Даташиты на русском языке – DataSheet — Техническая документация к электронным компонентам на русском языке. — Delvik.ru

Содержание

DataSheet — Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Описание

U2010B спроектирована как микросхема для фазового управления по биполярной технологии. Она позволяет отслеживать нагрузку по току и имеет функцию плавного пуска, а также выход опорного напряжения. Предпочтительными применениями являются управление двигателем с обратной связью по току и защитой от перегрузки.

Функции:

Измерение полного волнового тока
Коррекция изменения питающей сети
Программируемое ограничение тока нагрузки с выходом сверхвысокой мощности
Изменяемый плавный пуск
Синхронизация напряжения и тока
Автоматическая перезагрузка
Типовой переключающий импульс 125 мА
Внутренний контроль напряжения питания
Потребляемый ток ≤ 3 мА
Температурная компенсация опорного напряжения

Читать далее «U2010B — Микросхема фазового управления с обратной связью по току и защитой от перегрузки.» →

Обзор продукта

BTS 5242-2L — это двухканальный силовой переключатель верхнего плеча в корпусе PG-DSO-12-9 (рис.1), оснащенный встроенной защитной функцией.

Силовой транзистор построен на N-канальном силовом (полевом) МОП-транзисторе с вертикальной структурой и подкачкой заряда. Твердотельный прибор разработан по технологии Smart SIPMOS.

Рисунок 1. BTS 5242-2L в корпусе PG-DSO-12-9

Читать далее «BTS 5242-2L Интеллектуальный силовой переключатель верхнего плеча, Двухканальный, 25 мОм» →

Функции

Выходной ток до 1 А
Выходные напряжения: 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 24 В
Тепловая защита от перегрузки
Защита от короткого замыкания
Защита выхода транзистора в рабочей области

Описание

Серия трехвыводных положительных стабилизаторов LM78XX доступна в корпусе TO-220 и с несколькими фиксированными выходными напряжениями, делая их полезными в широком спектре применений. Каждый тип использует внутреннее ограничение тока, тепловое отключение и защиту рабочей области. Если предусмотрено достаточное теплоотведение, они могут обеспечивать выходной ток более 1 А. Несмотря на то, что эти устройства предназначены главным образом в качестве фиксированных регуляторов напряжения, также могут использоваться с внешними компонентами для регулирования напряжений и токов.

Рис. 1. Корпус ТО-220

Читать далее «LM78XX / LM78XXA 3-х выводной 1 А положительный стабилизатор напряжения» →

1. Функции

Широкий диапазон напряжения питания от 4.5 В до 36 В
Отдельный вход источника питания для логической части
Внутренняя защита от электростатического разряда
Входы с высоким уровнем помехоустойчивости

Возможность выходного тока на канал – 1 A (600 мА для L293D)
Пиковый выходной ток на канал – 2 А (1.2 A для L293D)
Выходные ограничительные диоды для подавления индуктивных переходных процессов (L293D)

2. Применение

Драйверы для шаговых двигателей
Драйверы для двигателей постоянного тока
Драйверы для фиксации состояния реле

Логическая схема ИС L293D, L293DD

Читать далее «Четырехканальный H-мостовой драйвер L293x» →

Общее описание

PT4115 представляет собой индуктивный понижающий преобразователь с непрерывным режимом работы, предназначенный для управления одним или несколькими последовательно подключенными светодиодами, питающимися от источника напряжения выше, чем общее напряжение цепи светодиодов. Микросхема может работать от источника питания с напряжением от 6 до 30 В и обеспечивает внешний регулируемый выходной ток до 1,2 А. В зависимости от напряжения питания и внешних компонентов, PT4115 может обеспечивать выходную мощность более 30 Вт. PT4115 включает в себя выключатель питания и схему контроля выходного тока, которая использует внешний резистор для установки номинального среднего выходного тока, а на отдельный вход DIM можно подавать либо постоянное напряжение, либо широкий диапазон ШИМ. Если подать напряжение 0,3 В или меньше на вывод DIM, отключает выход и микросхема переходит в ждущий режим. PT4115 выпускается в корпусах SOT89-5 и ESOP8.

Свойства

Малое количество подключаемых внешних компонентов
Широкий диапазон напряжения питания: от 6 до 30 В
Выходной ток до 1.2 А
Один вывод для включения/выключения и регулировки яркости, использующий постоянное напряжение или ШИМ
Частота коммутации до 1 МГц
Номинальная точность поддержания выходного тока 5%
Встроенная схема отключения для защиты светодиодов

Высокий К.П.Д. (до 97%)
Отслеживание тока на стороне высокого напряжения
Гистерезисное управление: без компенсации
Регулируемый постоянный ток светодиода
Корпус ESOP8 для схем с большой выходной мощностью
Соответствует RoHS

Читать далее «PT4115 — Понижающий преобразователь (драйвер светодиодов)» →

Схема фазового управления с обратной связью

Описание:

Интегральная схема U211B2/B3 разработана как схема фазоконтроля по биполярной технологии с внутренним преобразователем частоты (аналог TDA1085). Кроме того, микросхема оснащена встроенным усилителем сигнала управления и может использоваться для регулирования скорости вращения электродвигателя. Он имеет интегрированное ограничение нагрузки, мониторинг цепи тахометра и функции плавного пуска и многое другое для реализации сложных систем управления двигателем.

Особенности (свойства):

Внутренний преобразователь частоты в напряжение
Интегрированный усилитель с внешним управлением

Ограничение перегрузки с «откидной» характеристикой
Оптимизированная функция плавного пуска
Мониторинг тахометра для замкнутого и разомкнутого контура
Автоматическая перезагрузка
Стандартное значение импульса срабатывания: 155 мА
Синхронизация напряжения и тока
Внутренний мониторинг напряжения питания
Источник задания температуры
Потребление тока ≤ 3,3 мА

Читать далее «U211B2/B3 — Регулятор оборотов коллекторного двигателя» →

Свойства

Мощные симисторы
Низкое тепловое сопротивление
Высокая коммутирующая способность
Сертифицированы по стандарту UL1557
Корпусы соответствуют директиве RoHS (2002/95/EC)

Применение

Описание

Доступны в мощных корпусах. Симисторы серии BTA / BTB40-41 подходят для коммутации переменного тока общего назначения. Серия BTA снабжена изолированным язычком (номинальное среднеквадратичное напряжение пробоя 2500 В).

Типы корпусов (A1, A2 — аноды, G — управляющий электрод)

Читать далее «Симисторы серии BTA40, BTA41, BTB41» →

Расположение выводов IRF740

Описание
Третье поколение МОП-транзисторов от компании Vishay дают проектировщику схемы лучшее сочетание быстрого переключения и запаса прочности, низкое сопротивление в открытом состоянии, небольшую стоимость и высокую эффективность. Исполнение в корпусе TO-220AB является оптимальным для применения в схемах промышленных устройств с уровнем рассеиваемой мощности до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и небольшая стоимость сделали его, часто используемым, в схемах различных устройств.
Читать далее «IRF740 — Мощный MOSFET (полевой МОП) транзистор» →
Свойства
Управляющие каналы предназначены для работы под нагрузкой

— Полностью работоспособны при напряжении до +600 В
— Нечувствителен к отрицательным переходным напряжениям
— Невосприимчив к скорости нарастания напряжения dV/dt
Купить IR2104
Читать далее
rudatasheet.ru
Справочник — DataSheet

Буквенное обозначение Параметр
Отечественное Международное
I_КБО I_CBO Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
I_ЭБО I_EBO Обратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
I_КЭO I_CEO Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы.
I_КЭR I_CER Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
I_КЭК I_CES Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
I_КЭV I_CEV Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер.
I_КЭX I_CEX Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер.
I_{K max} I_C max Максимально допустимый постоянный ток коллектора.
I_Э max I_E max Максимально допустимый постоянный ток эмиттера.
  I_Б max   I_B max Максимально допустимый постоянный ток базы.
I_{К , и max} I_CM max Максимально допустимый импульсный ток коллектора.
I_{Э , и max} I_EM max Максимально допустимый импульсный ток эмиттера.
I_КР — Критический ток биполярного транзистора.
U_{КБО проб.} U_{(BR) CBO} Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
U_{ЭБО проб.} U_{(BR) ЕBO} Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
U_{КЭО проб.} U_{(BR) CEO} Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы.
U_{КЭR проб.} U_{(BR) CER} Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер.
U_{КЭK проб.} U_{(BR) CES} Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
U_{КЭV проб.} U_{(BR) CEV} Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в цепи база-эмиттер.
U_{КЭХ проб.} U_{(BR) CEX} Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер.
U_{КЭО гр} U_{(L) CEO} Граничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
U_смк U_pt Напряжение смыкания транзистора.
U_{КЭ нас} U_{CE sat} Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и коллектора.
U_{БЭ нас} U_{BE sat} Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера.
U_{ЭБ пл} U_EBfl Плавающее напряжение эмиттер-база — напряжение между эмиттером и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера.
U_{КБ max} U_{CB max} Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база.
U_{КЭ max} U_{CE max} Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер.
U_{ЭБ max} U_{EB max} Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
U_{КЭ, и max} U_{CEM max} Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер.
U_{КБ, и max} U_{CBM max} Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база.
U_{ЭБ, и max} U_{EBM max} Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база.
P P_tot Постоянная рассеиваемая мощность транзистора.
P_ср P_AV Средняя рассеиваемая мощность транзистора.
P_и P_M Импульсная рассеиваемая мощность транзистора.
P_K P_C Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
P_{K, τ max} — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.
P_вых P_out Выходная мощность транзистора.
P_{и max} P_M max Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
P_K max P_C max Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
P_{K ср max} — Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора.
r_b r_bb , r_b Сопротивление базы.
r_{КЭ нас} r_{CE sat} Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером.
с_11э, с_11б c_11e, c_11b Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
с_22э, с_22б c_22e, c_22b Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
c_к c_c Емкость коллекторного перехода.
c_э c_e Емкость эмиттерного перехода.
f_гр f_T Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером.
f_max f_max Максимальная частота генерации.
f_h31э, f_h31б f_h31e, f_hfe;f_h31b, f_hfb Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой.
t_вкл t_on Время включения.
t_выкл t_off Время выключения.
t_зд t_d Время задержки.
t_нр t_r Время нарастания.
t_рас t_s Время рассасывания.
t_сп t_f Время спада.
h_11э, h_11б h_11e, h_11b;h_ie, h_ib Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_21э, h_21б h_21e, h_21b;h_fe, h_fb Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_12э, h_12б h_12e, h_12b;h_re, h_rb Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_22э, h_22б h_22e, h_22b;h_oe, h_ob Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
|h_21э| |h_21e| Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте.
h_11Э h_11E,h_IE Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы с общим эмиттером.
  h_21Э H_11E,H_FE Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала.
Y_21Э Y_21E Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером.
  Y_11э, Y_11б Y_11e, Y_11b;Y_ie, Y_ib Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_12э, Y_12б Y_12e, Y_12b;Y_re, Y_rb Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_21э, Y_21б Y_21e, Y_21b;Y_fe, Y_fb Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_22э, Y_22б Y_22e, Y_22b;Y_oe, Y_ob Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
S_11э, S_11б, S_11к S_11e, S_11b, S_11c; S_ie, S_ib, S_ic Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_12э, S_12б, S_12к S_12e, S_12b, S_12c; S_re, S_rb, S_rc Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_22э, S_22б, S_22к S_22e, S_22b, S_22c; S_oe, S_ob, S_oc Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_21э, S_21б, S_21к S_21e, S_21b, S_21c; S_fe, S_fb, S_fc Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
— f_se, f_sb, f_sc Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S_21е = 1,
S_21b = 1, S_21c= 1.
К_{у, р} G_p Коэффициент усиления мощности.
— G_A, G_a Номинальный коэффициент усиления по мощности.
К_ш F Коэффициент шума транзистора.
τ_к(r’_бС_к) τc(r’_bbС_c) Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
T_окр T_A, T_amb Температура окружающей среды.
T_к T_c , T_case Температура корпуса.
T_п T_j Температура перехода.
R_{т, п-с} R_thja Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
R_{т, п-к} R_thjс Тепловое сопротивление от перехода к корпусу.
R_{т, к-с} R_thса Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде.
τ_{т, п-с} τ_thja Тепловая постоянная времени переход-окружающая среда.
τ_{т, п-к} τ_thjс Тепловая постоянная времени переход-корпус.
τ_{т, к-с} τ_thса Тепловая постоянная времени корпус-окружающая среда.
rudatasheet.ru
Справочники по отечественным электронным компонентам с Datasheet
Справочники по отечественным электронным компонентам с Datasheet
Краткое содержание справочников по электронике.
В приведенных выше электронных справочниках содержится информация (при условии, что она присутствовала в отсканированном первоисточнике), которую невозможно получить из скупых табличных данных. Эти данные могут быть полезны при ремонте бытовой техники и для подбора подходящего аналога. Чтоб скачать соответствующий pdf — файл с документацией на выбранный компонент, необходимо кликнуть по ярлыку pdf в таблице.
Этот справочник по транзисторам отечественным для поверхностного монтажа составлен из выпускавшихся во времена СССР типов. Хотя отечественные smd транзисторы встречаются в магазинах.
В справочник вошли транзисторы с максимальным током не более 400ма, не предназначенные для работы с теплоотводом. Чаще всего это высокочастотные транзисторы.
В нем приведены справочные данные транзисторов серий КТ601 -КТ698, КТ902-КТ978 и КТ6102-КТ6117.
В справочники по транзисторам кт… включена подробная сканированная документация с графиками на биполярные отечественные транзисторы и даташиты на их импортные аналоги. Кроме популярных и широко распространенных транзисторов (КТ502, КТ503, КТ805, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ837 и проч.), приведены и новые транзисторы, ими справочник дополнен с сайтов производителей. В таблице кратких справочных данных приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения коллектор — эмиттер и максимальный возможный коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером. В pdf документации описана типичная область применения транзисторов в бытовой и промышленной технике. Для маломощных транзисторов кт…, где используется цветовая или символьная маркировка, приведена расшифровка. Для мощных транзисторов приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока коллектора ( h31э может изменяться на порядок), зависимость напряжения насыщения от тока (что важно для расчета тепловых потерь), область безопасной работы и зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры корпуса. Составные транзисторы (например, КТ829) в справочнике выделены цветом. Их также можно найти по коэффициенту усиления, он, как правило, больше 500.
Приборы расположены в порядке возрастания напряжения и тока с целью упростить подбор транзисторов по параметрам, поиск аналогов, близких по характеристикам транзисторов и комплементарных пар.
В кратком описании приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения сток — исток и сопротивление сток — исток. В справочном листе на полевой транзистор описана типичная область применения. Приведено пороговое напряжение затвора для MOSFET (напряжение отсечки для транзисторов с неизолированным затвором). На некоторые приборы приведены графики допустимой мощности рассеивания в зависимости от температуры корпуса и другие характеристики. Приборы упорядочены по наименованию, приведены импортные аналоги и производители. Этот справочник подходит для уточнения характеристик и поиска аналогов известного транзистора.
В справочнике по MOSFET транзисторам приборы рассортированы в порядке возрастания напряжения и тока, приведен тип корпуса, что удобно для подбора транзистора в справочнике по параметрам под конкретную задачу. Справочник подойдет и для подбора аналогов, хотя транзисторы с одинаковым током и напряжением могут и не быть взаимозаменяемыми — необходимо внимательно сравнивать характеристики. Импортные взяты исключительно из прайсов магазинов, и это повышает их шансы на доставаемость. В практических применениях полевые транзисторы конкурируют с БТИЗ (смотри IGBT справочник). И те, и другие управляются напряжением, приложенным к затвору и выбор между IGBT и MOSFET чаще всего определяется частотами переключения и рабочим напряжением. На низких частотах и высоких напряжениях эффективнее IGBT, а на высоких частотах и низких напряжениях предпочтительнее MOSFET. В середине этого диапазона все определяется параметрами конкретных приборов. Производители IGBT выпускают транзисторы со все более высокими скоростями переключения, а производители MOSFET, в свою очередь, разрабатывают приборы с высокими рабочими напряжениями, умудряясь сохранять низкое сопротивление стока. Например, весьма хорош полевой транзистор IPW60R045.
В этом справочнике IGBT транзисторы рассортированы в порядке возрастания максимального допустимого тока, дано падение напряжения на транзисторе при этом токе. Причем ток указан при температуре корпуса 100ºС, что чаще всего соответствует реальным рабочим условиям эксплуатации транзисторов (некоторые производители лукавят, указывая ток IGBT транзистора при температуре 25ºС, что на практике недостижимо, а при разогреве допустимый ток может уменьшиться вдвое). Также приведен тип корпуса и указаны важные особенности (тип прибора по рабочей частоте и наличие обратного диода). Приведены MOSFET транзисторы с близкими характеристиками (в некоторых случаях они могут быть заменой IGBT). В IGBT справочник включены транзисторы из прайсов интернет-магазинов.
В справочниках приведены тип корпуса, основные электрические характеристики, предельные параметры и температурные характеристики. В справочнике по диодам выпрямительным приведены ВАХ (вольт-амперная характеристика) диодов и графики изменения параметров в зависимости от температуры. Кроме того, перечислены современные отечественные производители диодов с ссылками на соответствующий раздел сайта производителя.
В справочнике диодов Шоттки компоненты упорядочены по напряжению и току, что удобно для выбора диода по параметрам и подбора аналогов. Приведены типы корпусов, даны ссылки на сайты отечественных производителей.
В справочнике по радиолампам приведены подробные характеристики распространенных электронных ламп: диодов, триодов, тетродов и пентодов.
В справочнике по тиристорам и симисторам (симметричным тиристорам) приведены вид корпуса, основные электрические характеристики и предельные эксплуатационные параметры. На графиках приведена зависимость допустимого тока в открытом состоянии от температуры и зависимость допустимого напряжения в закрытом состоянии от температуры. Описана область применения тиристоров. Дана максимальная допустимая рассеиваемая мощность.
В документации по стабилитронам и стабисторам приведена цветовая маркировка компонентов, разброс напряжений стабилизации при разных температурах, графики изменения дифференциального сопротивления, допустимая рассеиваемая мощность и пр. Стабилитроны в справочнике разбиты на функциональные группы.
В справочных данных по постоянным резисторам приведена зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры, габариты, область применения. Резисторы разбиты на группы по назначению (общего применения, прецизионные, высоковольтные, нагрузочные). Если какой-либо тип резисторов справочник и не охватил, то документацию по нему можно найти на сайтах производителей резисторов (пройдя по ссылке). Для некоторых типов указаны импортные аналоги резисторов. Калькулятор цветовой маркировки резисторов.
Для переменных резисторов в справочнике приведен внешний вид, указаны размеры, мощность, тип характеристики, предельное рабочее напряжение, износоустойчивость. Для резисторов с выключателем приведены данные по контактам выключателя. Описаны переменные резисторы типов СП-хх и РП-хх.
В справочных данных по конденсаторам указаны область применения, типоразмеры, графики зависимости эквивалентного последовательного сопротивления от температуры и частоты, зависимости допустимого импульсного тока от частоты, время наработки, тангенс угла потерь и другие характеристики.
Отечественные операционные усилители. Справочник.
В справочниках по отечественным операционным усилителям указаны типовая схема включения, электрические и частотные характеристики, допустимая рассеиваемая мощность. На операционники К140УД17, К140УД18, К140УД20, К140УД22, К140УД23, К140УД24, К140УД25, К140УД26, сдвоенные и счетверенные ОУ серий К1401УД1 — К1401УД6, микросхемы для звуковой аппаратуры К157 и широкополосные усилители К574 приведена весьма подробная информация: цоколевка, импортный аналог, внутренняя схема операционного усилителя, графики, характеристики, схемы балансировки, включения в качестве инвертирующего и неинвертирующего усилителя — в общем, не хуже импортных datasheets. Операционные усилители в справочнике расположены в алфавитном порядке. В таблице приведено краткое описание, а подробные характеристики содержатся в pdf файле.
В справочнике по параметрическим стабилизаторам напряжения приведены подробные параметры и характеристики, цоколевка, типовые электрические схемы включения микросхем.
В справочнике по цифровым микросхемам (микросхемы серий К561, К176, К1561, 564) приведены статические и динамические электрические характеристики (допустимое напряжение питания, ток потребления, входной ток, максимальный допустимый выходной ток, задержка распространения сигнала, максимальная рабочая частота). В справочнике описана внутренняя структурная схема и логика работы. Для некоторых микросхем даны временные диаграммы работы.
Представлены микросхемы ШИМ контроллеров для импульсных источников питания
В документации по реле приведены паспорта, конструктивные данные и электрические схемы, сопротивление обмотки, износостойкость, режимы коммутации и другие параметры.
Даташиты на электрические соединители взята с сайтов производителей (ссылка на них здесь же) и сведена воедино. В справочнике по разъемам в таблице для начала представлены основные параметры разъемов — количество контактов, максимальный допустимый ток на контакт и максимальное напряжение. Подробная информация о конкретном разъеме в справочнике (габаритные размеры, сопротивление контактов, количество контактов разного сечения в одном разъеме, маркировка и т.д.) содержится в datasheet. В справочник вошли как силовые разъемы на токи до 200 А (типа 2РТТ, ШР), так и электрические соединители для подключения слабых сигналов.
Отечественные оптроны. Справочник.
В справочнике по отечественным оптопарам описан принцип действия, основные характеристики и применение диодных, транзисторных, транзисторных оптронов с составными транзисторами на выходе (по схеме Дарлингтона) и тиристорных оптронов. Указан отечественный производитель микросхем. В datasheet на компоненты приведена цоколевка, внутренняя схема, зависимости параметров, коэффициент усиления и напряжение гальваноразвязки.
В справочнике по отечественным светодиодам на первой странице приведены основные параметры светодиодов: номинальный ток светодиода, напряжение светодиодов при номинальном токе и разброс значения силы света для каждого типа приборов. Более подробные характеристики приведены в pdf. Указан отечественный производитель. В самих datasheet приведены подробные характеристики для каждого прибора. Данные взяты с сайтов предприятий, занимающихся производством светодиодов.
В справочнике по импортным диодным мостам приведены однофазные и трехфазные мосты. Однофазные мосты собраны с характеристиками по напряжению от 50 до 1200 вольт и токами от 0.5 до 50 ампер. Корпусное исполнение: для поверхностного монтажа, выводного исполнения для пайки в плату и для внешнего монтажа. Трехфазные диодные мосты представлены приборами на токи от 20 до 110 ампер и на напряжение от 50 до 1600В. Для удобства выбора в справочник включены фото диодных мостов. Отдельный раздел посвящен диодным мостам для генераторов отечественных авто (преимущественно семейства ВАЗ, начиная «Копейкой» и заканчивая «Приорой»). В datasheet от украинского производителя «ВТН» описана применяемость, совместимость с разными типами генераторов, приведены технические характеристики, электрическая схема, габаритный чертеж и фотографии.
Примеры расчетов параметров схем с использованием документации:
параметры транзисторы справочник условных обозначений карта сайта
контактный адрес:
www.trzrus.ru
Что такое даташит и зачем он нужен
Приветствую, друзья!
А Вы слышали это словечко — даташит? Наш лексикон последние годы изрядно обогатился англицизмами.
Люди, которые занимаются электроникой и ковыряются в компьютерах, наверняка знакомы с этим термином. Те, кто только готовится окунуться в это увлекательное дело, читаем дальше!
Даташит — это транслитерированное data sheets, справочные листы с информацией. Представляет собой официальный документ производителя электронных компонентов.
Там приводятся техническое описание компонента, его параметры, режимы эксплуатации, схемы включения и другая информация.
Немного истории
Сейчас абсолютное большинство электронных компонентов, которые присутствуют на рынке, изготовлены зарубежными производителями. В Советском Союзе было наоборот: при изготовлении электроники использовали в большинстве своем отечественные компоненты.
На каждый компонент изготовителем поставлялись технические условия (ТУ), которые найти можно было только на заводах, где электронную аппаратуру изготавливали. В свободном доступе их не было.
В технических условиях было все то (и даже больше), что имеется в нынешних даташитах. Существовали бумажные справочники, где была собрана самая необходимая информация, которые найти было уже легче.
Сейчас любой data sheets можно очень легко найти. Надобность в толстых бумажных справочниках отпала.
Что можно найти на первой странице даташита?
Сразу отметим, что первую страницу даташита формируют не только технари-инженеры, но и специалисты маркетингу и рекламе. Электронные компоненты производят для того, чтобы их покупали, поэтому надо показать товар лицом.
На первой странице data sheets приводятся:
свойства компонента (features),
его основные параметры (quick reference data),
обозначение на принципиальных схемах (symbol),
краткое описание (general description).
Могут описываться предельные режимы эксплуатации (limiting values, absolute maximum rating) или что-то в этом роде. Часто приводят изображения корпуса компонента и назначение выводов (pinning information, pin description).
С первого листа должно быть понятно, что за штуковина перед нами.
Вот как выглядит, например, первый лист даташита на MOSFET (полевой транзистор) 55N03T. Мы сразу видим, что это транзистор very low on-state resistance (имеет низкое сопротивление открытого канала сток-исток Rds), 18 мОм при напряжении затвор-исток Vgs 10 В.
Такое сопротивление получено с помощью trench-технологии. Область применения (applications) — сильноточные ключи (high current switching), высокочастотные (high-frequency) dc-dc конверторы для компьютерных материнских плат (computer motherboard).
И действительно, этот транзистор я выдрал с неисправной материнской платы компьютера. Конвертер на материнской плате из напряжение 12 В блока питания выдает напряжение 1 с лишним В для питания ядра процессора.
Ниже расположена цоколевка (pinning) транзистора, разновидности корпусного исполнения. В конце первого листа приведена таблица предельных режимов, из которых видно, что максимально мощность, рассеиваемая транзистором (total power dissipation), не должна превышать 103 Вт. Естественно, с наличием радиатора.
Температура (рабочая и хранения) транзистора должна лежать в пределах от минус 55 до плюс 175.
Что еще есть в даташите?
Далее идут электрические и температурные характеристики, причем параметры содержат минимальное, типовое и максимальное значение. Как ни отлаживай технологию производства, всегда будет существовать разброс параметров.
Типовое — это наиболее вероятное значение.
Даташиты могут содержать графики зависимости одного параметра другого. Например, в нашем случае зависимость тока стока от напряжения сток-исток при определенных значениях напряжения исток-затвор.
В заключение приводится информация о температурном режиме при монтаже (пайке) компонента, его упаковки маркировки и схемах включения.
Зачем нужен даташит?
Из всего сказанного понятно, что datasheet нужен разработчикам электронных изделий, чтобы правильно использовать электронный компонент при разработке аппаратуры.
В то же время справочными данными могут пользоваться и ремонтники, чтобы заменить вышедшую из строя «железку» аналогичной.
В этом случае используются только некоторые данные из даташита — предельно допустимые режимы или типовые значения параметров.
Где можно найти даташит?
Его можно найти в интернете. Достаточно вбить в поисковую систему фразу «маркировка компонента datasheet». Например, в нашем случае будет «55N03T datasheet».
Маркировка (или часть ее) наносится на корпус электронного элемента. Существует множество сайтов- каталогов электронных компонентов. Как правило, даташиты приводятся в формате PDF.
Заканчивая, отметим, что иногда официальные документы могут содержать некоторые неточности. Поэтому хорошо бы скачать разные даташиты одного и того же компонента и сравнить.
Если вы собираетесь серьезно заниматься ремонтами, придется изучать, как работают электронные компоненты, те же транзисторы и диоды.
Первоначальные сведения о том, как устроен полевой или биполярный транзистор, можно получить на этом сайте.
Можно еще почитать:
Что такое RoHS.
Всего наилучшего!

vsbot.ru
Даташиты — DataSheet
Описание
U2010B спроектирована как микросхема для фазового управления по биполярной технологии. Она позволяет отслеживать нагрузку по току и имеет функцию плавного пуска, а также выход опорного напряжения. Предпочтительными применениями являются управление двигателем с обратной связью по току и защитой от перегрузки.
Функции:
Измерение полного волнового тока
Коррекция изменения питающей сети
Программируемое ограничение тока нагрузки с выходом сверхвысокой мощности
Изменяемый плавный пуск
Синхронизация напряжения и тока
Автоматическая перезагрузка
Типовой переключающий импульс 125 мА
Внутренний контроль напряжения питания
Потребляемый ток ≤ 3 мА
Температурная компенсация опорного напряжения
Читать далее «U2010B — Микросхема фазового управления с обратной связью по току и защитой от перегрузки.» →
Обзор продукта
BTS 5242-2L — это двухканальный силовой переключатель верхнего плеча в корпусе PG-DSO-12-9 (рис.1), оснащенный встроенной защитной функцией.
Силовой транзистор построен на N-канальном силовом (полевом) МОП-транзисторе с вертикальной структурой и подкачкой заряда. Твердотельный прибор разработан по технологии Smart SIPMOS.

Рисунок 1. BTS 5242-2L в корпусе PG-DSO-12-9
Читать далее «BTS 5242-2L Интеллектуальный силовой переключатель верхнего плеча, Двухканальный, 25 мОм» →
Функции
Выходной ток до 1 А
Выходные напряжения: 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 24 В
Тепловая защита от перегрузки
Защита от короткого замыкания
Защита выхода транзистора в рабочей области
Описание
Серия трехвыводных положительных стабилизаторов LM78XX доступна в корпусе TO-220 и с несколькими фиксированными выходными напряжениями, делая их полезными в широком спектре применений. Каждый тип использует внутреннее ограничение тока, тепловое отключение и защиту рабочей области. Если предусмотрено достаточное теплоотведение, они могут обеспечивать выходной ток более 1 А. Несмотря на то, что эти устройства предназначены главным образом в качестве фиксированных регуляторов напряжения, также могут использоваться с внешними компонентами для регулирования напряжений и токов.
Рис. 1. Корпус ТО-220
Читать далее «LM78XX / LM78XXA 3-х выводной 1 А положительный стабилизатор напряжения» →
1. Функции
Широкий диапазон напряжения питания от 4.5 В до 36 В
Отдельный вход источника питания для логической части
Внутренняя защита от электростатического разряда
Входы с высоким уровнем помехоустойчивости
Возможность выходного тока на канал – 1 A (600 мА для L293D)
Пиковый выходной ток на канал – 2 А (1.2 A для L293D)
Выходные ограничительные диоды для подавления индуктивных переходных процессов (L293D)
2. Применение
Драйверы для шаговых двигателей
Драйверы для двигателей постоянного тока
Драйверы для фиксации состояния реле

Логическая схема ИС L293D, L293DD
Читать далее «Четырехканальный H-мостовой драйвер L293x» →
Общее описание
PT4115 представляет собой индуктивный понижающий преобразователь с непрерывным режимом работы, предназначенный для управления одним или несколькими последовательно подключенными светодиодами, питающимися от источника напряжения выше, чем общее напряжение цепи светодиодов. Микросхема может работать от источника питания с напряжением от 6 до 30 В и обеспечивает внешний регулируемый выходной ток до 1,2 А. В зависимости от напряжения питания и внешних компонентов, PT4115 может обеспечивать выходную мощность более 30 Вт. PT4115 включает в себя выключатель питания и схему контроля выходного тока, которая использует внешний резистор для установки номинального среднего выходного тока, а на отдельный вход DIM можно подавать либо постоянное напряжение, либо широкий диапазон ШИМ. Если подать напряжение 0,3 В или меньше на вывод DIM, отключает выход и микросхема переходит в ждущий режим. PT4115 выпускается в корпусах SOT89-5 и ESOP8.
Свойства
Малое количество подключаемых внешних компонентов
Широкий диапазон напряжения питания: от 6 до 30 В
Выходной ток до 1.2 А
Один вывод для включения/выключения и регулировки яркости, использующий постоянное напряжение или ШИМ
Частота коммутации до 1 МГц
Номинальная точность поддержания выходного тока 5%
Встроенная схема отключения для защиты светодиодов
Высокий К.П.Д. (до 97%)
Отслеживание тока на стороне высокого напряжения
Гистерезисное управление: без компенсации
Регулируемый постоянный ток светодиода
Корпус ESOP8 для схем с большой выходной мощностью
Соответствует RoHS
Читать далее «PT4115 — Понижающий преобразователь (драйвер светодиодов)» →
Схема фазового управления с обратной связью
Описание:
Интегральная схема U211B2/B3 разработана как схема фазоконтроля по биполярной технологии с внутренним преобразователем частоты (аналог TDA1085). Кроме того, микросхема оснащена встроенным усилителем сигнала управления и может использоваться для регулирования скорости вращения электродвигателя. Он имеет интегрированное ограничение нагрузки, мониторинг цепи тахометра и функции плавного пуска и многое другое для реализации сложных систем управления двигателем.
Особенности (свойства):
Внутренний преобразователь частоты в напряжение
Интегрированный усилитель с внешним управлением
Ограничение перегрузки с «откидной» характеристикой
Оптимизированная функция плавного пуска
Мониторинг тахометра для замкнутого и разомкнутого контура
Автоматическая перезагрузка
Стандартное значение импульса срабатывания: 155 мА
Синхронизация напряжения и тока
Внутренний мониторинг напряжения питания
Источник задания температуры
Потребление тока ≤ 3,3 мА
Читать далее «U211B2/B3 — Регулятор оборотов коллекторного двигателя» →
Свойства
Мощные симисторы
Низкое тепловое сопротивление
Высокая коммутирующая способность
Сертифицированы по стандарту UL1557
Корпусы соответствуют директиве RoHS (2002/95/EC)

Применение

Описание
Доступны в мощных корпусах. Симисторы серии BTA / BTB40-41 подходят для коммутации переменного тока общего назначения. Серия BTA снабжена изолированным язычком (номинальное среднеквадратичное напряжение пробоя 2500 В).

Типы корпусов (A1, A2 — аноды, G — управляющий электрод)
Читать далее «Симисторы серии BTA40, BTA41, BTB41» →
Расположение выводов IRF740
Описание
Третье поколение МОП-транзисторов от компании Vishay дают проектировщику схемы лучшее сочетание быстрого переключения и запаса прочности, низкое сопротивление в открытом состоянии, небольшую стоимость и высокую эффективность. Исполнение в корпусе TO-220AB является оптимальным для применения в схемах промышленных устройств с уровнем рассеиваемой мощности до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и небольшая стоимость сделали его, часто используемым, в схемах различных устройств.
Читать далее «IRF740 — Мощный MOSFET (полевой МОП) транзистор» →
Свойства
Управляющие каналы предназначены для работы под нагрузкой
— Полностью работоспособны при напряжении до +600 В
— Нечувствителен к отрицательным переходным напряжениям
— Невосприимчив к скорости нарастания напряжения dV/dt
Купить IR2104
Читать далее
rudatasheet.ru
Даташиты — Страница 3 — DataSheet
Стерео усилитель звуковой частоты с двумя выходами по 25 Вт, с функцией отключения звука и режимом ожидания.
Диапазон питания (до ±25 В)
Двуполярное питание
Большая выходная мощность 25 + 25 Вт при суммарном коэффициенте гармонических колебаний 10%, сопротивлении нагрузки 8 Ом и напряжении питания ±20 В.
Нет шумов при включении и выключении
Режим отключения звука
Низкий ток потребления в режиме ожидания
Защита от короткого замыкания
Защита от перегрева

Купить TDA7265
Читать далее

LM158, LM158A, LM258, LM258A LM358, LM358A, LM2904, LM2904V — Сдвоенные операционные усилители.

Купить LM358 на алиэкспресс или купить с  кэшбэком!

1 Особенности

Широкий диапазон напряжения питания
— Однополярное питание: от 3 В до 32 В (26 В для LM2904)
— Биполярное питание : от ±1.5 В до ±16 В (±13 В для LM2904)
Читать далее
Свойства
Регулируемое выходное напряжение: от 2.5 В до 36 В
Нагрузочный ток: от 1 мА до 100 мА
Полное выходное сопротивление: 0.22 Ом
Отклонение точности установленного выходного напряжения 1% или 2 %
Температурный диапазон: от — 40 °C до +125 °C
Применение
Источники питания
Промышленность
Автомобили

Купить TL431

Описание
TL431 и TL432 — регулируемые стабилитроны с гарантированной стабильностью в рабочем диапазоне температур. Температурный диапазон расширен для автомобильной версии (от — 40 °C до +125 °C). Выходное напряжение может быть установлено в диапазоне от 2.5 В до 36 В с помощью двух внешних резисторов. TL431 и TL432 могут работать в широком диапазоне токов от 1 мА до 100 мА c полным динамическим сопротивлением 0.22 Ом. Отечественным налогом является микросхема 142ЕН19.
Типы корпусов
Читать далее про TL431
Описание
LM217, LM317 — монолитные интегральные схемы в корпусах TO-220, TO-220FP и D²PAK , предназначенные для использования в качестве стабилизаторов напряжения. Могут поддерживать ток в нагрузке более 1.5 А и регулируемое напряжение в диапазоне от 1.2 В до 37 В. Номинальное выходное напряжение выбирается с помощью резистивного делителя, что делает использование устройства очень простым. Отечественным аналогом является микросхема КР142ЕН12А.
Свойства
Выходное напряжение от 1.2 В до 37 В
Выходной ток 1.5 А
0.1 % отклонение регулировки в линии и нагрузке
Изменяемое управление для высоких напряжений
Полный набор защиты: ограничение тока; отключение при перегреве; контроль качества SOA
Читать далее о lm217-LM317
1. Общее описание
Планарный пассивированный управляемый вентиль, работающий в четырех квадрантах, в пластиковом корпусе SOT78 (TO-220AB), предназначен для использования в общих целях двунаправленной коммутации и фазового управления. Этот управляемый вентиль «серии E» — симистор предназначенный для того, чтобы сопрягать напрямую микроконтроллеры, логические микросхемы и другие маломощные переключающие схемы.
2. Особенности и преимущества
• Прямое включение от маломощных драйверов и логических ИС
• Возможность блокировки высокого напряжения
• Планарно пассивированы для точного и стабильного напряжения
• Управляемый вентиль
• Срабатывание во всех четырех квадрантах
3. Применение
• Общие цели управления двигателем
• Общие цели переключения Читать далее про BT138-600
ВЫСОКОЕ РАБОЧЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ (±40В)
ДМОП УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ
ВЫСОКАЯ ВЫХОДНАЯ МОЩНОСТЬ (ДО 100Вт ЗВУКОВОЙ МОЩНОСТИ)
ФУНКЦИЯ РЕЖИМА ОЖИДАНИЯ
НЕТ ШУМА ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ ВКЛ/ВЫКЛ
НЕТ BOUCHEROT ЯЧЕЕК
ОЧЕНЬ НИЗКИЙ УРОВЕНЬ ИСКАЖЕНИЙ
ОЧЕНЬ НИЗКИЙ УРОВЕНЬ ШУМА
ЗАЩИТА ОТ КОРОТКОГО ЗАМЫКАНИЯ
ОТКЛЮЧЕНИЕ ПРИ ПЕРЕГРЕВЕ
ОПИСАНИЕ
TDA7294 это монолитная интегральная схема в исполнении Multiwatt15, предназначенная для использования в HI-FI усилителях класса AB (Home Stereo, автономных акустических системах, высококлассных ТВ-приемниках). Благодаря широкому диапазону напряжений и высокой токонесущей способности, она способна поддерживать максимальную мощность для обеих нагрузок 4 Ом и 8 Ом даже при плохом источнике питания. Встроенная функция задержки включения упрощает дистанционное управление, избегая шумов при переключении режимов вкл/выкл. Читать далее про TDA7294
1 Характеристики
Готовый ШИМ — контроллер
Незадействованные выводы для 200 мА приемника или источника тока
Выбор однотактного или двухтактного режима работы
Внутренняя схема запрещает двойной импульс на выходе
Изменяемое время задержки обеспечивает контроль всего спектра
Внутренний регулятор обеспечивает 5 В стабильного напряжения с допуском 5%
Схема архитектуры позволяет легко синхронизироваться
Читать далее про TL494
rudatasheet.ru
что такое, где взять и как пользоваться
В речи людей, связанных с электроникой, встречается фраза: «Нужно посмотреть даташит». Что такое имелось в виду и где взять пресловутый даташит?
Словечко заимствовано из английского языка и оригинально записывается как datasheet. Если перевести его на русский, дословно получится «лист с информацией». Документ составляют на различные устройства и электронные компоненты. Поэтому правильно говорить, что даташит – это техническая документация, подготовленная производителем.
Поиск даташит электронных компонентов
Возможно, станет понятно, что такое даташит микросхемы, после того как он будет открыт. Но вопрос: «Где его взять?»
В Советском Союзе документация стандартизировалась. Если требовалось найти информацию о транзисторе или микросхеме, нужно было взять соответствующее руководство. Сегодня необходимость в справочниках отпала. Их заменили поисковые системы – достаточно вбить слово datasheet и указать название требуемого устройства. Второй вариант получить даташит – зайти на сайт, где собрана документация, и на нём уже провести поиск.
Спецификации на компоненты предоставляются в виде pdf-файлов. Открыть их можно непосредственно в браузере.
Первая страница даташита
После того как документ загружен на компьютер, нужно открыть даташит. Что такое он содержит, на что обратить внимание первую очередь?
Начинать следует с первой страницы. На ней приводится информация, подчёркивающая уникальность конкретного устройства, например широкий частотный диапазон, пониженное энергопотребление, малый темновой ток.
Начальная страница технической спецификации содержит:
Следует заметить, что приводимой информации не всегда бывает достаточно, поэтому доверять ей полностью не стоит. Ответы на возникающие вопросы необходимо искать в соответствующих разделах документа. Цель первой страницы – дать представление о нём, то есть рассказать, что такое.
Даташит транзистора по сравнению с аналогичным документом для микросхем невелик, поэтому на первой странице сразу же указывают информацию о его параметрах и подключении.
Содержание документа
Наиболее часто пользователи спрашивают про даташит: «Что такое и как его читать?» Если первый вопрос был рассмотрен, то второй ещё предстоит изучить.
Инженеры-электронщики обращают внимание на следующие разделы документа.
Описывает назначение каждого пина микросхемы или транзистора. Проектировщику важны выводы под маркировкой Vcc и GND. Первый из них предназначен для подачи питающего напряжения (чаще всего +5 В), второй – для подключения «земли». Микроконтроллеры могут иметь несколько таких выводов. Их расположение зависит от типа корпуса (PDIP/TQFP/ MLF).
Схема устройства (Block Diagram).
Изображает внутреннее содержание компонента. Например, для микроконтроллера показываются входящие в его состав память, генератор тактовой частоты, порты ввода-вывода.
Схема включения (Circuit Schematic).
Определяет типовое подключение устройства. На практике схемы отличаются от приводимых в документации, поскольку в каждом конкретном случае микросхема или транзистор являются частью сложного электронного устройства, в котором должны учитываться все его составляющие.
Температурные и электрические параметры.
Данные величины приводятся в виде графиков, отражающих зависимость одного параметра от другого.
Заключительные рекомендации
Начинающий разработчик электронной аппаратуры не всегда понимает, как читать даташит, что такое схема устройства и зачем нужна цоколёвка. Тем не менее рекомендуется читать справочные материалы при разработке нового прибора или ремонте вышедшего из строя оборудования.
fb.ru

Буквенное обозначение		Параметр
Отечественное	Международное	Параметр
I_КБО	I_CBO	Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
I_ЭБО	I_EBO	Обратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
I_КЭO	I_CEO	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы.
I_КЭR	I_CER	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
I_КЭК	I_CES	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
I_КЭV	I_CEV	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер.
I_КЭX	I_CEX	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер.
I_{K max}	I_C max	Максимально допустимый постоянный ток коллектора.
I_Э max	I_E max	Максимально допустимый постоянный ток эмиттера.
I_Б max	I_B max	Максимально допустимый постоянный ток базы.
I_{К , и max}	I_CM max	Максимально допустимый импульсный ток коллектора.
I_{Э , и max}	I_EM max	Максимально допустимый импульсный ток эмиттера.
I_КР	—	Критический ток биполярного транзистора.
U_{КБО проб.}	U_{(BR) CBO}	Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
U_{ЭБО проб.}	U_{(BR) ЕBO}	Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
U_{КЭО проб.}	U_{(BR) CEO}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы.
U_{КЭR проб.}	U_{(BR) CER}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер.
U_{КЭK проб.}	U_{(BR) CES}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
U_{КЭV проб.}	U_{(BR) CEV}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в цепи база-эмиттер.
U_{КЭХ проб.}	U_{(BR) CEX}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер.
U_{КЭО гр}	U_{(L) CEO}	Граничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
U_смк	U_pt	Напряжение смыкания транзистора.
U_{КЭ нас}	U_{CE sat}	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и коллектора.
U_{БЭ нас}	U_{BE sat}	Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера.
U_{ЭБ пл}	U_EBfl	Плавающее напряжение эмиттер-база — напряжение между эмиттером и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера.
U_{КБ max}	U_{CB max}	Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база.
U_{КЭ max}	U_{CE max}	Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер.
U_{ЭБ max}	U_{EB max}	Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
U_{КЭ, и max}	U_{CEM max}	Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер.
U_{КБ, и max}	U_{CBM max}	Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база.
U_{ЭБ, и max}	U_{EBM max}	Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база.
P	P_tot	Постоянная рассеиваемая мощность транзистора.
P_ср	P_AV	Средняя рассеиваемая мощность транзистора.
P_и	P_M	Импульсная рассеиваемая мощность транзистора.
P_K	P_C	Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
P_{K, τ max}	—	Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.
P_вых	P_out	Выходная мощность транзистора.
P_{и max}	P_M max	Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
P_K max	P_C max	Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
P_{K ср max}	—	Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора.
r_b	r_bb , r_b	Сопротивление базы.
r_{КЭ нас}	r_{CE sat}	Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером.
с_11э, с_11б	c_11e, c_11b	Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
с_22э, с_22б	c_22e, c_22b	Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
c_к	c_c	Емкость коллекторного перехода.
c_э	c_e	Емкость эмиттерного перехода.
f_гр	f_T	Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером.
f_max	f_max	Максимальная частота генерации.
f_h31э, f_h31б	f_h31e, f_hfe;f_h31b, f_hfb	Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой.
t_вкл	t_on	Время включения.
t_выкл	t_off	Время выключения.
t_зд	t_d	Время задержки.
t_нр	t_r	Время нарастания.
t_рас	t_s	Время рассасывания.
t_сп	t_f	Время спада.
h_11э, h_11б	h_11e, h_11b;h_ie, h_ib	Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_21э, h_21б	h_21e, h_21b;h_fe, h_fb	Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_12э, h_12б	h_12e, h_12b;h_re, h_rb	Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_22э, h_22б	h_22e, h_22b;h_oe, h_ob	Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
\|h_21э\|	\|h_21e\|	Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте.
h_11Э	h_11E,h_IE	Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы с общим эмиттером.
h_21Э	H_11E,H_FE	Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала.
Y_21Э	Y_21E	Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером.
Y_11э, Y_11б	Y_11e, Y_11b;Y_ie, Y_ib	Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_12э, Y_12б	Y_12e, Y_12b;Y_re, Y_rb	Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_21э, Y_21б	Y_21e, Y_21b;Y_fe, Y_fb	Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_22э, Y_22б	Y_22e, Y_22b;Y_oe, Y_ob	Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
S_11э, S_11б, S_11к	S_11e, S_11b, S_11c; S_ie, S_ib, S_ic	Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_12э, S_12б, S_12к	S_12e, S_12b, S_12c; S_re, S_rb, S_rc	Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_22э, S_22б, S_22к	S_22e, S_22b, S_22c; S_oe, S_ob, S_oc	Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_21э, S_21б, S_21к	S_21e, S_21b, S_21c; S_fe, S_fb, S_fc	Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
—	f_se, f_sb, f_sc	Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S_21е = 1, S_21b = 1, S_21c= 1.
К_{у, р}	G_p	Коэффициент усиления мощности.
—	G_A, G_a	Номинальный коэффициент усиления по мощности.
К_ш	F	Коэффициент шума транзистора.
τ_к(r’_бС_к)	τc(r’_bbС_c)	Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
T_окр	T_A, T_amb	Температура окружающей среды.
T_к	T_c , T_case	Температура корпуса.
T_п	T_j	Температура перехода.
R_{т, п-с}	R_thja	Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
R_{т, п-к}	R_thjс	Тепловое сопротивление от перехода к корпусу.
R_{т, к-с}	R_thса	Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде.
τ_{т, п-с}	τ_thja	Тепловая постоянная времени переход-окружающая среда.
τ_{т, п-к}	τ_thjс	Тепловая постоянная времени переход-корпус.
τ_{т, к-с}	τ_thса	Тепловая постоянная времени корпус-окружающая среда.