи на уровне 150 Тбайт, то есть по 80 Гбайт в день в течение пятилетнего периода. И это — не просто больше, чем обещано для любой другой модели потребительского SSD. Производитель подчёркивает, что такой ресурс установлен не из технологических, а из политических соображений, чтобы Samsung 850 Pro не создавал внутреннюю конкуренцию серверным моделям с более высокой гарантированной надёжностью. На самом же деле объём данных, который можно записать на новые SSD с трёхмерной флеш-памятью, измеряется петабайтами. Иными словами, проблема исчерпания ресурса записи при типичном десктопном использовании для Samsung 850 Pro стоять вообще не должна. Именно поэтому срок гарантийного обслуживания продлён до 10 лет.
Хочется отметить реализацию в Samsung 850 Pro целого ряда технологий, полезных при установке этого накопителя в мобильные компьютеры. В частности, в этом SSD улучшилась поддержка состояния DevSleep, позволяющего отправлять накопитель в режим сна с потреблением порядка 2 мВт. Также контроллером поддерживается температурный мониторинг, причём при нагреве накопителя до критических состояний автоматически включается троттлинг.
Реализовано в Samsung 850 Pro и аппаратное шифрование по алгоритму AES с 256-битным ключом. Как и в более ранних SSD компании, криптографический движок совместим со спецификациями Windows eDrive (IEEE 1667) и TCG Opal 2.0, а это значит, что управление шифрованием возможно из среды операционной системы, например через стандартное средство BitLocker.
К сказанному остаётся только добавить, что Samsung относится к тому небольшому числу производителей, которые заботятся о предоставлении пользователям удобных сервисных утилит. С Samsung 850 Pro прекрасно работает программа Samsung Magician, обладающая исчерпывающим набором возможностей, включая обновление прошивки, мониторинг состояния флеш-диска, оптимизацию операционной системы и прочее.
Отдельно стоит сказать о реализованной в Samsung Magician программной технологии повышения быстродействия RAPID, которая может работать в паре с новинкой и позволяет выделить часть оперативной памяти для кеширования обращений к SSD. При этом скорости обмена данными, естественно, возрастают, но платой за это выступает риск потери закешированной в памяти информации в случае внезапных отключений питания, перезагрузок или зависаний системы. Одновременно с выпуском Samsung 850 Pro производитель обновил технологию RAPID до версии 2.0, и теперь она может выделять под кеш либо 1 Гбайт памяти, либо 4 Гбайт — в зависимости от того, больше или меньше 16 Гбайт оперативной памяти установлено в системе.
⇡#Внешний вид и внутреннее устройство
На тестировании у нас побывала модификация Samsung 850 Pro ёмкостью 256 Гбайт. С точки зрения характеристик эта модель, как и её собратья на 512 Гбайт и 1 Тбайт, обладает максимально возможной производительностью.
 |  |
Внешне Samsung 850 Pro мало отличается от предыдущих флеш-дисков Samsung. Для этого SSD используется точно такой же 2,5-дюймовый корпус высотой 7 мм, как в прошлой флагманской модели, 840 Pro. Внешний окрас — чёрный, на лицевой поверхности краской нанесён логотип Samsung и оранжевый квадрат, в том или ином виде присутствующий на всех SSD компании такого же форм-фактора. На оборотной стороне корпуса имеется этикетка, из которой можно почерпнуть информацию о названии и ёмкости модели, её артикуле и серийном номере.
Внутренности Samsung 850 Pro 256 Гбайт куда любопытнее. В первую очередь в глаза бросается то, что в основе этого SSD используется печатная плата урезанного размера. На этой плате размещено всего шесть микросхем.
 |  |
Первая микросхема — собственно контроллер Samsung MEX. Следует отметить, что на нём нет никаких теплопроводящих прокладок, и с корпусом он не соприкасается. То есть производитель уверен, что тепловыделение контроллера незначительно. Над контроллером установлена микросхема памяти. В нашем случае это LPDDR2-1067 объёмом 512 Мбайт, используемая в качестве буфера.
Что касается оставшихся четырёх микросхем с флеш-памятью, то их набор оказался немного необычным. Поскольку ёмкость кристаллов V-NAND, используемых в Samsung 850 Pro, составляет 86 Гбит, в 256-гигабайтный SSD пришлось поместить два разных типа микросхем: две микросхемы с четырьмя ядрами и две микросхемы с восемью ядрами. Таким образом, контроллер по восьми каналам адресует 24 ядра, то есть пользуется трёхкратным чередованием устройств в каждом канале. Однако, как мы видели по характеристикам производительности, никакой проблемой это не является и Samsung 850 Pro 256 Гбайт при любых вариантах нагрузки показывает максимально возможную скорость.
Если сложить 24 яда по 86 Гбит вместе, то получается, что полная ёмкость флеш-памяти в Samsung 850 Pro 256 Гбайт на самом деле составляет 258 честных ГиБ. Из них пользователю доступны лишь традиционные 238,4 ГиБ, а оставшиеся 7,6 процента ёмкости отводятся на работу технологий сборки мусора, выравнивания износа и, наверное, на подменный фонд, необходимость которого для памяти с ресурсом в 35 тысяч циклов перезаписи вызывает некоторые сомнения.
Однако печатная плата Samsung 850 Pro лишена каких бы то ни было батарей конденсаторов, то есть в этом SSD не предусмотрено специальных средств сохранения целостности информации при внезапном отключении питания. Это — ещё одна причина, по которой потребительский накопитель, построенный на V-NAND с практически бесконечным ресурсом, отнести к серверным решениям всё-таки невозможно.
Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
3dnews.ru
Обзор и тестирование твердотельного накопителя Samsung SSD 850 Pro 128GB
Корпорация Samsung часто выступает в виде новатора интересных решений и всегда старается максимально быстро внедрить в свои продукты новые технологии. Вот и в сфере производства флэш-памяти корейский гигант решил не участвовать в гонке нанометров по выпуску MLC-памяти, а разработать нечто альтернативное. Венцом их работы на сегодняшний день стала память 3D V-NAND. Главная особенность которой состоит в абсолютно ином подходе к компоновке ячеек памяти — создании вертикальных слоев, что избавляет от необходимости наращивания плотности хранения данных на двумерной плоскости кристалла. Актуальные поколение ячеек V-NAND насчитывает 32 слоя и позволяет выпускать чипы по более старому и проверенному 40-нм техпроцессу, что в свою очередь обеспечивает повышенную надежность и ресурс работы памяти. Производитель заявляет о 35 000 циклах перезаписи и это значительно превосходит сегодняшние возможности MLC-чипов.Samsung SSD 850 Pro (MZ-7KE128)
Первым продуктом для массового рынка с использованием новой памяти 3D V-NAND стал Samsung SSD 850 Pro. Он пришел на смену прошлому флагману в лице 840 Pro и призван побороться за звание самого быстрого SSD на сегодняшний день.
Серия 850 Pro насчитывает четыре устройства объёмом от 128 до 1024 Гбайт. Максимальный уровень производительности доступен уже в модели MZ-7KE256, ёмкостью всего в 256 Гбайт. При этом скорость записи младшего продукта MZ-7KE128 равняется 470 Мбайт/с, что значительно выше чем у большинства конкурентов аналогичного объема. Ресурс наработки для каждой модели составляет 2 000 000 часов или 150 Тбайт записи соответственно. Этого должно хватить для ежедневной записи в 40 Гбайт на протяжении десяти лет.
В Samsung SSD 850 Pro установлен знакомый по серии 840 EVO контроллер MEX с частотой 400 МГц. Стоит отметить, что алгоритм его работы был полностью переписан ввиду использования новой памяти. В дополнение к контроллеру, тестируемый образец оснащен буфером LPDDR2-памяти на 256 Мбайт.
| MZ-7KE128 | MZ-7KE256 | MZ-7KE512 | MZ-7KE1T0 | |
| Ёмкость, ГБ | 128 | 256 | 512 | 1024 |
| Скорость последовательного чтения, МБ/с | 550 | 550 | 550 | 550 |
| Скорость последовательной записи, МБ/с | 470 | 520 | 520 | 520 |
| Максимальная скорость случайного чтения (блоки по 4 Кбайт), IOPS | 100 000 | 100 000 | 100 000 | 100 000 |
| Максимальная скорость случайной записи (блоки по 4 Кбайт), IOPS | 90 000 | 90 000 | 90 000 | 90 000 |
| Буфер | 256 МБ LPDDR2 | 512 МБ LPDDR2 | 512 МБ LPDDR2 | 1024 МБ LPDDR2 |
| Контроллер | Samsung 3-core MEX controller | Samsung 3-core MEX controller | Samsung 3-core MEX controller | Samsung 3-core MEX controller |
| Тип памяти | Samsung, 40-нм, 3D V-NAND | Samsung, 40-нм, 3D V-NAND | Samsung, 40-нм, 3D V-NAND | Samsung, 40-нм, 3D V-NAND |
| Среднее время наработки на отказ (MTBF), часов | 2 000 000 | 2 000 000 | 2 000 000 | 2 000 000 |
| Интерфейс подключения | SATA 6 Гбит/с | SATA 6 Гбит/с | SATA 6 Гбит/с | SATA 6 Гбит/с |
| Потребляемая мощность (чтение/запись), Вт | 3,0–3,3 | 3,0–3,3 | 3,0–3,3 | 3,0–3,3 |
| Потребляемая мощность (простой), Вт | 0,4 | 0,4 | 0,4 | 0,4 |
| Форм-фактор | 2,5″ | 2,5″ | 2,5″ | 2,5″ |
| Габариты, мм | 100 x 69,85 x 6,8 | 100 x 69,85 x 6,8 | 100 x 69,85 x 6,8 | 100 x 69,85 x 6,8 |
| Масса, г | 66 | 66 | 66 | 66 |
Устройство поставляется в крупной картонной коробке. На лицевой стороне упаковки кроме названия серии можно найти упоминание об использовании той самой памяти V-NAND.
С обратной стороны указаны максима
www.overclockers.ua
Тест и обзор: Samsung SSD 850 PRO 128 GB – 1 TB
Страница 1: Тест и обзор: Samsung SSD 850 PRO 128 GB – 1 TB
Семейство Samsung SSD 840 PRO присутствует на рынке уже два года, и по результатам наших тестов накопители постоянно оказываются в лидерах – хотя за упомянутый период появилось немало других high-end SSD. Даже сегодня 840 PRO способен побороться за лидирующие позиции, но Samsung приготовила нового лидера – SSD 850 PRO. Но в данном случае развитие не только эволюционное, так как Samsung впервые использовала память 3D V-NAND в SSD потребительского уровня. В отличие от памяти MLC NAND, новый тип памяти обещает быть более надёжным и быстрым, а также обеспечивает более высокий уровень плотности хранения данных.
Самые большие инновации у Samsung связаны с используемой флэш-памятью. Совсем недавно мы подчеркивали технологическое лидерство Crucial, у которой накопители Crucial MX100 используют 16-нм память MLC NAND с плотностью 256 Гбит на кристалл, но у Samsung мы получили более радикальные изменения. В прошлом году появилось первое семейство Samsung SSD 840 EVO с памятью TLC NAND (3 бита на ячейку), которое получило нашу награду. У новой линейки Samsung SSD 850 PRO технология флэш-памяти претерпела фундаментальные изменения.
Samsung PRO 850 ёмкостью от 128 Гбайт до 1 ТбайтВсе типы флэш-памяти SLC, MLC или TLC обладают одним общим свойством: ячейки двумерные, то есть расположены на плоскости кристалла. И для увеличения ёмкости памяти необходимо увеличивать площадь кристалла. Конечно, сегодня производители устанавливают “бутерброды” из нескольких кристаллов памяти, что позволяет наращивать чипы по высоте, а не только по площади. Но и здесь не все гладко, поскольку у кристаллов в подобном стеке снижается качество сигналов. В случае Samsung ячейки памяти 3D V-NAND уже являются трёхмерными, они представляют собой концентрические цилиндры и могут составляться в стек намного проще.
Технические спецификации приведены в следующей таблице:
| Производитель и модель | Samsung SSD 850 PRO |
|---|---|
| Розничная цена | 1 TB: 729 евро 512 GB: 469 евро 256 GB: 239 евро 128 GB: 140 евро |
| Сайт производителя | www.samsung.com |
| Технические спецификации | |
| Форм-фактор | 2,5″ |
| Ёмкость (информация производителя) | 128, 256, 512 GB, 1 TB |
| Ёмкость (после форматирования) | 119, 238, 477, 954 GiB |
| Другие варианты ёмкости | 128, 256, 512 GB, 1 TB |
| Кэш-память | 128GB: 256MB (LPDDR2) 256-512 GB: 512MB (LPDDR2) 1TB: 1GB (LPDDR2) |
| Контроллер | Samsung MEX |
| Чипы памяти | 3D V-NAND |
| Скорость чтения (информация производителя) | 550 Мбайт/с |
| Скорость записи (информация производителя) | 520 Мбайт/с (128 GB: 470 Мбайт/с) |
| Гарантия производителя | Десять лет |
| Комплект поставки | – |
Сначала мы рассмотрим технологию новой флэш-памяти 3D V-NAND, после чего перейдём к тестам нового семейства 850 Pro от Samsung.
<>Тест и обзор: Samsung SSD 850 PRO 128 GB – 1 TBSamsung SSD 850 PRO | В деталях
www.hardwareluxx.ru
Samsung представила свой новый флагман
Сегодня случилось событие, которое ждали пользователи, неравнодушные к самым современным технологиям: компания Samsung официально представила твердотельные накопители нового поколения, основанные на перспективной 3D NAND памяти. Это первые в мире розничные накопители на флеш-памяти данного типа.
Напомним, что, согласно заявлению Samsung, её 3D V-NAND отличается более высоким ресурсом, нежели традиционная MLC NAND, при этом она обладает меньшим уровнем энергопотребления.
Но самое важным (разумеется, в первую очередь, для производителя) отличием является повышенная плотность, когда в одной микросхеме умещается больший объём информации, что позволяет получить некоторую экономию при изготовлении конечных продуктов. При этом техпроцесс, используемый при изготовлении 3D V-NAND, составляет всего лишь 40 нм.
Samsung ещё месяц назад заявила, что она начала получать промышленные партии 3D V-NAND. Но, очевидно, инженерам компании потребовался дополнительный срок для отладки самих продуктов – как на аппаратном, так и на программном уровне. Но этот срок не прошёл зря: Samsung лихо дала старт, представив не очередной бюджетный продукт класса 840/840EVO, а сразу флагмана. Встречайте: Samsung 850 Pro.
С подробными характеристиками Samsung 850 Pro уже можно ознакомиться на официальном сайте производителя – им посвящена отдельная страничка, мы лишь кратко пробежимся по ним. А заодно – сравним с, теперь уже устаревшим, Samsung 840 Pro:
| Samsung 840 Pro 64 Гбайт | Samsung 840 Pro 128 Гбайт | Samsung 850 Pro 128 Гбайт | Samsung 840 Pro 256 Гбайт | Samsung 850 Pro 256 Гбайт | Samsung 840 Pro 512 Гбайт | Samsung 850 Pro 512 Гбайт | Samsung 850 Pro 1 Тбайт | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Форм-фактор | 2,5″ SATA | 2,5″ SATA | 2,5″ SATA | 2,5″ SATA | 2,5″ SATA | 2,5″ SATA | 2,5″ SATA | 2,5″ SATA |
| Скорость последовательного чтения, до | 540 Мбайт/с | 540 Мбайт/с | 550 Мбайт/с | 540 Мбайт/с | 550 Мбайт/с | 540 Мбайт/с | 550 Мбайт/с | 550 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи, до | 170 Мбайт/с | 390 Мбайт/с | 470 Мбайт/с | 520 Мбайт/с | 520 Мбайт/с | 520 Мбайт/с | 520 Мбайт/с | 520 Мбайт/с |
| Чтение случайных блоков (4 Кбайт), до | 100 000 IOPS | 97 000 IOPS | 100 000 IOPS | 100 000 IOPS | 100 000 IOPS | 100 000 IOPS | 100 000 IOPS | 100 000 IOPS |
| Запись случайных блоков (4 Кбайт), до | 36 000 IOPS | 90 000 IOPS | 90 000 IOPS | 90 000 IOPS | 90 000 IOPS | 90 000 IOPS | 90 000 IOPS | 90 000 IOPS |
Формально существовал 840 Pro объёмом 64 Гбайт, но в продаже я его не наблюдал. В новом, 850-м семействе его уже нет. Зато отодвинут верхний потолок объёмов – до 1 Тбайт. Ресурс заявлен на уровне 150 Тбайт записанных данных и, что несколько нелогично, не зависит от объёма устройства: в итоге для младшей модели объёмом 128 Гбайт допускается 1200 циклов перезаписи, тогда как для старшей, как несложно подсчитать, всего 150. Однако при этом Samsung 850 Pro сопровождаются десятилетней гарантией. По-видимому, пример SanDisk оказался заразителен. Впрочем, SanDisk ресурс устанавливает почти вдвое меньший: всего 80 Тбайт записанных данных.
Накопители семейства Samsung 850 Pro поступят в продажу через 20 дней – 21 июля 2014 года, а рекомендованные цены установлены равными 130, 200, 400 и 700 долларов США в зависимости от объёма.
P.S. Читателям, хорошо знающим английский язык, я могу порекомендовать ознакомиться с обзором, опубликованным AnandTech: “Samsung SSD 850 Pro (128GB, 256GB & 1TB) Review: Enter the 3D Era“
Update. Наш собственный обзор Samsung 850 Pro 256 Гбайт: “Новинки-2014: обзор SSD 240-256 Гбайт – ADATA Premier Pro SP920, AMD Ruby Performance Edition, Corsair Force LX, Kingston HyperX Fury и Samsung 850 Pro“
overclockers.ru
