Содержание

Ультрафиолетовая лампа для домашнего использования

Способность ультрафиолетового излучения эффективно бороться со многими микроорганизмами наиболее полно была раскрыта во второй половине ХХ века. В те годы наравне с бурным развитием источников искусственного света учёным удалось сделать ряд открытий, благодаря которым ультрафиолет проник в разные сферы жизнедеятельности человека. Сегодня купить УФ лампу так же просто, как и любой другой осветительный прибор. Об особенностях ламп, работающих в фиолетовом диапазоне, их видах и сфере применения пойдёт речь в этой статье.

Разновидности

Источником естественного УФ электромагнитного излучения является солнце. Мощность его коротковолновых лучей достаточно велика, но большая часть из них поглощается земной атмосферой. Поверхности земли достигает лишь длинноволновой ультрафиолет и менее 10% лучей среднего диапазона. Вообще, весь УФ спектр разделяют на три диапазона:

  • длинноволновой (UVA) – 400-315 нм;
  • средневолновой (UVB) – 315-280 нм;
  • коротковолновой (UVC) – 280-100 нм.

Каждый из них обладает уникальным фотобиологическим действием, что сказывается на области применения.

Самым распространённым источником искусственного ультрафиолетового излучения являются люминесцентные лампы. За счет подбора химического состава стеклянной колбы и напыления можно добиться прекрасной пропускной способности волн в узком спектре. Изготавливаемые сегодня УФ люминесцентные лампы насчитывают десятки видов, различных по форме и назначению. Наравне с лампами дневного света они содержат ртуть, что является их недостатком.

Наибольших успехов в области производства люминесцентных источников света достигла Philips. Например, лампа для обеззараживания воздуха типа TUV-15W-G15-T8 имеет максимум излучения на 253 нм. Данная длина волны наиболее эффективно поглощается молекулами ДНК большинства микроорганизмов, тем самым разрушая их.

Особенностью этой модели от Philips является наличие незначительного излучения в фиолетовом и зеленом спектре (не более 5%), что позволяет пользователю видеть свет работающей лампы.

Параллельно с развитием светоизлучающих диодов прогрессировали и ультрафиолетовые диоды (UV led). Многим известно, что кристалл белого светодиода кроме полезного видимого спектра, излучает также ультрафиолетовую составляющую, которая затем блокируется люминофором. Таким образом, изменяя химический состав защитного слоя, можно корректировать испускаемый светодиодом спектр частот. Ныне выпускаемые УФ излучающие диоды по надёжности ничем не уступают обычным светодиодам и имеют мощность в несколько ватт.

Особенность ультрафиолетовых диодов состоит в том, что они работают в очень узком диапазоне с пиком на длине волны, указанной в документации. Отсутствие всплесков на других длинах волн как в видимом, так и в невидимом спектре, достигается за счёт высококачественного люминофорного покрытия.

К преимуществам UV led можно отнести возможность самостоятельного изменения мощности излучения. Правда, для этого необходим драйвер с возможностью регулировки тока в широких пределах. Например, ультрафиолетовый диод LTPL-C034UVh465 от компании LITEON на номинальном токе 700 мА имеет мощность излучения порядка 900 мВт, на токе 350 мА – 468 мВт, а на токе 100 мА – 126 мВт. Таким образом, пользователь может сам задавать подходящий режим излучения, что невозможно реализовать в светильниках с люминесцентными лампами.

Среди газоразрядных источников света существует несколько видов ртутно-кварцевых ламп, работа которых основана на свечении аргона в парах ртути. На их основе конструируют облучатели с огромной полезной мощностью (100-12000 Вт), которая востребована для обеззараживания воздуха, пищевых продуктов и при фотохимических процессах. Из недостатков ДРТ ламп стоит отметить – наличие ртути и образование озона в процессе работы.

Одним из новых источников УФ волн является эксимерная лампа, которая относится к классу газоразрядных источников света. У эксиламп сразу несколько преимуществ. Они не содержат ртуть, обладают большой удельной мощностью, которую можно легко направить в узкую полосу излучения. Благодаря отсутствию ртути, эксилампы быстро нашли применение во многих сферах, нуждающихся в ультрафиолетовом облучении.

Для чего применяются УФ лампы?

Известное многим медицинское применение ультрафиолетовых люминесцентных ламп – далеко не единственное направление, хотя и наиболее масштабное. Самый наглядный пример того, где применяют УФ лампы, – это обеззараживание воздуха. Стационарные светильники с лампами из прозрачного кварцевого стекла можно увидеть во многих кабинетах медицинских учреждений.

С помощью кварцевания медикам удаётся быстро очищать воздух от бактерий после приёма (лечения) больных. Бактерицидные лампы с пиковой длиной волны 253,7 нм являются составной частью светильников-облучателей и рециркуляторов. Однако с их помощью невозможно уничтожить все бактерии и грибки.

Ультрафиолет доказал свою эффективность в лечении кожных заболеваний, в частности псориаза. Регулярное прохождение восстановительного курса переводит болезнь в стадию ремиссии, намного улучшает состояние кожи больного. После консультации с доктором и подбора облучателя с оптимальной длиной волны в диапазоне UVA, процедуры можно проводить в домашних условиях.

Не менее популярны ультрафиолетовые лампы для загара. Это могут быть целые комплексы для равномерного облучения всего тела, установленные в солярии или миниатюрные аппараты для домашнего использования. Например, известный многим ОУФК-03 «Солнышко» функционирует на длинах 280-400 нм, что сопоставимо с воздействием солнечных лучей.

При правильном использовании аппараты для загара компенсируют нехватку солнечного света в зимний период, повышают иммунитет, снижают риск простудных заболеваний, улучшают состояние кожи. Перед покупкой лампы для загара нужно проконсультироваться с врачом, т.к. ультрафиолет противопоказан в ряде заболеваний.

Массовый интерес к гелевым лакам стал причиной популяризации УФ ламп для сушки ногтей. Они работают в длинноволновом спектре, отличаются сравнительно небольшой мощностью и базируются на газосветных лампах или на UV led. Наибольшее практическое применение УФ диоды нашли как раз в светильниках для сушки ногтей.

Воздействие ультрафиолета на растения нельзя назвать однозначным. С одной стороны флора нормально переносит естественный солнечный свет, а значит, способна противостоять искусственному облучению. С другой стороны UVC полностью разрушает клетки, уничтожая их даже при незначительном воздействии. Опыты показывают, что жизнь растений зависит от длины волны и интенсивности УФ лучей. Кратковременное UVB облучение (не более 20 мин/день) усиливает рост растений и их плодов. UVA спектр вообще не оказывает влияния на подавляющую часть зелёной природы.

Отсюда напрашивается вывод. Для более эффективного роста растений в домашних условиях лучше использовать подсветку не на УФ лампах, а на фитосветодиодах. Волновой спектр фитосветодиода имеет два максимума интенсивности в фиолетовой и красной зоне, к которым наиболее чувствителен хлорофилл.

Некоторые животные также не могут обойтись без регулярного воздействия ультрафиолета. Например, сухопутные черепахи, которых часто содержат в домашних условиях. Черепахам подходят модели, излучающие до 12% UVB и до 30% UVA.

Принцип обеззараживания воздуха используется и для очистки воды. С этой целью используют установки, внутри которых, вокруг работающей УФ лампы, протекает вода. В результате UVC действия на микроорганизмы, их превалирующая часть погибает.

В криминалистике, а также для подтверждения подлинности купюр используют лампу чёрного света, которая излучает ближний ультрафиолет, максимально приближённый к видимой части спектра (350-400 нм). За счёт колбы из тёмного увиолевого стекла, её лучи не воспринимаются человеческим глазом. Но при облучении некоторых предметов, они начинают флуоресцировать в свете чёрной лампы.

Синяя лампа, активно используемая для лечения простудных заболеваний, не излучает в ультрафиолетовом спектре. Это обычная лампа накаливания со стеклом синего цвета, которое защищает глаза от ослепления во время прогревания ЛОР органов.

Немного о пользе и вреде УФ лампы в доме

Ультрафиолетовая лампа для домашнего использования непременно принесет пользу, если её применять по назначению. Например, УФ светильник для загара в доме – это возможность в любое удобное время пользоваться услугами солярия, не покидая домашних стен. В то же время, пренебрегая правилами пользования, можно легко получить ожог кожи.

Неважно, какой волновой диапазон, интенсивность и назначение ультрафиолетовой лампы. Во включенном состоянии каждая из них оказывает негативное воздействие на зрение. По этой причине для защиты глаз необходимо надевать специальные очки, блокирующие 100% ультрафиолета, но пропускающие видимый спектр.

УФ облучатели, содержащие ртуть, необходимо хранить в специально отведённом месте, вдали от детей и защищённом от случайного механического воздействия. Если ртутная лампочка каким-то образом разбилась, то следует принять меры по сбору опасных осколков. Об этом мы подробно писали в этой статье.

Основные нюансы правильного выбора

Желательно приобретать для домашнего пользования облучатели в закрытом корпусе, чтобы защитить себя от прямого контакта с лампой, а также обращать внимание на мощность и производителя источника UV излучения. От этого зависит стабильность её электрических параметров на протяжении срока эксплуатации. При неисправностях УФ светильника стоит обратиться за помощью к профессионалам.

Из всего написанного можно сделать один больной вывод. Ультрафиолет даже в пределах одного волнового диапазона может оказывать положительное действие на одни организмы и губительное – на другие. Разновидностей ультрафиолетовых ламп очень много. Поэтому покупать УФ лампу нужно только с точной маркировкой мощности и длины волны, чтобы избежать неприятных последствий.

Ультрафиолетовые светодиоды: принцип работы, сферы применения

В то время как обычные светодиоды повсеместно приходят на смену лампам накаливания, ультрафиолетовые светодиоды активно завоевывают те ниши, где не так давно использовались люминесцентные и газоразрядные УФ-лампы: медицину, косметологию, очистные сооружения для воды, судебно-медицинские кабинеты и так далее.

Принцип действия УФ-светодиодов

Ультрафиолетовое излучение — невидимое глазом электромагнитное излучение, занимающее спектральный диапазон между видимым и рентгеновским излучениями, ниже видимого спектра. Принцип действия УФ-светодиодов принципиально не отличается от обычных светоизлучающих светодиодов (излучение возникает под воздействием постоянного тока), однако для их создания используют определенные присадки, например, арсенид галлия алюминия, а также нитрид галлия, алюминия, индия. При этом готовые светодиоды имеют спектр излучения от 100 до 400 нм (так называемая «ближняя область УФ-диапазона»), где длина волны зависит от материала полупроводника.

Технические характеристики

Срок службы УФ-светодиода может достигать 50 тыс. часов, температура эксплуатации – от минус 20 до плюс 100 градусов Цельсия.

Номинальные рабочие токи — от 20 мА (для маломощных диодов), 350 и 700 мА и больше (для более мощных). Использование стандартных токов позволяет применять обычные источники питания при изготовлении и монтаже ультрафиолетовых световых приборов.

Варианты исполнения

При малой мощности УФ-светодиоды могут быть выполнены в стандартных корпусах индикаторных светодиодов.

Диоды большей мощности выпускаются в корпусах типа «эмиттер» или других стандартных корпусах.

Обязательным условием для корпуса является хорошая система охлаждения, вплоть до использования вибрирующих мембран или мини-вентиляторов, так как ультрафиолетовые светодиоды лишь четвертую часть получаемой энергии трансформируют в свет, а остальные три – в тепло. Перегрев любого светодиода, в том числе, ультрафиолетового, негативно сказывается на его работе и приводит к выходу диода из строя.

Также поверхность светового прибора, на который крепится светодиод или светодиодный модуль, не должна иметь металлической основы. Такая основа негативно влияет на коэффициент излучения, снижая КПД работы.

Применение УФ-светодиодов

Как уже было сказано выше, ультрафиолетовые светодиоды используются в тех же областях, где ранее применялись УФ-лампы, но в отличие от ламп, диоды имеют меньшие размеры и потребляемую мощность, а также более длительный срок работы.

УФ-светодиоды применяются:

  • В медицине. Например, в стоматологии зачастую используются пломбы, отвердевающие при воздействии ультрафиолета. Другая область медицинского применения – световая терапия. Физиопроцедуры с использованием УФ-излучения назначаются жителям Крайнего Севера (где наблюдается дефицит солнечного света), детям в период реабилитации после различных заболеваний, новорожденным при повышенных показателях билирубина в крови («желтуха новорожденных»).
  • В промышленности. Существуют различные виды фоточувствительных веществ (в частности – клеев) и композитных составов, которые полимеризуются под воздействием УФ-лучей. Также данное излучение используется при производстве лекарственных препаратов.
  • Для дезинфекции инструментов (в медицине, косметологии), воды (в отличие от хлора, обработка УФ-излучением не влияет на ее вкусовые качества и состав), воздуха в помещениях. Ультрафиолет эффективно убивает вредные для человека бактерии и вирусы.
  • В криминалистике. Специальной краской, которая светится в ультрафиолетовых лучах, оставляют метки на купюрах, когда нужно доказать факт получения взятки. Также при помощи УФ-лучей криминалисты могут обнаружить следы крови и других биологических жидкостей на одежде подозреваемых или в помещении, где проходит обыск.
  • В банковском деле. Специальные счетные машины могут одновременно подсчитывать количество купюр и проверять их подлинность.
  • В косметологии. Например, в УФ-соляриях и лампах для сушки ногтей, а также при проведении различных процедур.
  • Для выращивания растений. Ультрафиолет значительно ускоряет производство полифенолов в листовых овощах, делая их более полезными для человека без применения специальных препаратов.
УФ- лампа для сушки ногтей

Также проводятся исследования, по результатам которых планируется применять ультрафиолет для профилактики и лечения онкологических заболеваний. Изучаются антимутагенные свойства УФ-лучей. Разрабатываются новые полимеры, свойства которых можно изменять в нужную сторону при помощи УФ-излучения.

Видео

Видео, в котором рассказывают про полезные свойства ультрафиолетовых лучей. Лечение простуды ультрафиолетом, действительно ли это помогает?

Можно предполагать, что в настоящее время люди используют лишь ограниченную часть возможностей ультрафиолета. А значит, технологии будут развиваться и дальше, делая УФ-диоды все более удобными, мощными и доступными по цене.

Светодиодные лампы без вредного ультрафиолета.

Светодиодное освещение

Вредны ли светодиодные лампы для здоровья или, наоборот, оказывают положительное влияние на человека? Такой вопрос широко обсуждается среди потенциальных потребителей, в научных кругах, в СМИ.
По мнению противников светодиодных ламп, негативное влияние на здоровье может оказать отсутствие в спектральном составе излучения светодиодных ламп ультрафиолетового спектра.
Как известно, в спектрально составе солнечного света ультрафиолет присутствует. Длина волн ультрафиолетового излучения от 10 до 400 нМ.

Светодиоды белого света с цветовой температурой 4000 (нейтральный) и 5000-6500 (холодный белый) лишены ультрафиолетового спектра. Длина излучаемых ими волн распространяется в видимом глазу диапазоне от 400 до 700-750 нМ.


Отсутствие вредного ультрафиолетового излучения всегда выдвигалось как преимущество светодиодов как источника света. Однако, противники применения светодиодов считают, что идеальный для человека источник света должен быть приближен по спектру излучения к солнечному свету, т.е. включать в себя в том числе и вредный ультрафиолет.
При необходимости, используя светодиоды, можно добиться самых разнообразных спектров излучения. Например, использование красных и синих светодиодов в сочетании позволяет создать спектр излучения, способствующий ускоренному росту растений. Такие светодиодные светильники используются в теплицах. Понятно, что такой свет для нас с вами ничего хорошего не обещает.
Попытки производителей светодиодных ламп и светильников искусственно добавить в свои осветительные приборы источники ультрафиолетового излучения привели к тому, что к кристаллам белого цвета стали добавлять кристаллы синего и красного цветов. Такое сочетание позволяет создать излучение в длинах волн схожих с солнечным светом. Однако, на мой взгляд такие попытки являются полным абсурдом. Судите сами – человечество стремится всячески защитить себя от вредных воздействий ультрафиолетового излучения. Крема и косметические средства, солнцезащитные очки с UV-фильтрами, даже стекла в автомобилях обязательно имеют UV-защиту. Что уж говорить о современных источниках света! Галогенные и металлогалогеные лампы обязательно имеют защиту от ультрафиолета! Что же получается? В светодиодные лампы без ультрафиолетового спектра мы сначала добавим ультрафиолет, а затем придумаем на них фильтр, защищающий от его вредного воздействия? ..
С.Исполатов
СТК Системы освещения

Лед и УФ лампы, их преимущества и отличия. Какую же лампу выбрать.

На сегодняшний день рынок предоставляющий различного рода лампы переполнен моделями разного дизайна, разной мощности и конечно новшествами с системой лед излучения. Голова идет кругом. Что выбрать? Как не ошибиться в выборе? Давайте разберемся в чем принципиальные отличия новинки от “старинки”.  Сейчас многие мастера ногтевого сервиса отдают предпочтения лед лампам из-за их преимуществ :

1. Не нужно каждые пол года менять лампочки (элементы). Светодиоды служат очень долго, порядка 10 лет, за счет того что у них нет элементов горения, которые перегорают в обычных лампах. Напомним, что светодиод это полупроводниковый прибор (кристалл) который при минимальном напряжении вызывает свечение

2. В отличии от уф лампочек (элементов) которые сделаны из стекла, светодиод более устойчив к внешним механическим воздействиям, поэтому не требует бережной перевозки, когда мастер выезжает на дом к клиенту

3.  Светодиоды потребляют минимум электроэнергии

4. Быстрее просушивают материал. Все зависит от мощности о которой мы с вами  поговорим отдельно немного позже.

5. Светодиод не содержит ртути и свинца не требуя тем самым специальной утилизации в отличии от уф ламп

6. Лед лампы не нагреваются

7. И самое главное! Светодиодные лампы безопасны для здоровья. Рассмотрим почему: все дело в спектре излучаемого света

На картинке №1 мы видим, что присутствует рентгеновское и опасное для здоровья уф излучение. Конечно же за один день использования уф ламп для ногтей ни чего не будет, но если задуматься как отразится на здоровье мастера и его будущих детей при использовании ламп 5, 10, 15 лет ни кто не знает, а если и знает то промолчит ведь в любой работе есть определенная степень вредности. Но каждый мастер должен любить себя и не жить одним днем заботясь в первую очередь о своем здоровье. Эти тонкости профессии нужно знать. 

UVC – это опасная часть диапазона, она разрушает ДНК организма и при длительном воздействии на кожу человека, может привести к раку кожи. Принцип работы ламп состоит в том, что возбужденные атомы ртути испускают ультрафиолетовые волны длинной  от 253,7Нм до 185Нм, которые попадая на люминофор, нанесенный на внутренней поверхности лампы, заставляют его светиться  в видимом для человеческого глаза диапазоне.

UVB – это волны, которые позволяют нашей коже получить загар. Есть даже специальные люминесцентные «лампы для загара», со специальным люминофором, преобразующим UVC излучение в UVB, которые используют соляриях SPA салонов. К слову, UVB излучение, так же «несет ответственность » за выгорание красок на шторах, как под воздействием  солнечных лучей.

UVA – это тип ультрафиолетового света, используемый для создания эффекта свечения в темноте (дискотеки, бары, боулинг…).

 Все эти типы uv волн присутствуют в уф лампах для наращивания ногтей. Вы скажете что за столько лет ни кто не “умер” от использования ламп. А разве кто нибудь подумает о том что маленькая безобидная лампа могла спровоцировать какую либо болезнь или опухоль, в первую очередь все жалуются на экологию, стрессы, генетику и т.д.

Ведь о вреде ультрафиолета даже в небольших дозах особо ни кто не распространяется, только по факту знают люди страдающие заболеваниями эндокринной системой или опухолевыми заболеваниями.

Вы не подумайте что я хочу вас напугать, не в коем случае. Каждый мастер должен знать чем он платит за свой доход. Вы работаете с тоннельными лампами? Рассеянный ультрафиолет который отражается от поверхностей и усиливает свое действие, тоже очень вреден. 

Другое дело лед излучение.


Рассмотрим рисунок 2, здесь мы видим отсутствие рентгеновского излучения  и присутствие ультрафиолета, но почему именно здесь он не страшен? Лед луч имеет наибольшую мощность в том месте где помечено буквой  h то есть это в зоне инфракрасного излучения которое не имеет вредного влияния на организм человека. А вот интенсивность уф импульсов здесь сведена к минимуму , безопасному для здоровья в любых количествах. Не будем забивать вам голову скоростью фотонов. Скажем одним словом: лед лампы абсолютно безопасны для здоровья как клиента так и мастера и не имеют противопоказаний к использованию даже у онкобольных.

Одним словом уф лампа – это яркое обеденное вредное солнце, а лед лампа это свет через тучи в пасмурный день.

Почему лед лампы сушат быстрее чем уф? Все дело в специфике луча света запускающего реакцию и фотоинициаторов, веществ входящих в состав материала. Признано считать что лед лампа сушит в 4 раза быстрее чем уф, но нужно обращать внимание на мощность лед ламп. Если мы возьмем лед лампу 9 вт то она приравняется по мощности и скорости полимеризации к 36 вт уф лампе, это соотношение очень важно помнить. Что касается лед ламп, то в них разница всего в несколько ватт имеет большую роль во времени полимеризации материала. Если производитель указал время отверждения 10-30 секунд, то это наверняка для мощных ламп и это не значит, что такое же время понадобится для ламп меньшей мощности.

Почему не все гели сохнут в лед лампах? В лед лампах 36 вт сохнут абсолютно все гели, но это очень дорогое удовольствие. А вот меньшей мощности ультрафиолета недостаточно даже для того, чтоб запустить реакцию отверждения, здесь нужны фотоинициаторы не только уф но и лед. Обычно это светочувствительные материалы на которых производитель указал, что это uv/led , такие гели полимеризуются при минимальном излучении даже на обычном свету и их нужно держать закрытыми, подальше от света.

Как узнать время отверждения uv/led материала в вашей лампе?

Посмотрите на время полимеризации в 36 вт уф лампе. Например это 2 минуты.

Посмотрите на мощность вашей лед лампы, если она 9 вт то время полимеризации 2 мин.

Если мощность лед лампы 18 вт, то время полимеризации составляет 1 мин.

Если мощность лед лампы 36 вт то время отверждения будет составлять 30 сек а то и меньше в зависимости от толщины слоя.

Необходимо знать! выделение тепла при застывании геля это реакция движения частиц при построении полимерной сетки. И от нагрева ни куда не деться. И чем быстрее протекает реакция, тем больше происходит выделения тепла. По этому при использовании мощных лед ламп нужно помнить об этой особенности, для того чтоб не сделать ожога ногтевых пластин клиенту, жжет сильнее чем в уф лампе.

Из недостатков можно выделить :

1. высокая стоимость

2. на сегодняшний день не вся продукция переведена на uv/led формулу поэтому наблюдается дифицит ассортимента. Но, что касается продукции Формула Профи, то практически все материалы имеют uv/led формулу.

Надеемся, что в этой статье вы нашли много полезной для себя информации. Ну а выбор уф или лед конечно же остается за вами. Советуем иметь в наличии обе лампы, чтоб ваши клиенты видели вашу заботу и профессионализм, которые будут отличать вас от мастера работающего в соседнем салоне.

Горячих вам трудовых деньков и улыбчивых клиентов.

Какая лампа для маникюра лучше: ультрафиолетовая или светодиодная?

Для создания красивого и долговечного маникюра используются лампы для сушки ногтей, которые отличаются способом зажигания, формой, размерами, мощностью, видом задней стенки, наличием полезных функций, производителем и стоимостью. Современная ультрафиолетовая лампа для ногтей представлена широким модельным рядом, в ней используются люминесцентные лампочки, которых может быть одна, две или четыре.

Виды и характеристики УФ-ламп

УФ-лампы для маникюра бывают с электронным или индукционным способом зажигания. Электронные модели отличаются легкостью и компактностью, но они требуют стабильного напряжения в электросети. Приборы индукционного типа более тяжелые, но обеспечивают непрерывную и долговечную работу.

Сегодня используются ультрафиолетовые лампы с 4 лампочками, а для полимеризации каждого слоя необходимо две минуты. В таких моделях есть таймер на две минуты и до бесконечности, и это позволяет мастеру не следить за временем. Периодичность замены лампочек зависит от интенсивности пользования прибором.

Например, при домашнем пользовании их можно менять раз в год, а при большом потоке клиентов минимум раз в полгода. В ультрафиолетовых лампах можно сушить практически любые лаковые покрытия, а для полимеризации требуется разное время в зависимости от вида материала.

На сайте https://naomi24.ua/elektrotovary/ultrafioletovye-lampy-i/ можно выбрать ультрафиолетовую лампу для создания маникюра и наращивания ногтей от известных производителей и с гарантией качества от официального бренда. Профессиональные мастера предпочитают использовать светодиодные приборы, которые позволяют сократить время сушки с двух минут до 30 секунд.

Особенности и преимущества светодиодных ламп

Главными отличиями светодиодной лампы от УФ является повышенная мощность и интенсивность свечения. Поэтому полимеризация каждого слоя не занимает дольше 30 секунд. Это позволяет существенно упростить и ускорить работу мастера, сэкономить время обслуживания.

Это приборы последнего поколения, которые пользуются большой популярностью для создания маникюра любой сложности. К основным преимуществам светодиодов относится их высокое качество, надежная работа, длительный срок службы, производительность, простое и удобное применение.

УФ модели можно просто отремонтировать и заменить лампочки, а замена светодиодов в некоторых случаях равна стоимости самого оборудования. Стоит отметить, что в ЛЕД лампах можно сушить не все виды покрытий, на что следует обратить внимание перед покупкой. Такие лампы безопасны для здоровья, не вызывают раздражений и ухудшений ногтевой пластины.

Ультрафиолетовые и светодиодные приборы вытесняют гибридные модели, в которых совмещены преимущества двух типов. В них можно сушить любые виды лаковых покрытий за короткое время, а наличие переключателя позволяет легко выбрать необходимый режим.

Автор: Реклама INFPOL.RU

Лампа светодиодная УФ/LED 50 Ватт. Супер мощная.

1. Качественно просушивает все виды гелей на 50% быстрее с повышенной мощностью 50 Вт, имеет целевые светодиодные лампы, в кол-ве 28 шт., лампы расположены так, чтобы покрытие просушилось быстро и равномерно. 

2. Новая лампа 50W UV LED для ногтей просушивает более тщательно и быстрее, чем другие лампы с низкой потребляемой мощностью. 

Легко настраивается – 30 с / 60 с (50 Вт) или 90 с (режим низкой температуры 25 Вт) в зависимости от того, что нужно просушить. 

3. Лампа имеет Уникальный инфракрасный свет.
ЧТО ТАКОЕ ИК-ИЗЛУЧЕНИЕ? 

ИК-излучение – это электромагнитное излучение, форма энергии, которая нагревает предметы и примыкает к красному спектру видимого света. Глаз человека не видит в этом спектре, но мы чувствуем эту энергию как высокую температуру. Другими словами, люди кожей воспринимают инфракрасное излучение от нагретых предметов как ощущение тепла. 

ИК-излучения способствует укреплению иммунной системы, подавляет размножение бактерий в окружающей среде и в человеческом организме, улучшает состояние кожи за счет усиления циркуляции крови в ней. Ионизирование воздуха является профилактикой обострений аллергии. 

Лампа имеет 4шт. инфракрасных светодиодных лампочек, в режиме ИК-датчика, лампа излучает красный свет. 

4. Лампа имеет гибкие возможности сушки с 2 режимами и 3 предустановленными таймерами. 
Режим по умолчанию – режим ИК-датчика. С встроенным ИК-датчиком, после установки таймера (30 с / 60 с / 90 с Низкий режим нагрева), 

Вы можете переключиться в режим KEEP ON, нажав кнопку «KEEP ON». Лампа начнет работать после установки таймера. С большим ЖК-экраном вы можете видеть время высыхания геля, гель лака.

5. Лампа с продвинутым профессиональным 365-нм + 395 нм двойным ультрафиолетовым светодиодным источником света, ультрафиолетовая светодиодная лампа может высушить все виды гелей, как UF так и LED, без требований бренда. 

6. Двойная УФ-светодиодная лампа сушит, как синим так и красным светом, в зависимости от выбранного режима. 
– независимо от других ламп для ногтей с одним фиолетовым светом, светодиодная лампа, для ногтей – ближе к естественному светодиодному свету, который не наносит вреда глазам, не перегревается.

Кроме того, срок службы лампы для ногтей составляет до 50000 часов. 
Идеально подходит для домашнего использования или салона. 

УФ светодиодная лампа Magnaflux EV6000

EV6000 представляет собой самую современную светодиодную УФ лампу от MAGNAFLUX. В EV6000, УФ-А излучение генерируется с помощью специальных светодиодов высокой производительности и фокусируется через специально разработанную оптику, чтобы обеспечить ширину луча диаметром 23 см с расстояния в 38 см. Каждая лампа поставляется с сертификатом соответствия изготовителя, который подтверждает, что EV6000 соответствует или превосходит все требования действующих стандартов для использования при проведении люминесцентного капиллярного и магнитопорошкового контроля.

Широкий луч EV6000 позволяет контролировать большие площади более быстро. Специально разработанная оптика обеспечивает интенсивное и равномерное покрытие УФ-А, а встроенный фильтр обеспечивает минимальное излучение видимого спектра.

EV6000 предназначена для работы в жестких условиях в которых работают специалисты по неразрушающему контролю. Изготовлено с использованием материалов стойких к воздействию химикатов, эта лампа имеет усиленную конструкцию и герметичный корпус. Там нет вентилятора системы охлаждения, который может выйти из строя, сделанная на заказ оптика успешно противостоит помутнению.

Компактный, эргономичный и хорошо сбалансированный дизайн. EV6000 весит на 30% меньше, чем ртутные УФ-лампы, уменьшая напряжение и усталость оператора. Светодиоды холодного свечения и пассивный теплоотвод предотвращают любой риск ожогов, что исключает необходимость охлаждающего вентилятора.

Каждая лампа EV6000 индивидуально сертифицированы по последним стандартам ASTM для светодиодных УФ-ламп. Благодаря контролируемых выбросов и интегрального УФ-фильтром, то EV6000 соответствует или превосходит все стандарты Aerospace Prime и OEM для спектра излучения и профиля пучка, в том числе Rolls Royce.

Производство компанииMAGNAFLUX ITW
Артикул для заказа626953: EV6000 лампа с блоком питания
626971: EV6000 только лампа
626952: только блок питания
Максимальная интенсивность излучения (15 см)5000 мкВт/см2
Длина волны365 нм ± 5нм
Типичные размеры пятна (на расстоянии 38 см)пятно 23 см в диаметре, > 1000 мкВт/см2 УФ-А
Спектр излучения
Полная ширина на половине максимума (FWHM)≤ 15 нм
Наибольшая длина волны на половине макс (LWH) ≤ 377 нм
Ширина на половине максимума≤ ± 10 нм
Полная ширина на 10% Максимума (FW10%)≤ 30 нм
Ширина на 10% Максимума≤ ± 15 нм
Возбуждение излучения (347-382 нм)≥ 2000 мкВт/см2
Дрейф длины волны (при повышенной температуре)≤ 5 нм
Рабочая дистанция
ASTMМин. рабочая дистанция ≤ 13 см
RRES 90061Мин. раб дистанция – 38 см
Макс. раб дистанция – 92 см
Типичное видимое излучение
ASTM диапазон (400-760 нм)≤ 2 ft-candles на 38 см
RRES 90061 диапазон (390-800 нм)≤ 20 люкс на 38 см (мин. раб дист)
≤ 5 люкс на 92 см (макс. раб дист)
Рабочая температура окружающей среды5-49 °C макс. при 90% относ. влажности
Время прогрева (условия окружающей среды)моментально
Максимальная температура корпуса
Длина кабеля лампы5,18 м
Длина кабеля питания2,75 м
Вес0,9 кг
Питание100-240 В / 50-60 Гц /
Соответствие стандартамASTM E3022, RRES 90061

УФ-светодиодов – UVA, UVB, UVC Светодиодные лампы

Для поддержки усилий по дезинфекции COVID 19 и других требований UVGI мы в настоящее время поставляем УФ-светодиоды на 275 нм в различных упаковках для проектирования и разработки, а также один полный источник света (УФ-светодиодный модуль с радиатором, блок питания , вентилятор охлаждения и шнур питания).

Наши светодиоды UVC рассчитаны на длину волны 275 нм (270–280 нм) и доступны в нескольких вариантах мощности и стилях.Выбирайте из одиночного, чип-на-плате, полосового или полного модуля источника света, используя приведенную ниже таблицу спецификаций. Оптовые цены доступны для всех позиций, указанных в таблице ниже. Также доступны полосы большей длины с более высокой производительностью. Время выполнения заказа зависит от продукта и составляет от 1 до 6 недель в зависимости от выбранного элемента и требуемого объема.


Светодиоды все чаще используются в устройствах, где УФ-лампы (ртутные, ксеноновые, амальгамные, эксимерные) работают десятилетиями. Улучшения в плотности потока УФ-светодиодов, стабильности и сроках службы сделали УФ-светодиоды жизнеспособным решением для замены традиционных источников УФ-света, таких как ртутные дуговые лампы, дуговые лампы, лампы с горячим и холодным катодом и сеточные лампы.УФ-светодиоды более экологичны, поскольку они не содержат вредной ртути, не производят озон и потребляют меньше энергии. Использование светодиодов UV-C быстро растет в таких областях, как бактерицидные (UVGI) для очистки воздуха, поверхностей и воды.


Примечание: Также доступны светодиоды с другой длиной волны, включая 310 нм, 365 нм и 405 нм (UVA и UVB). Минимальное время покупки и выполнения заказа может быть разным, но обычно начинается с 25 штук и 2-3 недель.Пожалуйста, свяжитесь со службой поддержки клиентов и сообщите длину волны и количество, чтобы получить информацию о ценах и сроках поставки.

* Драйвер ILT-PWRTYLED.3W совместим только со светодиодами E-275-3 и E-275-3-S мощностью 3-6 мВт.

** Драйвер ILT-PWR-12600 совместим только с полосой E275-60. Поддерживает до 2 полосок.

УФ светодиодные приложения

International Light Technologies предлагает светодиоды UVC для различных применений и применений.Наши ультрафиолетовые светодиоды эффективны против вредных бактерий, грибков и вирусов, таких как COVID-19. Ниже приведены некоторые из наиболее распространенных приложений, в которых могут использоваться наши продукты:

  • Бактерицидная (UVGI) очистка
  • Очистка воздуха
  • Стерилизация поверхности
  • Обеззараживание воды
  • Санитарная обработка больниц

Свяжитесь с нами сегодня, чтобы обсудить ваши требования, чтобы мы могли предоставить вам консультацию, наиболее подходящую для ваших нужд.

<Назад ко всем источникам света


УФ-светоизлучающие диоды (УФ-светодиоды) Продукты

Широкий ассортимент УФ-светодиодов можно легко приобрести в нашем интернет-магазине .

Мы предлагаем продукты Violumas и Nikkiso с улучшенными УФ-светодиодами – все с высокой производительностью и надежностью по доступной цене. Наряду с нашими УФ-датчиками и датчиками sglux, Boston Electronics теперь предлагает предприятиям УФ-индустрии лучшие в своем классе источники света и обнаружения УФ-излучения.

Идеальная замена ртутных ламп, УФ-светодиоды могут быть разработаны специально для множества применений.

  • Светодиоды UVA / B / C
    • Доступные длины волн: 265, 275, 280, 285, 310, 365, 375, 385, 395 и 405 нм.
  • SMD упаковка
  • SMD чип на плате (COB)
    • с разъемами
    • борта звездообразные
    • световые полосы
    • нестандартные массивы
  • Фокусирующие линзы:
  • Светодиоды низкого, среднего и высокого классов мощности

UV A / B / C LED доступны для покупки в нашем интернет-магазине .Мы расширяем ассортимент продукции, доступной для продажи через наш интернет-магазин, поскольку мы добавляем полную линейку УФ-SMD-решений Violumas и решений для микросхем на плате (COB) с линзами и без них.

См. Нашу страницу драйвера универсального источника фотонов (ИБП) для получения информации об этом полезном аксессуаре для ваших источников ИК- или УФ-излучения.

Драйвер ИБП можно приобрести в Интернет-магазине

PearlBeam предлагает исследователям возможность проводить исследования ультрафиолетового (УФ) света для построения кривых УФ-дозы на жидкостях и поверхностях, а также легко выполнять исследования, зависящие от длины волны, а также во многих других областях.

Технология ультрафиолетовой дезинфекции

(любезно предоставлено AquiSense)

Технология обеззараживания ультрафиолетом (УФ) была лучшей в области обработки воды и воздуха на протяжении последних двух десятилетий, отчасти благодаря ее способности обеспечивать обработку без использования вредных химикатов.

UV представляет длины волн, которые находятся между видимым светом и рентгеновскими лучами в электромагнитном спектре. УФ-диапазон можно разделить на УФ-А, УФ-В, УФ-С и вакуум-УФ.Часть UV-C представляет длины волн от 200 до 280 нм, которые используются в наших светодиодных дезинфекционных продуктах.

Фотоны УФ-С проникают в клетки и повреждают нуклеиновую кислоту, делая их неспособными к воспроизведению или микробиологически неактивными. Этот процесс происходит в природе; солнце испускает ультрафиолетовые лучи, которые действуют таким образом.

УФ-светодиоды используются для генерации высоких уровней фотонов УФ-С. Лучи направляются на вирусы, бактерии и другие патогены в воде и воздухе или на поверхности, чтобы за секунды обезвредить эти патогены.

Прочитайте больше Все категории

УФ-светодиоды (УФ-светодиоды A / B / C)

Общие сведения о применениях и мерах предосторожности при использовании ультрафиолетовых светодиодов

Ультрафиолетовый свет находится между видимым и рентгеновским спектрами. Ультрафиолетовый диапазон длин волн составляет от 10 до 400 нм; однако многие оптоэлектронные компании также считают, что длины волн до 430 нм находятся в УФ-диапазоне. Ультрафиолетовый свет получил свое название из-за «фиолетового» цвета, который он производит в видимой части спектра, хотя большая часть выходящего ультрафиолетового света не видна человеческому глазу.

Подсветка цветового спектра UV-A, UV-B и UV-C

За последние несколько лет количество ультрафиолетовых светодиодов значительно выросло. Это не только результат технологических достижений в производстве твердотельных УФ-устройств, но и постоянно растущий спрос на экологически безопасные методы получения УФ-излучения, в котором в настоящее время преобладают ртутные лампы. Текущее предложение УФ-светодиодов на рынке оптоэлектроники состоит из продуктов в диапазоне от примерно 265 нм до 420 нм с различными стилями корпуса, включая сквозное отверстие, поверхностный монтаж и COB (Chip-On-Board).У светодиодных УФ-излучателей есть много уникальных применений; однако каждый из них сильно зависит от длины волны и выходной мощности. В общем, УФ-свет для светодиодов можно разделить на 3 основные области. Они классифицируются как УФ-А, УФ-В и УФ-С. (См. Диаграмму ниже)
Имя Аббревиатура Диапазон длин волн
Ультрафиолет А УФ-А 400 – 315 нм
Ультрафиолет B УВ-Б 315-280 нм
Ультрафиолет C УФ-C 280-100 нм
Приложения «Верхние» устройства типа UVA доступны с конца 1990-х годов.Эти светодиоды традиционно использовались в таких приложениях, как обнаружение или проверка подделок (валюта, водительские права, документы и т. Д.) И криминалистика (исследование места преступления) и многие другие. Требования к выходной мощности для этих приложений очень низкие, а фактические длины волн лежат в диапазоне 390–420 нм. В то время более низкие длины волн не были доступны для промышленного использования. Благодаря долговечности на рынке и простоте производства светодиоды этого типа легко доступны из множества источников и являются наименее дорогими из всех УФ-продуктов.В области «средних» компонентов светодиодов UVA наблюдается наибольший рост за последние несколько лет. Большинство применений в этом диапазоне длин волн (приблизительно 350–390 нм) предназначены для УФ-отверждения как коммерческих, так и промышленных материалов, таких как клеи, покрытия и чернила. Светодиоды обладают значительными преимуществами по сравнению с традиционными технологиями отверждения, такими как ртутные или флуоресцентные, благодаря повышенной эффективности, более низкой стоимости владения и миниатюризации системы. Тенденция к использованию светодиодов для отверждения усиливается, поскольку цепочка поставок постоянно подталкивает к внедрению светодиодной технологии.Хотя стоимость этого диапазона длин волн значительно выше, чем у верхней области UVA, быстрое развитие производства, а также увеличение объемов неуклонно снижают цены. «Нижний» диапазон UVA и «верхний» диапазон UVB (приблизительно 300–350 нм) – это самое последнее появление на рынке. Эти устройства обладают потенциалом для использования в различных областях, включая УФ-отверждение, биомедицину, анализ ДНК и различные типы зондирования. Имеется значительное перекрытие во всех трех УФ-диапазонах спектра; Следовательно, необходимо учитывать не только то, что лучше всего подходит для конкретного применения, но и наиболее экономичное решение, поскольку чем меньше длина волны, тем, как правило, выше стоимость светодиода.«Нижний» диапазон UVB и «верхний» диапазон UVC (приблизительно 250–300 нм) – это область, которая все еще находится в зачаточном состоянии, однако существует большой энтузиазм и спрос на этот продукт в системах очистки воздуха и воды. В настоящее время существует лишь несколько компаний, способных производить УФ-светодиоды в этом диапазоне длин волн, и еще меньшее количество компаний, которые производят продукты с достаточным сроком службы, надежностью и рабочими характеристиками. В результате стоимость устройств диапазона UVC / B по-прежнему очень высока, а в некоторых приложениях может быть непомерно высокой.Внедрение первой коммерческой системы дезинфекции на основе светодиодов UVC в 2012 году помогло продвинуть рынок вперед, на котором многие компании сейчас серьезно продвигают продукцию на основе светодиодов. Меры предосторожности Часто задаваемый вопрос относительно ультрафиолетовых светодиодов: представляют ли они угрозу безопасности? Как описано выше, существуют разные уровни УФ-излучения. Одним из наиболее часто используемых и знакомых источников для получения УФ-излучения является «черная лампочка». Этот продукт десятилетиями использовался для создания эффекта свечения или флуоресценции на определенных типах плакатов, а также для других приложений, таких как аутентификация картин и денежных знаков.Свет, излучаемый компанией Understanding Ultraviolet LED Applications and Precautions эти лампы обычно находятся в «верхнем» спектре УФА, который по длине волны ближе всего к видимому диапазону с относительно низкой энергией. Эта часть спектра UVA является самой безопасной из трех различных спектров УФ-света, хотя высокая экспозиция связана с раком кожи у людей, а также с другими потенциальными проблемами, такими как ускорение старения кожи. Светодиоды (в отличие от стандартных ламп накаливания или люминесцентных ламп) также имеют очень узкую направленность и очень узкие углы обзора.Прямой взгляд на ультрафиолетовый светодиод может нанести вред глазам. Лучше всего ограничить воздействие продукта, производящего УФА. УФ-С и большая часть УФ-В-спектров света в основном используются для бактерицидных и стерилизационных целей. Свет, производимый на этих длинах волн, не только вреден для микроорганизмов, но и опасен для людей и других форм жизни, которые могут с ним контактировать. Эти светодиодные лампы всегда должны быть экранированы и никогда не должны быть видны невооруженным глазом, даже если может показаться, что от устройства исходит мало или совсем нет света.Воздействие этих длин волн может вызвать рак кожи и временную или постоянную потерю или ухудшение зрения. Все УФ-устройства должны иметь предупреждающие надписи, аналогичные этикетке, показанной ниже (предоставленной Marktech Optoelectronics). Кроме того, перед покупкой светодиода UVC или UVB многие производители требуют, чтобы каждый покупатель подписал документ, подтверждающий, что они понимают и соглашаются с мерами предосторожности, касающимися использования и обращения с этими продуктами.

Рисунок 3, Схема стандартного светодиода.

Винсент К.Forte – январь 2014 г. Винсент – технический директор Marktech Optoelectronics в Латаме, Нью-Йорк. Он работает в области оптоэлектроники почти 30 лет и является автором или соавтором нескольких статей, касающихся светодиодных технологий. Многие существенные усовершенствования светодиодов и их приложений явились прямым результатом вклада Винсента и его практического опыта.

Как работает светодиод UVC

При изучении светодиодов UVC для целей дезинфекции часто задают компании вопрос о том, как на самом деле работают светодиоды UVC.В этой статье мы объясняем, как работает эта технология.

Общие характеристики светодиодов

Светоизлучающий диод (LED) – это полупроводниковое устройство, которое излучает свет, когда через него проходит ток. Хотя очень чистые, бездефектные полупроводники (так называемые собственные полупроводники) обычно очень плохо проводят электричество, в полупроводник могут быть введены легирующие примеси, которые заставят его проводить либо с отрицательно заряженными электронами (полупроводник n-типа), либо с положительно заряженными дырками. (полупроводник p-типа).

Светодиод состоит из p-n-перехода, где полупроводник p-типа помещен поверх полупроводника n-типа. Когда прикладывается прямое смещение (или напряжение), электроны в области n-типа подталкиваются к области p-типа, и аналогично дырки в материале p-типа выталкиваются в противоположном направлении (поскольку они заряжены положительно). в сторону материала n-типа. На стыке материалов p-типа и n-типа электроны и дырки будут рекомбинировать, и каждое событие рекомбинации будет производить квант энергии, который является внутренним свойством полупроводника, в котором происходит рекомбинация.

Примечание: электроны генерируются в зоне проводимости полупроводника, а дырки генерируются в валентной зоне. Разница в энергии между зоной проводимости и валентной зоной называется шириной запрещенной зоны и определяется связующими характеристиками полупроводника.

Излучательная рекомбинация приводит к образованию одного фотона света с энергией и длиной волны (они связаны друг с другом уравнением Планка), определяемыми шириной запрещенной зоны материала, используемого в активной области устройства. Безызлучательная рекомбинация также может происходить, когда квант энергии, выделяемый рекомбинацией электронов и дырок, производит тепло, а не фотоны света. Эти события безызлучательной рекомбинации (в полупроводниках с прямой запрещенной зоной) связаны с электронными состояниями в средней запрещенной зоне, вызванными дефектами. Поскольку мы хотим, чтобы наши светодиоды излучали свет, а не тепло, мы хотим увеличить процент излучательной рекомбинации по сравнению с безызлучательной рекомбинацией. Один из способов сделать это – ввести ограничивающие носители заряда слои и квантовые ямы в активной области диода, чтобы попытаться увеличить концентрацию электронов и дырок, которые подвергаются рекомбинации при правильных условиях.

Однако другим ключевым параметром является снижение концентрации дефектов, вызывающих безызлучательную рекомбинацию в активной области устройства. Вот почему плотность дислокаций играет такую ​​важную роль в оптоэлектронике, поскольку они являются первичным источником центров безызлучательной рекомбинации. Дислокации могут быть вызваны многими причинами, но для достижения низкой плотности почти всегда требуются слои n-типа и p-типа, используемые для выращивания активной области светодиода на подложке с согласованной решеткой.В противном случае дислокации будут введены как способ компенсировать разницу в структуре кристаллической решетки.

Следовательно, максимизация эффективности светодиода означает увеличение скорости излучательной рекомбинации по сравнению со скоростью безызлучательной рекомбинации за счет минимизации плотности дислокаций.

UVC светодиоды
Ультрафиолетовые (УФ) светодиоды

находят применение в области очистки воды, оптического хранения данных, связи, обнаружения биологических агентов и отверждения полимеров. Область UVC УФ-диапазона спектра относится к длинам волн от 100 нм до 280 нм.

В случае дезинфекции оптимальная длина волны находится в диапазоне от 260 нм до 270 нм, при этом бактерицидная эффективность экспоненциально падает с увеличением длины волны. Светодиоды UVC обладают значительными преимуществами по сравнению с традиционно используемыми ртутными лампами, в частности, они не содержат опасных материалов, могут включаться / выключаться мгновенно и без ограничения цикла, имеют меньшее потребление тепла, направленный отвод тепла и более долговечны.

В случае светодиодов UVC для достижения коротковолнового излучения (от 260 до 270 нм для дезинфекции) требуется более высокая мольная доля алюминия, что затрудняет рост и легирование материала.Традиционно объемные подложки с согласованной решеткой для III-нитридов были недоступны, поэтому сапфир был наиболее часто используемой подложкой. Сапфир имеет большое рассогласование решетки со структурой AlGaN с высоким содержанием алюминия в УФС-светодиодах, что приводит к увеличению безызлучательной рекомбинации (дефектов). Этот эффект, по-видимому, ухудшается при более высокой концентрации Al, так что УФ-светодиоды на основе сапфира имеют тенденцию падать в мощности на длинах волн короче 280 нм быстрее, чем УФ-светодиоды на основе AlN, в то время как разница в двух технологиях кажется менее значительной в диапазоне УФВ и на более длинных волнах, где рассогласование решеток с AlN больше, потому что требуются более высокие концентрации Ga.

Псевдоморфный рост на подложках из природного AlN (то есть там, где больший параметр решетки собственного AlGaN адаптируется за счет его упругого сжатия, чтобы он поместился на AlN без появления дефектов) приводит к образованию атомно-плоских слоев с низким уровнем дефектов с пиковой мощностью при 265 нм, что соответствует как для максимального бактерицидного поглощения, так и для уменьшения влияния неопределенности из-за спектрально-зависимой силы поглощения.

Crystal IS разработала высококачественные объемные подложки из AlN с согласованной решеткой, которые обеспечивают более высокую внутреннюю эффективность и меньшее внутреннее поглощение.Эти подложки, используемые при производстве светодиодов и продукции Klaran UVC, обеспечивают более качественные и мощные светодиоды с длинами волн в бактерицидном диапазоне.

Убийство микробов с помощью светодиодов

Materion UV-C Средство для дезинфекции окон

Светодиоды доступны с широким диапазоном длин волн. Первоначальные светодиоды излучали в инфракрасном диапазоне, за ними следовали светодиоды, излучающие в видимых длинах волн (красный и зеленый), за которыми следуют синие светодиоды, которые в сочетании с люминофором излучают белый свет.Исторически сложнее всего производить светодиоды, излучающие в ультрафиолете. Однако сегодня промышленность по производству ультрафиолетовых светодиодов (УФ-светодиодов) переживает огромный рост.

Три диапазона УФ-излучения: УФ-А, УФ-В и УФ-С (рис. 1). УФ-А также известен как ближний УФ или черный свет и имеет длину волны в диапазоне от 315 нм до 400 нм. УФ-B также известен как средневолновый свет и имеет длину волны в диапазоне от 280 до 315 нм. УФ-С также известен как коротковолновый УФ-свет и имеет длину волны в диапазоне от 200 до 280 нм.Здесь мы будем обсуждать именно UV-C.

Бактерицидное УФ-излучение

Уникальность УФ-излучения заключается в том, что оно особенно эффективно при дезинфекции. В частности, длина волны 264 нм невероятно эффективна для уничтожения микробов, вирусов и бактерий. К счастью, УФ-излучение может проходить через воздух, не создавая озона, поэтому УФ-лампы можно использовать в воздухе для дезинфекции поверхностей. Некоторые люди могут быть обеспокоены тем, что использование светодиодной лампы UV-C создаст озон (опасность для здоровья и окружающей среды).Однако только длины волн вакуумных светодиодов могут создавать озон (<200 нм). Длины волн УФ-А, УФ-В и УФ-С не превращают кислород (в воздухе) в озон.

Рынок УФ-дезинфекции процветает, отчасти благодаря недавним вспышкам и опасениям вирусов и бактерий, таких как SARS, MERS, MRSA, Ebola, норовирус и C-DIFF. УФ-светодиоды могут сыграть полезную роль в предотвращении инфекционных заболеваний. Их можно использовать для приготовления питьевой воды, замены хлора в качестве дезинфицирующего средства в плавательных бассейнах, уничтожения микробов в стиральных и посудомоечных машинах, уничтожения микробов, переносимых по воздуху, в очистителях воздуха и системах отопления, вентиляции и кондиционирования воздуха, а также для дезинфекции поверхностей в больницах, кухнях, школах, офисах и медицинских учреждениях дома.Светодиодные продукты UV-C уже доступны для высокотехнологичных применений, таких как промышленная очистка воды, но существует сильный толчок к снижению стоимости светодиодных чипов, чтобы удовлетворить потребности очень большого потребительского рынка дезинфекции.

Упаковка светодиодов UV-C – Окно, выпуск

Проблемой при упаковке светодиодов UV-C является окно, устанавливаемое поверх корпуса светодиодов. Практически все органические материалы поглощают УФ-излучение, поэтому те же силиконы, которые используются поверх видимого света, УФ-А и УФ-В светодиодов, не подходят для светодиодов УФ-С.Единственными двумя практичными материалами окон для светодиодов UV-C являются кварцевое стекло высокой чистоты (плавленый кварц SiO2) и сапфир (Al2O3). Еще одна уникальная проблема светодиодов UV-C – их низкая эффективность; обычные светодиоды UV-C имеют эффективность ≤ 15%, поэтому очень важно включить антибликовое (AR) покрытие на обе стороны окна, чтобы максимизировать излучение фотонов из корпуса.

Решения для упаковки UV-C

Materion предлагает широкий спектр окон для УФ-С приложений, адаптированных к требованиям заказчика.Материал окна может быть сапфиром или плавленым кварцем. Антибликовое покрытие может быть нанесено на одну или обе стороны окна. Окна бывают герметичными или негерметичными. Для герметичных окон периметр окна может быть металлизирован тонкой пленкой, чтобы обеспечить прихватку преформы припоя, аналогично керамической крышке Combo-Lid ™ (столбец справа). Materion может также впаять окно в раму Kovar ™ или Invar ™, аналогичную Visi-Lid ™. Негерметичные окна могут быть снабжены эпоксидной преформой B-ступени, химически прикрепленной к периметру.Отверждение эпоксидной смолы обеспечивает герметичность, препятствующую проникновению жидкостей, например воды.

В окнах UV-C

Materion используется наш многолетний опыт в производстве корпусов для высокопроизводительной микроэлектроники, включая Visi-Lids ™, керамические Combo-Lids ™ и Epo-Lids ™. Мы являемся ведущим мировым поставщиком герметичных крышек для рынка полупроводников, медицины, МЭМС или оптики и можем предоставить все, от количества прототипов до больших объемов. Для получения дополнительной информации свяжитесь с Саймоном Осборном, менеджером по глобальному маркетингу в [email protected]

Дополнительную техническую информацию о технологии нанесения ультрафиолетового покрытия см. В нашем техническом документе в разделе «Новости материалов для покрытия».

Примечание : Materion не производит УФ-упаковку, светодиоды, включая светодиоды УФ-С. Эта статья предназначена только для информационных целей.

    Убийство Covid-19 с помощью светодиодов UV-C

    Да, свет в части спектра UV-C уничтожит вирус.Вот основы и несколько мифов, связанных с этим световым излучением .

    Для тех из нас, кто все еще работает, может быть немного неприятно задуматься, не содержат ли поверхности, которых мы касаемся, несколько вирионов, оставшихся от кого-то, инфицированного Covid-19. Когда нецелесообразно смывать все отбеливателем, купание со светом в УФ-C части спектра может быть полезной альтернативой.

    Свет в ультрафиолетовом диапазоне C (длина волны от 100 до 280 нм) давно используется в качестве метода дезинфекции пищевых продуктов, воздуха,

    Часть спектра UV-C находится над UVA и UVB.

    и очистка воды. Он работает, разрушая нуклеиновые кислоты микроорганизмов и разрушая их ДНК. К сожалению, обычный бактерицидный ультрафиолетовый свет также представляет опасность для здоровья человека, приводя к быстрому солнечному ожогу или раку кожи, а также к воспалению роговицы и катаракте. Так что в общественных местах его нечасто используют.

    Тем не менее, УФ-лампы легко доступны и могут безопасно использоваться с недорогим защитным снаряжением, например очками.

    Обычным средством генерации УФ-С для дезинфекции чаще всего является ртутная лампа, которая излучает свет за счет использования электрической дуги через испаренную ртуть.Эти лампы низкого давления имеют типичный КПД примерно 30–40%. Однако недавние разработки в области технологий привели к появлению коммерчески доступных светодиодов, способных генерировать УФ-С свет. Как и другие типы светодиодов, типы УФ-С служат намного дольше, чем их нетвердотельные аналоги. Одна из оговорок заключается в том, что эффективность преобразования электрического тока в ультрафиолетовый свет светодиодов в настоящее время ниже, чем у ртутных ламп.

    Типичный спектральный график выходного светодиода, полученный устройством Lumileds, показывает спектральный пик примерно при 450 нм в области синего света.ПК-светодиоды покрывают поверхность светодиода люминофором, который «перекачивает» выходной сигнал ниже видимых частот. Но остается свет 450 нм.

    К сожалению, в Интернете до сих пор ходит несколько мифов о светодиодах и УФ-свете. Во-первых, обычные светодиоды для освещения общего назначения генерируют УФ-свет и даже УФ-С свет по мере старения или просто как побочный продукт своего основного спектра освещения. Оба утверждения неверны. Скорее всего, они возникают из-за недопонимания относительно белых светодиодов с люминофором (ПК-светодиоды).Они созданы из кристаллов, излучающих синий или близкий к ультрафиолету свет, излучающих свет с длиной волны около 450 нм и покрытых желтым люминофором. Люминофор с понижением частоты преобразует световой поток в более низкие частоты видимого света. PC-светодиоды, которые работают таким образом, иногда называют типами с синей помпой с высокой CCT, 450 нм, причем «помпа» обозначает процесс понижающего преобразования.

    Миф заключается в том, что УФ-свет выходит из-под желтого люминофора на кристалле светодиода. Но наши собственные тесты, а также тесты, проведенные Департаментом.of Energy, не обнаружили выхода в диапазоне УФ-C от садовых светодиодных ламп. Более того, производители светодиодов обычно публикуют графики спектральной характеристики поставляемых ими светодиодов. Обзор этих графиков показывает, что большая часть выходной мощности светодиодов, предназначенных для общего освещения, приходится на длину волны 450 нм и более. Выходной сигнал при длине волны менее 400 нм практически равен нулю. Мы посмотрели на опубликованные кривые спектрального отклика светодиодов общего освещения, производимых несколькими основными поставщиками, и не смогли найти ни одного, который имел бы световой поток в УФ-диапазоне.

    У тех, кто интересуется лампами UV-C, есть множество вариантов. Недавний обзор продуктов, доступных на Amazon.com, выявил несколько ламп UV-C длиной 12 дюймов, доступных по цене менее 20 долларов.

    Но если вы планируете дезинфицировать поверхности вокруг рабочего стола с помощью этого типа света, обратите внимание, что тот факт, что УФ-излучение может разрушать химические связи, приводит к быстрому старению пластмасс, изоляции, прокладок и других материалов. Пластмассы, продаваемые как «устойчивые к ультрафиолетовому излучению», проверяются только на УФ-B.На это следует обратить внимание, потому что дезинфекция поверхностей ультрафиолетовым излучением занимает некоторое время. В одном исследовании потребовалось 30-минутное воздействие УФ-лампы мощностью 40 Вт, чтобы убить то, что исследователи назвали важными с медицинской точки зрения бактериями.

    Возникновение и перспективы светодиодных технологий глубокого ультрафиолета

  1. 1.

    Akasaki, I., Amano, H., Hiramatsu, K. & Sawaki, N. Высокоэффективный синий светодиод, использующий пленку GaN с выращенным буферным слоем AlN пользователя MOVPE. Proc. 14-й Int.Symp. Арсенид галлия и родственные соединения 1987 , 633–636 (1988).

    Google Scholar

  2. 2.

    Амано, Х. и Акасаки, И. GaN-приборы, излучающие синий и ультрафиолетовый свет. Физика твердого тела. 25 , 399–405 (1990).

    Google Scholar

  3. 3.

    Накамура, С., Мукаи, Т. и Сено, М. Высокояркие светодиоды InGaN / AlGaN класса Кандела с двойной гетероструктурой синего цвета. Прил. Phys. Lett. 64 , 1687–1689 (1994).

    ADS Google Scholar

  4. 4.

    Нарукава Ю., Итикава М., Санга Д., Сано М. и Мукаи Т. Белые светоизлучающие диоды со сверхвысокой светоотдачей. J. Phys. Д 43 , 354002 (2010).

    Google Scholar

  5. 5.

    Кнейссл, М. и Расс, Дж. (Ред.) III-Нитридные ультрафиолетовые излучатели – технология и применение (Springer, 2016).

  6. 6.

    Kowalski, W. Справочник по бактерицидному ультрафиолетовому облучению (Springer, 2009).

  7. 7.

    Crawford, M.H. et al. Заключительный отчет LDRD: Системы очистки воды ультрафиолетом для сельской среды и мобильных приложений. Отчет Sandia SAND2005-7245 (Sandia National Laboratories, 2005).

  8. 8.

    Würtele, M.-A. и другие. Применение светодиодов глубокого ультрафиолетового излучения на основе GaN – УФ светодиодов для обеззараживания воды. Water Res. 45 , 1481–1489 (2011).

    Google Scholar

  9. 9.

    Некерс, Д. К. и др. Характеристики светоизлучающих диодов по сравнению с обычными источниками света в составах, отверждаемых УФ-светом. J. Appl. Polym. Sci. 105 , 803–808 (2007).

    Google Scholar

  10. 10.

    Endruweit, A. et al. Отверждение композитных компонентов ультрафиолетовым излучением: обзор. Polym. Комп. 27 , 119–128 (2006).

    Google Scholar

  11. 11.

    Decker, C. et al. Использование УФ-излучения в полимеризации. Polym. Int. 45 , 133–141 (1998).

    Google Scholar

  12. 12.

    Шрейнер, М., Мартинес-Абайгар, Дж., Глааб, Дж. И Янсен, М. Вторичные метаболиты растений, индуцированные УФ-излучением. Опт. Фотон. 9 , 34–37 (2014).

    Google Scholar

  13. 13.

    Хокбергер П. Э. История ультрафиолетовой фотобиологии человека, животных и микроорганизмов. Photochem. Photobiol. 76 , 561–579 (2002).

    Google Scholar

  14. 14.

    Hargis, P.-J. Мл., Sobering, T.-J., Tisone, G.-C. И Вагнер, Ж.-С. Обнаружение и идентификация белков ультрафиолетовой флуоресценцией.ДНК и бактерии. Proc. SPIE 2366 , 147–153 (1995).

    Google Scholar

  15. 15.

    Mellqvist, J. & Rosen, A. DOAS для мониторинга дымовых газов – I. Температурные эффекты в УФ / видимых спектрах поглощения NO, NO 2 , SO 2 и NH 3 . J. Quant. Spectrosc. Radiat. Трансф. 56 , 187–208 (1996).

    ADS Google Scholar

  16. 16.

    Hodgkinson, J. & Tatam, R.-P. Оптическое газовое зондирование: обзор. Измер. Sci. Technol. 24 , 012004 (2013).

    ADS Google Scholar

  17. 17.

    Tsuzuki, H. et al. Высокоэффективный УФ-излучатель, выращенный на нижележащем слое высококачественного кристаллического AlGaN. Phys. Статус Solidi (a) 206 , 1199–1204 (2009).

    ADS Google Scholar

  18. 18.

    Zhang, J. et al. Светодиоды глубокого ультрафиолета AlGaN. Jpn. J. Appl. Phys. 44 , 7250–7253 (2005).

    ADS Google Scholar

  19. 19.

    Хан А., Балакришнан К. и Катона Т. Ультрафиолетовые светодиоды на основе нитридов третьей группы. Нат. Фотон. 2 , 77–84 (2008).

    ADS Google Scholar

  20. 20.

    Hirayama, H. et al. Светодиоды глубокого УФ-излучения на основе AlGaN и InAlGaN с длиной волны 222–282 нм, изготовленные на высококачественном AlN на сапфире. Phys. Статус Solidi (a) 206 , 1176–1182 (2009).

    ADS Google Scholar

  21. 21.

    Хираяма, Х., Цукада, Й., Маеда, Й. и Камата, Н. Заметное повышение эффективности светодиодов AlGaN с глубоким ультрафиолетовым излучением за счет использования слоя, блокирующего электроны с многоквантовым барьером. Прил.Phys. Экспресс 3 , 031002 (2010).

    ADS Google Scholar

  22. 22.

    Pernot, C. et al. Повышенная эффективность светодиодов на основе AlGaN с длиной волны 255–280 нм. Прил. Phys. Экспресс 3 , 061004 (2010).

    ADS Google Scholar

  23. 23.

    Grandusky, J. R. et al. Высокая выходная мощность псевдоморфных ультрафиолетовых светодиодов с длиной волны 260 нм с улучшенными тепловыми характеристиками. Прил. Phys. Экспресс 4 , 082101 (2011).

    ADS Google Scholar

  24. 24.

    Kneissl, M. et al. Достижения в технологии изготовления светодиодов глубокого УФ-излучения на основе нитридов III группы. Полуконд. Sci. Technol. 26 , 014036 (2011).

    ADS Google Scholar

  25. 25.

    Шаталов М. и др. Светодиоды глубокого ультрафиолета AlGaN с внешним квантовым выходом более 10%. Прил. Phys. Экспресс 5 , 082101 (2012).

    ADS Google Scholar

  26. 26.

    Kinoshita, T. et al. Характеристики и надежность светодиодов глубокого ультрафиолета, изготовленных на подложках из AlN, полученных методом гидридной парофазной эпитаксии. Прил. Phys. Экспресс 6 , 092103 (2013).

    ADS Google Scholar

  27. 27.

    Грандуски, Дж.R. et al. Псевдоморфные ультрафиолетовые светодиоды 270 нм с выходной мощностью непрерывной волны более 60 мВт. Прил. Phys. Экспресс 6 , 032101 (2013).

    ADS Google Scholar

  28. 28.

    Mehnke, F. et al. Эффективная инжекция носителей заряда в светодиоды с квантовыми ямами AlGaN с длиной волны менее 250 нм. Прил. Phys. Lett. 105 , 051113 (2014).

    ADS Google Scholar

  29. 29.

    Takano, T. et al. Светодиоды глубокого ультрафиолета с внешней квантовой эффективностью более 20% на длине волны 275 нм, достигнутые за счет повышения эффективности вывода света. Прил. Phys. Экспресс 10 , 031002 (2017).

    ADS Google Scholar

  30. 30.

    Иноуэ, С., Тамари, Н. и Танигучи, М. Светодиоды глубокого ультрафиолета мощностью 150 мВт с нанофотонной световыводящей структурой AlN большой площади, излучающие на длине волны 265 нм. Прил. Phys. Lett. 110 , 141106 (2017).

    ADS Google Scholar

  31. 31.

    Чой Р. Текущее состояние и будущие разработки мощных светодиодов глубокого УФ-излучения. Proc SPIE 10104 , 101041N (2017).

    Google Scholar

  32. 32.

    LG Innotek представляет первый в мире светодиод UV-C мощностью 100 мВт https://go.nature.com/2Tr4q3k (LG Innotek, 27 ноября 2017 г.).

  33. 33.

    Hirayama, H. et al. Более 10% светодиодов EQE AlGaN для глубокого УФ-излучения с использованием прозрачного контактного слоя p-AlGaN. Proc. SPIE 10104 , 101041P (2017).

  34. 34.

    Scheidt, P. Управление температурным режимом светодиодной техники в приложениях. Светодиодная профессия. Ред. 4 , 19–21 (2007).

    Google Scholar

  35. 35.

    Meneghini, M., Barbisan, D., Rodighiero, L., Meneghesso, G.& Zanoni, E. Анализ физических процессов, ответственных за деградацию светодиодов глубокого ультрафиолета. Прил. Phys. Lett. 97 , 143506 (2010).

    ADS Google Scholar

  36. 36.

    Glaab, J. et al. Эффекты деградации активной области в светодиодах UV-C. J. Appl. Phys. 123 , 104502 (2018).

    ADS Google Scholar

  37. 37.

    Fujioka, A. et al. Высокоэффективные ультрафиолетовые светодиоды глубиной 255/280/310 нм и их ресурсные характеристики. Полуконд. Sci. Technol. 29 , 084005 (2014).

    ADS Google Scholar

  38. 38.

    Nagasawa, Y. et al. Обзор светодиодов глубокого ультрафиолета на сапфире на основе AlGaN. Прил. Sci. 8 , 1264 (2018).

    Google Scholar

  39. 39.

    Reentilä, O. et al. Влияние роста зародышевого слоя AlN на качество материала AlN. J. Cryst. Рост 310 , 4932–4934 (2008).

    ADS Google Scholar

  40. 40.

    Mickevičius, J. et al. Внутренняя квантовая эффективность в AlGaN с сильной локализацией носителей. Прил. Phys. Lett. 101 , 211902 (2012).

    ADS Google Scholar

  41. 41.

    Ban, K. et al. Внутренняя квантовая эффективность многоквантовых ям AlGaN полного диапазона составов. Прил. Phys. Экспресс 4 , 052101 (2011).

    ADS Google Scholar

  42. 42.

    Chichibu, S., Azuhata, T., Sota, T. & Nakamura, S. Люминесценция из локализованных состояний в эпитаксиальных слоях InGaN. Прил. Phys. Lett. 70 , 2822–2824 (1997).

    ADS Google Scholar

  43. 43.

    Chichibu, S. F. et al. Возникновение вероятности нечувствительности к дефектам в полупроводниках из сплавов In-содержащих (Al, In, Ga) N. Нат. Матер. 5 , 810–816 (2006).

    ADS Google Scholar

  44. 44.

    Mickevicius, J. et al. Динамика фотолюминесценции квантовых ям AlGaN со встроенными электрическими полями и локализованными состояниями. Phys. Стат. Sol. (а) 207 , 423–427 (2010).

    ADS Google Scholar

  45. 45.

    Jain, R. et al. Миграция увеличила латеральное эпитаксиальное разрастание AlN и AlGaN для получения высоконадежных светодиодов глубокого ультрафиолетового излучения. Прил. Phys. Lett. 93 , 051113 (2008).

    ADS Google Scholar

  46. 46.

    Лю, X.-H. и другие. Влияние температуры роста на распределение собственных напряжений в нитриде алюминия, выращенном методом гидридной парофазной эпитаксии. Mater. Экспресс 6 , 367–370 (2016).

    ADS Google Scholar

  47. 47.

    Huang, C.-Y. и другие. Высококачественный и высокопрозрачный шаблон AlN на отожженном буферном слое AlN, осажденном распылением, для светодиодов глубокого ультрафиолетового излучения. AIP Adv. 7 , 055110 (2017).

    ADS Google Scholar

  48. 48.

    Kueller, V. et al. (Al, Ga) N разрастается по гребням AlN, ориентированным в направлении [1120] и [1100]. Phys. Статус Solidi (c) 8 , 2022–2024 (2011).

    ADS Google Scholar

  49. 49.

    Kawashima, T. et al. Высококачественная пленка Al 0,12 Ga 0,88 N с низкой плотностью дислокаций, выращенная на гранатом Al 0,12 Ga 0,88 N методом MOVPE. J. Cryst. Рост 272 , 377–380 (2004).

    ADS Google Scholar

  50. 50.

    Susilo, N. et al. Светодиоды глубокого УФ-излучения на основе AlGaN, выращенные на напыленном и отожженном при высоких температурах AlN / сапфире. Прил. Phys. Lett. 112 , 041110 (2018).

    ADS Google Scholar

  51. 51.

    Lin, B.C. et al. Повышение эффективности ультрафиолетовых светодиодов с перевернутым кристаллом на основе GaN с зародышевым слоем RPD AlN на узорчатой ​​сапфировой подложке. Опт. Матер. Экспресс 4 , 1632–1639 (2014).

    ADS Google Scholar

  52. 52.

    Lee, C.-Y. и другие. Повышение эффективности ультрафиолетовых светодиодов на основе GaN с реактивным плазменным нанесением зародышевого слоя AlN на узорчатую сапфировую подложку. Nanoscale Res. Lett. 9 , 505 (2014).

    ADS Google Scholar

  53. 53.

    Yan, J. et al. Светодиоды глубокого ультрафиолета на основе AlGaN, выращенные на высококачественном шаблоне AlN с использованием MOVPE. J. Cryst. Рост 414 , 254–257 (2015).

    ADS Google Scholar

  54. 54.

    Al Tahtamouni, TM, Lin, JY & Jiang, HX Влияние двухслойных буферных слоев AlN на свойства легированного кремнием Al x Ga 1– x N для повышения производительности светодиоды глубокого ультрафиолета. J. Appl. Phys. 113 , 123501 (2013).

    ADS Google Scholar

  55. 55.

    Miyake, H. et al. Отжиг буферного слоя AlN в N 2 –CO для выращивания высококачественной пленки AlN на сапфире. Прил. Phys. Экспресс 9 , 025501 (2016).

    ADS Google Scholar

  56. 56.

    Lee, D. et al. Улучшенные характеристики светодиодов для глубокого ультрафиолетового излучения на основе AlGaN с подложками из AlN / сапфира с наноразмерным рисунком. Прил. Phys. Lett. 110 , 1 (2017).

    ADS Google Scholar

  57. 57.

    Ким, Дж., Пьён, Дж., Чон, М. и Нам, О. Рост и характеристика высококачественного AlN с использованием комбинированной структуры низкотемпературного буфера и сверхрешеток для приложений в глубоком ультрафиолете. Jpn. J. Appl. Phys. 54 , 081001 (2015).

    ADS Google Scholar

  58. 58.

    Wang, T.-Y., Tasi, C.-Т., Линь, Ч.-Ф. И Ву, Д.-С. 85% -ная внутренняя квантовая эффективность 280-нм квантовых ям AlGaN с помощью инженерии дефектов. Sci. Отчет 7 , 14422 (2017).

    ADS Google Scholar

  59. 59.

    Heying, B. et al. Роль пронизывающей дислокационной структуры на ширину пиков дифракции рентгеновских лучей в эпитаксиальных пленках GaN. Прил. Phys. Lett. 68 , 643–645 (1996).

    ADS Google Scholar

  60. 60.

    Ли, С. Р. и др. Влияние пронизывающих дислокаций на ширину брэгговских пиков гетерослоев GaN, AlGaN и AlN. Прил. Phys. Lett. 86 , 241904 (2005).

    ADS Google Scholar

  61. 61.

    Chierchia, R. et al. Микроструктура гетероэпитаксиального GaN, выявленная методом рентгеновской дифракции. J. Appl. Phys. 93 , 8918–8925 (2003).

    ADS Google Scholar

  62. 62.

    Hino, T. et al. Исследование пронизывающих дислокаций в эпитаксиальных слоях GaN. Прил. Phys. Lett. 76 , 3421–3423 (2000).

    ADS Google Scholar

  63. 63.

    Kusch, G. et al. Пространственная кластеризация центров дефектной люминесценции в легированном кремнием низкоомном Al 0,82 Ga 0,18 N. Прил. Phys. Lett. 107 , 072103 (2015).

    ADS Google Scholar

  64. 64.

    Бондоков Р.Т. и соавт. Подложки AlN большой площади для электронных приложений: промышленная перспектива. J. Crys. Рост 310 , 4020–4026 (2008).

    ADS Google Scholar

  65. 65.

    Динг, К., Аврутин, В., Озгюр, Ю. & Morkoç, H. Состояние роста гетероструктур нитрида группы III для светодиодов глубокого ультрафиолета. Кристаллы 7 , 300 (2017).

    Google Scholar

  66. 66.

    Rojo, J. C. et al. Отчет о росте объемного нитрида алюминия и последующей подготовке подложки. J. Cryst. Рост 231 , 317–321 (2001).

    ADS Google Scholar

  67. 67.

    Хартманн, К., Диттмар, А., Вольвебер, Дж. И Бикерманн, М. Массовый рост AlN за счет физического переноса пара. Полуконд. Sci. Technol. 29 , 084002 (2014).

    ADS Google Scholar

  68. 68.

    Далмау Р., Муди Б., Се Дж., Коллазо Р. и Ситар З. Характеристика массивов дислокаций в монокристаллах AlN, выращенных методом PVT. Phys. Статус Солди (a) 208 , 1545–1547 (2011).

    ADS Google Scholar

  69. 69.

    Кангава Ю., Токи Р., Яяма Т., Эпельбаум Б. М. и Какимото К. Новый метод выращивания объемного раствора AlN с использованием твердых источников Al и Li. 3 N. Прил. Phys. Экспресс 4 , 095501 (2011).

    ADS Google Scholar

  70. 70.

    Кумагаи Ю., Нагашима Т. и Кукиту А. Приготовление автономной подложки из AlN методом гидридной эпитаксии из паровой фазы при 1230 ° C с использованием (111) Si в качестве исходной подложки. Jpn. J. Appl. Phys. 46 , L389 – L391 (2007).

    ADS Google Scholar

  71. 71.

    Hartmann, C. et al. Приготовление глубоких прозрачных для УФ-излучения подложек из AlN с высоким структурным совершенством для оптоэлектронных устройств. CrystEngComm 18 , 3488–3497 (2016).

    Google Scholar

  72. 72.

    Nomura, T. et al. Гомоэпитаксиальный рост AlN на сублимационной подложке AlN с помощью HVPE низкого давления. J. Cryst. Рост 350 , 69–71 (2012).

    ADS Google Scholar

  73. 73.

    Irmscher, K. et al. Идентификация трехуглеродного дефекта и его связь с поглощением ультрафиолета в нитриде алюминия. J. Appl. Phys. 114 , 123505 (2013).

    ADS Google Scholar

  74. 74.

    Bryan, Z. et al. Высокая внутренняя квантовая эффективность в множественных квантовых ямах AlGaN, выращенных на массивных подложках AlN. Прил. Phys. Lett. 106 , 142107 (2015).

    ADS Google Scholar

  75. 75.

    Карпов С.У. и др. Влияние дислокации на эффективность излучения света в нитриде галлия. Прил. Phys. Lett. 81 , 4721–4723 (2002).

    ADS Google Scholar

  76. 76.

    Hirayama, H. et al. Высокоэффективные ультрафиолетовые светодиоды на основе четвертичного InAlGaN. J. Appl. Phys. 97 , 0 (2005).

    ADS Google Scholar

  77. 77.

    Kaneda, M. et al. Неравномерная множественная квантовая яма AlGaN для светодиодов глубокого ультрафиолета, выращенных на макроэлементах и ​​влияющих на спектральный выход электролюминесценции. Jpn. J. Appl. Phys. 56 , 061002 (2017).

    ADS Google Scholar

  78. 78.

    Сампат, А. В., Гаррет, Г. А., Ридинджер, Э. Д., Энк, Р. В. и Шен, Х. Определение характеристик неоднородных по составу активных областей AlGaN в нанометровом масштабе на объемных подложках AlN. Solid State Electron. 54 , 1130–1134 (2010).

    ADS Google Scholar

  79. 79.

    Murotani, H. et al. Зависимость внутренней квантовой эффективности от области легирования и концентрации Si в квантовых ямах AlGaN с высоким содержанием алюминия. Прил. Phys. Lett. 101 , 042110 (2012).

    ADS Google Scholar

  80. 80.

    Kim, M.-H. и другие. Причина падения эффективности светодиодов на основе GaN. Прил. Phys. Lett. 91 , 183507 (2007).

    ADS Google Scholar

  81. 81.

    Таниясу, Ю., Касу, М. и Кобаяши, Н. Преднамеренный контроль проводимости n-типа для легированного кремнием AlN и Al x Ga 1-x N (0,42≤x <1) . Прил. Phys. Lett. 81 , 1255–1257 (2002).

    ADS Google Scholar

  82. 82.

    Nakarmi, ML, Kim, KH, Zhu, K., Lin, JY & Jiang, HX Транспортные свойства высокопроводящего алюминия n-типа с высоким содержанием алюминия x Ga 1- x Н (x≥0.7). Прил. Phys. Lett. 85 , 3769–3771 (2004).

    ADS Google Scholar

  83. 83.

    Mehnke, F. et al. Высокопроводящий слой n-Al x Ga 1 – x N с мольной долей алюминия более 80%. Прил. Phys. Lett. 103 , 212109 (2013).

    ADS Google Scholar

  84. 84.

    Rajan, S. et al. Подвижность электронов в сплавах AlGaN. Прил. Phys. Lett. 88 , 042103 (2006).

    ADS Google Scholar

  85. 85.

    Eiting, C.J. et al. Легирование P- и N-типа эпитаксиальных слоев GaN и AlGaN, выращенных методом химического осаждения из газовой фазы. J. Electron. Матер. 27 , 206–209 (1998).

    ADS Google Scholar

  86. 86.

    Nagata, N. et al. Снижение контактного сопротивления в V-образном электроде для AlGaN n-типа с высокой мольной долей AlN за счет использования тонкого промежуточного слоя SiN x . Phys. Статус Solidi (c) 14 , 1600243 (2017).

  87. 87.

    Маттила Т. и Ниеминен Р. М. Изучение кислородных точечных дефектов в GaAs, GaN и AlN из первых принципов. Phys. Ред. B 54 , 16676–16682 (1996).

    ADS Google Scholar

  88. 88.

    Ван де Валле, К. Г. и Нойгебауэр, Дж. Расчеты из первых принципов для дефектов и примесей: приложения к III-нитридам. Дж.Прил. Phys. 95 , 3851–3879 (2004).

    ADS Google Scholar

  89. 89.

    Trinh, X. T. et al. Стабильные и метастабильные центры Si с отрицательным U в AlGaN и AlN. Прил. Phys. Lett. 105 , 162106 (2014).

    ADS Google Scholar

  90. 90.

    Богуславский П. и Бернхолк Дж. Легирующие свойства примесей C, Si и Ge в GaN и AlN. Phys. Ред. B 56 , 9496–9505 (1997).

    ADS Google Scholar

  91. 91.

    Zhu, S. et al. Влияние дельта-легирования на n-AlGaN, легированный кремнием, на матрицу AlN, выращенную методом MOCVD. Phys. Статус Solidi (c) 11 , 466–468 (2014).

    ADS Google Scholar

  92. 92.

    Канту, П., Келлер, С., Мишра, У. К. и ДенБаарс, С.P. Металлоорганическое химическое осаждение из газовой фазы высокопроводящих пленок Al 0,65 Ga 0,35 N. Прил. Phys. Lett. 82 , 3683–3685 (2003).

    ADS Google Scholar

  93. 93.

    Wang, S., Zhang, X., Zhu, M., Li, F. & Cui, Y. Пленка n-AlGaN, легированная кремнием, без трещин, выращенная на сапфировой подложке с высокотемпературной прослойкой AlN. . Optik 126 , 3698–3702 (2015).

    ADS Google Scholar

  94. 94.

    Adhikari, R., Li, T., Capuzzo, G. & Bonanni, A. Управление трехмерной электронной пластиной из градиентного Al x Ga 1 – x N. Прил. Phys. Lett. 108 , 022105 (2016).

    ADS Google Scholar

  95. 95.

    Gordon, L. et al. Гибридные функциональные расчеты DX-центров в AlN и GaN. Phys. Ред. B 89 , 085204 (2014).

    ADS Google Scholar

  96. 96.

    Kirste, R. et al. GaN, легированный Ge, с контролируемой высокой концентрацией носителей для плазмонных приложений. Прил. Phys. Lett. 103 , 242107 (2013).

    ADS Google Scholar

  97. 97.

    Терсофф, Дж. Теория полупроводниковых гетеропереходов: роль квантовых диполей. Phys. Ред. B 30 , 4874–4877 (1984).

    ADS Google Scholar

  98. 98.

    Валукевич, В. Амфотерные собственные дефекты в полупроводниках. Прил. Phys. Lett. 54 , 2094–2096 (1989).

    ADS Google Scholar

  99. 99.

    Амано, Х., Кито, М., Хирамацу, К. и Акасаки, И. Проводимость P-типа в GaN, легированном магнием, обработанном облучением пучком низкоэнергетических электронов (LEEBI). Jpn. J. Appl. Phys. 28 , L2112 – L2114 (1989).

    ADS Google Scholar

  100. 100.

    Nakamura, S. et al. Эффекты термического отжига пленок GaN, легированных магнием p-типа. Jpn. J. Appl. Phys. 31 , L139 – L142 (1992).

    ADS Google Scholar

  101. 101.

    Нам, К. Б., Накарми, М. Л., Ли, Дж., Лин, Дж. Й. и Цзян, Х. Х. Уровень акцептора Mg в AlN, исследованный с помощью глубокой ультрафиолетовой фотолюминесценции. Прил. Phys. Lett. 83 , 878–880 (2003).

    ADS Google Scholar

  102. 102.

    Аллерман А.А., Кроуфорд М.Х., Миллер М.А. и Ли С.Р. Рост и характеристика короткопериодических сверхрешеток AlGaN-AlN, легированных магнием, для оптоэлектронных устройств в глубоком УФ-диапазоне. J. Crys. Рост 312 , 756–761 (2010).

    ADS Google Scholar

  103. 103.

    Zheng, T. C. et al. Повышенная проводимость p-типа в AlGaN с высоким содержанием алюминия с использованием многомерных сверхрешеток, легированных магнием. Sci. Отчет 6 , 21897 (2016).

    ADS Google Scholar

  104. 104.

    Саймон, Дж., Протасенко, В., Лиан, К., Ксинг, Х. и Йена, Д. Дырочное легирование, вызванное поляризацией, в широкозонных одноосных полупроводниковых гетероструктурах. Science 327 , 60–64 (2010).

    ADS Google Scholar

  105. 105.

    Эбата К., Нишинака Дж., Таниясу Ю. и Кумакура К. Высокая концентрация дырок в сверхрешетках AlN / AlGaN, легированных магнием, с высоким содержанием алюминия. Jpn. J. Appl. Phys. 57 , 04FH09 (2018).

    Google Scholar

  106. 106.

    Jeon, S.-R. и другие. Исследование легирования Mg в Al p-типа с высоким содержанием Al x Ga 1– x N (0,3 < x <0,5). Прил. Phys. Lett . 86 , 082107 (2005).

    ADS Google Scholar

  107. 107.

    Neugebauer, J. & Van de Walle, C.G. Роль водорода в легировании GaN. Прил. Phys. Lett. 68 , 1829–1831 (1996).

    ADS Google Scholar

  108. 108.

    Киношита Т., Обата Т., Янаги Х. и Иноуэ С. Высокая проводимость p-типа в AlGaN, легированном магнием с высоким содержанием алюминия. Прил. Phys. Lett. 102 , 012105 (2013).

    ADS Google Scholar

  109. 109.

    Аояги Ю., Такеучи М., Иваи С. и Хираяма Х. Высокая концентрация дырочных носителей, достигаемая с помощью альтернативного метода совместного легирования при химическом осаждении металлорганических соединений из газовой фазы. Прил. Phys. Lett. 99 , 112110 (2011).

    ADS Google Scholar

  110. 110.

    Накарми, М. Л., Ким, К. Х., Ли, Дж., Лин, Дж. Й. и Цзян, Х. Х. Повышенная проводимость типа p в GaN и AlGaN с помощью Mg-δ-легирования. Прил.Phys. Lett. 82 , 3041–3043 (2003).

    ADS Google Scholar

  111. 111.

    Limpijumnong, S. & Van de Walle, C.G. Пассивация и легирование водородом в III-нитридах. Phys. Статус Solidi (b) 228 , 303–307 (2001).

    ADS Google Scholar

  112. 112.

    Myers, S. M. et al. Диффузия, высвобождение и поглощение водорода в нитриде галлия, легированном магнием: теория и эксперимент. J. Appl. Phys. 89 , 3195–3202 (2001).

    ADS Google Scholar

  113. 113.

    Званут, М. Э., Сунай, У. Р., Дашдордж, Дж., Уиллоуби, В. Р. и Аллерман, А. А. Взаимодействие Mg-водород в сплавах AlGaN. В Материалы и устройства из нитрида галлия VII 8262 , 82620L (Международное общество оптики и фотоники, 2012).

  114. 114.

    Dahal, R. et al. Эпитаксиально выращенный полупроводниковый гексагональный нитрид бора как фотонный материал для глубокого ультрафиолета. Прил. Phys. Lett. 98 , 211110 (2011).

    ADS Google Scholar

  115. 115.

    Yan, J. et al. Улучшенные характеристики УФ-светодиода p-AlGaN с измененным составом. Phys. Статус Solidi (c) 8 , 461–463 (2011).

    ADS Google Scholar

  116. 116.

    Kuo, Y.-K., Chang, J.-Y., Chen, F.-M., Shih, Y.-H. И Чанг, Х.-Т.Численное исследование транспортных характеристик светодиодов AlGaN глубокого УФ-излучения. IEEE J. Quantum Electron. 52 , 3300105 (2016).

    Google Scholar

  117. 117.

    Маэда Н. и Хираяма Х. Реализация высокоэффективных светодиодов глубокого УФ-излучения с использованием прозрачного контактного слоя p-AlGaN. Phys. Статус Solidi (c) 10 , 1521–1524 (2013).

    ADS Google Scholar

  118. 118.

    Юн, Дж. И Хираяма, Х. Исследование эффективности вывода света в 280-нм светодиодах на основе AlGaN, имеющих высокопрозрачный слой p-AlGaN. J. Appl. Phys. 121 , 013105 (2017).

    ADS Google Scholar

  119. 119.

    Yun, J. et al. Анализ падения эффективности в 280-нм светодиодах из AlGaN с множественными квантовыми ямами на основе уравнения скорости несущей. Jpn. J. Appl. Phys. 8 , 022104 (2015).

    Google Scholar

  120. 120.

    Kuo, Y. K. et al. Моделирование и экспериментальное исследование толщины барьера сверхрешеточного электронного блокирующего слоя в светодиодах ближнего ультрафиолета. IEEE J. Quantum Electron. 52 , 3300306 (2016).

    Google Scholar

  121. 121.

    Zhang, Y. et al. Межзонное туннелирование для инжекции дырок в III-нитридных ультрафиолетовых излучателях. Прил. Phys. Lett. 106 , 141103 (2015).

    ADS Google Scholar

  122. 122.

    Liang, H. et al. Вертикально проводящие светодиоды глубокого ультрафиолета с межзонным туннельным переходом, выращенные на подложке 6H-SiC. Jpn. J. Appl. Phys. 55 , 031202 (2016).

    ADS Google Scholar

  123. 123.

    Kuwano, Y. et al.Боковая диффузия водорода в слоях p-GaN в светодиодах на основе нитридов с туннельными переходами. Jpn. J. Appl. Phys. 52 , 08JK12 (2013).

    Google Scholar

  124. 124.

    Pankove, J. I., Magee, C. W. & Wance, R.O. Hole-опосредованная хемосорбция атомарного водорода в кремнии. Прил. Phys. Lett. 47 , 748–750 (1985).

    ADS Google Scholar

  125. 125.

    Хираяма, Х., Эномото, Ю., Киношита, А., Хирата, А., Аояги, Ю. Эффективное излучение 230–280 нм из многоквантовых скважин с высоким содержанием алюминия на основе AlGaN. Прил. Phys. Lett. 80 , 37–39 (2002).

    ADS Google Scholar

  126. 126.

    Chang, J.-Y. и другие. Эффекты квантовых барьеров и электронно-блокирующего слоя в светодиодах глубокого ультрафиолета. J. Appl. Phys. Д 51 , 075106 (2018).

    ADS Google Scholar

  127. 127.

    Reich, C. et al. Сильно поперечно-электрически поляризованное излучение светодиодов с квантовыми ямами AlGaN в глубоком ультрафиолетовом диапазоне. Прил. Phys. Lett. 107 , 142101 (2015).

    ADS Google Scholar

  128. 128.

    Lobo, N. et al. Повышение светоотдачи в УФ-светодиодах с использованием нанопиксельной конструкции контакта с алюминиевым отражателем. Прил. Phys. Lett. 96 , 081109 (2010).

    ADS Google Scholar

  129. 129.

    Kashima, Y. et al. Высокий внешний квантовый выход (10%) на основе AlGaN в светодиодах глубокого ультрафиолета, достигнутый за счет использования высокоотражающего фотонного кристалла на контактном слое p-AlGaN. Прил. Phys. Экспресс 11 , 012101 (2018).

    ADS Google Scholar

  130. 130.

    Nakashima, T. et al. Комбинация диэлектрических многослойных отражающих электродов из оксида индия-олова и SiO 2 / AlN для ультрафиолетовых светодиодов. Jpn. J. Appl. Phys. 52 , 08JG07 (2013).

    Google Scholar

  131. 131.

    Oh, S. et al. Самособирающиеся наношары из оксида индия и олова со встроенными всенаправленными отражателями для высокой эффективности вывода фотонов в ультрафиолетовых излучателях из III-нитрида. Nanoscale 9 , 7625–7630 (2017).

    Google Scholar

  132. 132.

    Inazu, T. et al. Повышение эффективности вывода света для светодиодов глубокого ультрафиолета на основе AlGaN. Jpn. J. Appl. Phys. 50 , 122101 (2011).

    ADS Google Scholar

  133. 133.

    Хизар, М., Фан, З. Ю., Ким, К. Х., Лин, Дж. Й. и Цзян, Х. Х. Нитридные светодиоды глубокого ультрафиолета с матрицей микролинз. Прил. Phys. Lett. 86 , 173504 (2005).

    ADS Google Scholar

  134. 134.

    Вирер, Дж. Дж., Аллерман, А. А., Монтаньо, И. и Мозли, М. В. Влияние оптической поляризации на повышение эффективности вывода света из отражающих рассеивающих структур в ультрафиолетовых светодиодах AlGaN. Прил. Phys. Lett. 105 , 061106 (2014).

    ADS Google Scholar

  135. 135.

    Zhang, Y. et al. Влияние наклонной конструкции боковой стенки с нижней металлической воздушной полостью на эффективность вывода света для светодиодов глубокого ультрафиолета на основе AlGaN. IEEE Photon. J. 9 , 1600709 (2017).

    Google Scholar

  136. 136.

    Gao, N. et al. Светодиоды глубокого УФ-излучения с усилением поверхностных плазмонов на основе многоквантовых ям AlGaN. Sci. Отчет 2 , 816 (2012).

    Google Scholar

  137. 137.

    Wang, J. et al. Локализованные поверхностные плазмонно-усиленные светодиоды глубокого УФ-излучения с асимметричными наночастицами Al / Al 2 O 3 . Плазмоника 12 , 843–848 (2017).

    Google Scholar

  138. 138.

    Long, H. et al. Внутренняя деформация вызвала значительное повышение эффективности вывода глубокого ультрафиолетового света для нескольких квантовых ям AlGaN, выращенных с помощью MOCVD. Опт. Экспресс 26 , 680–685 (2018).

    ADS Google Scholar

  139. 139.

    Adivarahan, V. et al. Вертикальные инжекционные тонкопленочные светодиоды глубокого ультрафиолета с активной областью с множеством квантовых ям AlGaN. Прил. Phys. Экспресс 2 , 092102 (2009).

    ADS Google Scholar

  140. 140.

    Zhou, L. et al. Вертикальные инжекционные тонкопленочные светодиоды глубокого ультрафиолета с множеством квантовых ям. Прил. Phys. Lett. 89 , 241113 (2006).

    ADS Google Scholar

  141. 141.

    Аошима, Х. Лазерный отрыв AlN / сапфира для УФ-светодиодов. Phys. Статус Solidi (c) 9 , 753–756 (2012).

    ADS Google Scholar

  142. 142.

    Lachab, M. et al. Повышение эффективности вывода света в тонкопленочных нитридных светодиодах с перевернутым кристаллом размером менее 300 нм. Solid State Electron. 89 , 156–160 (2013).

    ADS Google Scholar

  143. 143.

    Ryu, H.-Y., Choi, I.-G., Choi, H.-S. И Шим, Ж.-И. Исследование эффективности вывода света в светодиодах глубокого ультрафиолета AlGaN. Прил. Phys. Экспресс 6 , 062101 (2013).

    ADS Google Scholar

  144. 144.

    Щекин, О.B. et al. Высокопроизводительные тонкопленочные перекидные светодиоды InGaN – GaN. Прил. Phys. Lett. 89 , 071109 (2006).

    ADS Google Scholar

  145. 145.

    Krames, M. R. et al. Состояние и будущее мощных светодиодов для твердотельного освещения. J. Display Technol. 3 , 160–175 (2007).

    ADS Google Scholar

  146. 146.

    Chitnis, A. et al. Высокая мощность постоянного тока, 325 нм, УФ-светодиоды с глубиной излучения над сапфиром. Электрон. Lett. 38 , 1709–1711 (2002).

    Google Scholar

  147. 147.

    Lobo Ploch, N. et al. Эффективное управление температурой в ультрафиолетовых светодиодах с матрицами микро-светодиодов. IEEE Trans. Электрон Дев. 60 , 782–786 (2013).

    ADS Google Scholar

  148. 148.

    Yasan, A. et al. 4.5 мВт работа светодиодов глубокого ультрафиолета с длиной волны 267 нм на основе AlGaN. Прил. Phys. Lett. 83 , 4701–4703 (2003).

    ADS Google Scholar

  149. 149.

    Liang, R. et al. Исследование тепловых характеристик эвтектических флип-чипов УФ-светодиодов с различной степенью пропускания склеивания. IEEE Trans. Электрон Дев. 64 , 1174–1179 (2017).

    ADS Google Scholar

  150. 150.

    Wang, C.-P., Ying, S.-P., Su, Y.-C. И Чанг, Т.-Л. Термический анализ эвтектических светодиодов типа flip-chip, изготовленных на керамической подложке с медным покрытием. IEEE Trans. Электрон Дев. 62 , 2524–2527 (2015).

    ADS Google Scholar

  151. 151.

    Chitnis, A. et al. Субмилливаттный светоизлучающий диод (СИД) 315 нм на основе AlInGaN на сапфировой подложке. Jpn.J. Appl. Phys. 41 , L320 – L322 (2002).

    ADS Google Scholar

  152. 152.

    Adivarahan, V. et al. Мощные светодиоды глубокого ультрафиолета на основе микропиксельной конструкции. Прил. Phys. Lett. 85 , 1838–1840 (2004).

    ADS Google Scholar

  153. 153.

alexxlab

leave a Comment