и нашим и вашим / Накопители

Глядя на то, что происходило на рынке носителей информации во второй половине прошлого года, можно было подумать, что интерфейс SATA в потребительских твердотельных накопителях начал постепенное отмирание. Все свежие платформы ПК в обязательном порядке стали получать один-два слота M.2, в которые предполагается устанавливать SSD с интерфейсом NVMe, а производители накопителей с большим энтузиазмом начали множить всевозможные продукты с новым интерфейсом: количество моделей NVMe SSD, которые увидели свет в прошлом году, исчисляется десятками. На новый интерфейс положительно отреагировали и профессиональные сборщики компьютеров. Действительно, NVMe-накопители в M.2-исполнении подкупают не только заметно более высокой скоростью по сравнению с SATA-собратьями, но и другими преимуществами. M.2 SSD банально компактнее и не требуют никакого кабельного подключения, так как  устанавливаются непосредственно в слот на плате.

Всё это вылилось в совершенно объективную тенденцию: поставки NVMe SSD на протяжении прошлого года росли очень быстрыми темпами, а к концу года даже смогли обогнать поставки привычных SATA-моделей.

На этом фоне совершенно закономерно стали смотреться заявления некоторых производителей, например Toshiba, считающих, что SATA SSD уже отжили своё и тратить силы на развитие этого направления больше нет никакого смысла. Однако с такой логикой согласны далеко не все. Ряд крупных компаний, включая Samsung, Western Digital, Micron и Intel, взялись показать, что забрасывать SATA-направление пока преждевременно. И не просто не стали сворачивать имеющийся ассортимент SATA SSD, а, напротив, отметились новыми моделями с улучшенными характеристиками.

Безусловно, не стоит ожидать, что выход  новых SATA SSDна рубеже 2017 и 2018 года, пусть даже и разработанных ведущими инженерными командами, способен сколь-нибудь заметно продвинуть производительность таких решений дальше привычного уровня. Это практически невозможно, ведь производительность  SATA SSDпри последовательных операциях упирается в пропускную способность интерфейса, а быстродействие при случайных операциях сдерживается неповоротливым AHCI-протоколом, унаследованным от механических жёстких дисков. Тем не менее варианты движения по пути прогресса всё-таки нашлись.

Стержневым элементом новых SATA-накопителей, выпущенных в конце прошлого – начале этого года, стала новая флеш-память с пространственной компоновкой, к массовому выпуску которой наконец-то перешли практически все производители NAND. Современная 3D NAND получила 64-слойный дизайн, позволяющий увеличить плотность хранения данных настолько, что её использование в накопителях стало очень выгодным экономически. Кроме того, такая память несёт с собой и ряд других преимуществ. Так, совершенствование внешних интерфейсов устройств NAND позволило увеличить скорость работы, а применение при производстве трёхмерной памяти техпроцессов с достаточно низким по современным меркам разрешением повысило её надёжность даже в случае TLC-организации. Иными словами, новое поколение SATA SSD, основанных на 64-слойной 3D NAND-памяти, может действительно оказаться лучше. И тому есть вполне конкретные подтверждения.

Особый интерес в этом плане представляют новые вертикально интегрированные SATA-продукты ведущих производителей SSD, имеющих собственное производство 3D NAND. Именно в таких моделях преимущества новой флеш-памяти должны раскрываться в полной мере. И мы уже протестировали один из таких накопителей – Intel SSD 545s, который оказался очень достойным решением, вполне способным побороться за звание одного из лучших SATA SSD 2018 года. Ещё две перспективных модели на базе новой 64-слойной 3D NAND уже находятся на пути в нашу лабораторию, и в скором времени мы сможем познакомиться с ними во всех подробностях. А сейчас нам предстоит увидеть, как изменился самый популярный SATA SSD последней пары лет – Samsung 850 EVO. Сегодня компания Samsung представила его последователя – 860 EVO, и теперь именно этот накопитель будет защищать честь южнокорейского гиганта на массовом рынке. Прошлый хит компании, Samsung 850 EVO при этом снимается с производства, и после распродажи товарных остатков купить его будет невозможно. Поставки же нового Samsung 860 EVO уже начались, в России такие накопители появятся на прилавках в феврале.

⇡#Технические характеристики

Вообще говоря, новая 64-слойная TLC 3D V-NAND уже вовсю применяется в массовых SSD компании Samsung. В конце лета прошлого года на её использование была «втихую» переведена серия Samsung 850 EVO, и мы об этом писали в отдельном обзоре. Тем не менее ту версию 850 EVO скорее стоит считать временным и компромиссным решением, а новый 860 EVO – это уже совершенно чистокровный продукт, построенный на базе 64-слойной TLC 3D V-NAND четвёртого поколения. Разница в том, что для 850 EVO компания Samsung изготавливала специальные «переходные» чипы флеш-памяти с ёмкостью 256 Гбит, что позволяло ставить их в ту же платформу, где до этого использовалась 48-слойная флеш-память, без каких бы то ни было глобальных переделок. Новая же модель, Samsung 860 EVO, переведена на «полноценные» 64-слойные чипы трёхмерной трёхбитовой памяти вдвое большей ёмкости, достигающей 512 Гбит.

Увеличение размеров ядра кристаллов NAND – очевидный путь к дополнительному снижению себестоимости, который применяется наряду с наращиванием «этажности» памяти. Например, если в случае 256-гигабитных кристаллов переход с 48-слойного на 64-слойный дизайн TLC 3D V-NAND дал 28-процентное увеличение удельной плотности хранения данных, то применение 64-слойных кристаллов ёмкостью 512 Гбит выливается уже в 52-процентное преимущество. Правда, не весь эффект от уплотнения преобразуется в экономические дивиденды: более крупные кристаллы сложнее в производстве, поэтому мириться приходится с некоторым снижением выхода годных чипов. Но суммарно выигрыш от увеличения плотности перекрывает весь негатив, и новые SSD, построенные на 64-слойной TLC 3D V-NAND с 512-гигабитными ядрами, обходятся Samsung в изготовлении примерно на 10-15 процентов дешевле предшественников.

Погоня за снижением производственных расходов – не единственный мотив выпуска новой серии накопителей. В 860 EVO компания Samsung заодно постаралась исправить все значимые недостатки предыдущей модели и добавить новые технологии, которые вошли в оборот в течение последних двух лет. Благодаря этому в Samsung 860 EVO наконец-то устранена проблема с исполнением асинхронной команды TRIM, из-за ошибок в реализации которой сильно страдали некоторые пользователи Linux; кардинально увеличен декларируемый ресурс перезаписи; а также обновлена технология TurboWrite, которая получила приставку Intelligent в названии и серьёзно увеличила объём SLC-буфера, обслуживающего операции записи.

А поскольку воплотить всё это в жизнь одними лишь программными методами у инженеров Samsung не получалось, серия Samsung 860 EVO заодно переехала на новый контроллер собственной разработки, MJX. Хотя название этого чипа ранее нигде не всплывало, по сути MJX представляет собой адаптированную версию контроллера MARU, который компания Samsung изначально нацеливала исключительно на серверные накопители.

Если верить в обещания инженеров Samsung, контроллер MJX должен стать одной из основных причин улучшения характеристик накопителей серии 860 EVO. И для этого есть вполне объективные предпосылки. Он сохранил двухъядерный дизайн с архитектурой ARM, но, в то время как применявшийся ранее в 850 EVO контроллер MGX работал на частоте 550 МГц, частота контроллера MJX повышена до 1,0 ГГц, что влечёт за собой почти двукратное увеличение его вычислительной мощности. Правда, стоит учитывать, что столь серьёзный рост потенциала направлен разработчиками не только на повышение чистой производительности, но и на смежные задачи. Например, силами MJX в 860 EVO реализована новая схема коррекции ошибок с применением LDPC-кодов, названная разработчиками Extreme ECC.

Ещё один плюс, который даёт новый контроллер, – это возможность расширения модельного ряда Samsung 860 EVO в сторону наращивания объёмов. На момент своего анонса серия ограничивается сверху 4-терабайтной модификацией, и накопитель объёмом 4 Тбайт был и среди 850 EVO, но контроллер MJX позволяет в перспективе выпустить и 8-терабайтный потребительский накопитель, если Samsung почувствует, что на такие решения может существовать спрос.

Формальные характеристики накопителей серии представлены в следующей таблице:

Производитель	Samsung
Серия	860 EVO
Модельный номер	MZ-76E250	MZ-76E500	MZ-76E1T0	MZ-76E2T0	MZ-76E4T0
Форм-фактор	2,5 дюйма
Интерфейс	SATA 6 Гбит/с
Ёмкость, Гбайт	250	500	1000	2000	4000
Конфигурация
Флеш-память: тип, техпроцесс, производитель	Samsung 64-слойная 256-Гбит 3D TLC V-NAND	Samsung 64-слойная 512-Гбит 3D TLC V-NAND
Контроллер	Samsung MJX
Буфер: тип, объём	LPDDR4, 512 Мбайт		LPDDR4, 1 Гбайт	LPDDR4, 2 Гбайт	LPDDR4, 4 Гбайт
Производительность
Макс. устойчивая скорость последовательного чтения, Мбайт/с	550	550	550	550	550
Макс. устойчивая скорость последовательной записи, Мбайт/с	520	520	520	520	520
Макс. скорость произвольного чтения (блоки по 4 Кбайт), IOPS	98000	98000	98000	98000	98000
Макс. скорость произвольной записи (блоки по 4 Кбайт), IOPS	90000	90000	90000	90000	90000
Физические характеристики
Потребляемая мощность: бездействие/чтение-запись, Вт	0,05/2,2–3,0
MTBF (среднее время наработки на отказ), млн ч	1,5
Ресурс записи, Тбайт	150	300	600	1200	2400
Габаритные размеры: Д × В × Г, мм	100,0 × 69,85   × 6,8
Масса, г	47,5
Гарантийный срок, лет	5

Если исходить из приведённых выше спецификаций, то придётся констатировать, что скоростные характеристики у Samsung 860 EVO остались почти такими же, как были у 850 EVO. Небольшое улучшение в пределах 1–2 процентов наблюдается лишь в производительности последовательного чтения, плюс отдельно Samsung говорит о том, что у 860 EVO на 5 процентов увеличилась скорость случайной записи при отсутствии очереди запросов.

Однако нужно понимать, что здесь (как и всегда в официальных спецификациях) речь идёт о тех характеристиках быстродействия, которые получаются с учётом технологии SLC-кеширования. С производительностью же прямой записи в память всё далеко не так однозначно: она по сравнению с 850 EVO у представителей новой серии 860 EVO снизилась. Дело в том, что использование в 860 EVO новой 64-слойной TLC 3D V-NAND с увеличенными до 512 Гбит ядрами привело к двукратному снижению степени параллелизма массива флеш-памяти, и это нанесло удар по быстродействию. И если раньше падение скорости записи при исчерпании объёма SLC-буфера наблюдалось только у 250-гигабайтного накопителя, то теперь оно видно и у модели с ёмкостью 500 Гбайт, и, если присмотреться, даже у терабайтного SSD.

Приведём график скорости непрерывной последовательной записи на модели Samsung 860 EVO различных ёмкостей.

В нашем распоряжении побывали образцы ёмкостью 250, 500 и 1000 Гбайт, и, как можно видеть по полученным результатам, во всех трех случаях при исчерпании пространства SLC-кеша имеет место снижение скорости записи (у терабайтного накопителя оно почти незаметно). Причём у накопителей объёмом 250 и 500 Гбайт скорость прямой записи в массив TLC 3D V-NAND примерно одинакова и составляет немного меньше 300 Мбайт/с, а у терабайтной модели – доходит до 500 Мбайт/c. Это значит, что при продолжительных операциях записи новые накопители Samsung 860 EVO двух начальных объёмов будут заметно медленнее своих старших собратьев.

Скорость прямой записи в TLC 3D V-NAND, Мбайт/с
Ёмкость SSD	250 Гбайт	500 Гбайт	1 Тбайт	2 Тбайт	4 Тбайт
Samsung 850 EVO	290	500	500	500	500
Samsung 860 EVO	295	290	500	500	500

Впрочем, для того, чтобы реальные пользователи столкнулись с таким замедлением, операции записи должны быть очень-очень длительными, потому что в Samsung 860 EVO применение нашла усовершенствованная технология ускоренной записи Intelligent TurboWrite. Впервые эта технология появилась в NVMe-накопителе Samsung 960 EVO, и её суть заключается в том, что в дополнение к стандартной статической части памяти, работающей в быстром SLC-режиме, она динамически выделяет под SLC-кеш добавочное место из массива основной флеш памяти (при условии наличия на накопителе незанятого пользовательскими данными пространства). В результате объёмы информации, которые можно писать на Samsung 860 EVO с высокой скоростью, значительно выше, чем предусматривала предыдущая SATA-модель.

Сведения о размере статической и динамической части SLC-кеша Samsung 860 EVO приводятся в следующей таблице.

Технология Intelligent TurboWrite	Samsung 860 EVO
	250 Гбайт	500 Гбайт	1 Тбайт	2 Тбайт	4 Тбайт
Статический SLC-кеш, Гбайт	3	4	6	6	6
Динамическая часть SLC-кеша, Гбайт	9	18	36	36	72
Максимальный объём SLC-кеша, Гбайт	12	22	42	42	78

Для сравнения напомним, что размер SLC-кеша у накопителей Samsung 850 EVO формировался из расчёта 3 Гбайт на каждые 250 Гбайт ёмкости SSD. И это, например, значит, что для модели объёмом 250 Гбайт SLC-кеш в 860 EVO стал вместительнее вчетверо, а для модели на 500 Гбайт – в 3,6 раза.

Ещё одно кардинальное изменение, произошедшее в новой серии массовых накопителей Samsung, касается их декларируемой выносливости. Надо сказать, что представители семейства Samsung 850 EVO никогда не вызывали нареканий по части своей надёжности, а в наших ресурсных испытаниях они стабильно держатся среди лидеров. Однако пользователи часто отмечали, что заявленный в спецификациях ресурс, в рамках которого производитель осуществляет гарантийное обслуживание, для Samsung 850 EVO был сравнительно мал. Теперь же этот недостаток исправлен. Для младших моделей разрешённый объём перезаписи увеличен вдвое, а для старших модификаций ёмкостью 2 и 4 Тбайт – в 4 и в 8 раз соответственно. В итоге это означает, что производитель теперь разрешает перезаписывать до трети полной ёмкости накопителя ежедневно на протяжении пятилетнего гарантийного срока. Впрочем, по нынешним временам это отнюдь не рекордный, а скорее типичный показатель паспортной надёжности.

⇡#Внешний вид и внутреннее устройство

Для тестирования новинки мы получили от производителя три наиболее интересные модели 860 EVO: с ёмкостью 250, 500 и 1000 Гбайт. Необходимость рассмотрения сразу трёх таких модификаций обусловлена их внутренней конструкцией. Samsung 860 EVO 250 Гбайт – единственный накопитель в ряду новинок, в котором применяется 64-слойная TLC 3D V-NAND c 256-гигабитными ядрами. Samsung 860 EVO 500 Гбайт использует иную разновидность TLC 3D V-NAND, с ядрами ёмкостью 512 Гбит, но имеет точно такую же уменьшенную степень параллелизма массива флеш-памяти, как и модель объёмом 250 Гбит. А Samsung 860 EVO 1 Тбит – это уже абсолютно полноценная модель, где и память стоит «правильная», 512-гигабитная, и массив флеш-памяти достаточно параллелизирован для того, чтобы производительность применённой аппаратной платформы раскрывалась в полной мере.

Внешнее исполнение накопителей серии Samsung 860 EVO осталось таким же, как было у их предшественников в лице 850 EVO. Новые SSD помещены в тот же самый чёрный алюминиевый корпус, на лицевой стороне которого краской нанесён логотип Samsung и серый квадрат – своего рода мнемоническая отсылка принадлежности продукта к массовому сегменту. Оборотная сторона корпуса несёт на себе наклейку с названием модели, ёмкостью, артикулом, серийным номером, ключом PSIM и прочими вспомогательными сведениями.

Здесь стоит обратить внимание на две вещи. Во-первых, на наклейке имеется информация о дате выпуска SSD, и она указывает на ноябрь прошлого года. Получается, что новинка была подготовлена достаточно давно, но Samsung по каким-то причинам решила не выпускать её перед началом рождественских распродаж, а отложила анонс на «низкий сезон» – начало года.  Во-вторых, серийный номер первых образцов 860 EVO начинается с символов S3Y. Значит, нумерация остаётся сквозной, и номера 860 EVO продолжают ряд, начатый 850 EVO.

Внутренности 860 EVO тоже вряд ли удивят того, кто хоть раз заглядывал под крышку Samsung 850 EVO или хотя бы видел фотографии «потрохов» этого SSD. Дело в том, что компоновка печатной платы практически не изменилась: это всё такой же смехотворный кусочек текстолита, на котором ютятся контроллер, две микросхемы флеш-памяти и DRAM-буфер.

Однако есть нюанс: платы из 860 EVO ёмкостью 250, 500 и 1000 Гбайт похожи между собой и перекликаются по компоновке с платой 850 EVO 500 Гбайт, но не с вариантами 850 EVO иных ёмкостей. То есть в новом накопителе имеет место дополнительная унификация начинки, которой ранее не было.

Во всех трёх случаях можно наблюдать один и тот же контроллер Samsung MJX, который пока имеет старую «серверную» маркировку MARU, и немного различный набор чипов памяти. Что касается DRAM-буфера, то в версиях 860 EVO с объёмом 250 и 500 Гбайт его роль исполняет микросхема LPDDR4-1866 ёмкостью 512 Мбайт, а в 860 EVO 1 Тбайт применён чип LPDDR4-1866 вдвое большей ёмкости — 1024 Мбайт. Получается, что буфер, который используется контроллером для хранения копии таблицы трансляции адресов, в Samsung 860 EVO типичен по своему объёму, но использует динамическую память более свежего стандарта: до сих пор в SSD мы, как правило, наблюдали разновидности DDR3 SDRAM.

Массив флеш-памяти во всех трёх вскрытых SSD был составлен из двух чипов. Но микросхемы, естественно, различны. В Samsung 860 EVO 250 Гбайт они имеют маркировку K9CKGY8H5A и содержат внутри себя по четыре 256-гигабитных кристалла 64-слойной TLC 3D V-NAND каждый; в 860 EVO 500 Гбайт маркировка чипов K9CMGY8J5M говорит о том, что они содержат по четыре 512-гигабитных кристалла 64-слойной TLC 3D V-NAND; а микросхемы K90UGY8J5M, которые установлены в версии накопителя 1 Тбайт, собраны из восьми кристаллов 64-слойной TLC 3D V-NAND ёмкостью 512 Гбит.

Значит, восьмиканальный контроллер Samsung MJX в версиях 860 EVO 250 и 500 Гбайт работает с массивом флеш-памяти без дополнительного чередования устройств NAND в каналах, а в 860 EVO 1 Тбайт применяется двукратное чередование. Такая разница во внутренней организации может стать причиной того, что 860 EVO 1 Тбайт окажется заметно быстрее младших модификаций, которые, в свою очередь, должны оказаться схожи по производительности. И это – важное отличие Samsung 860 EVO от большинства прочих потребительских SSD, у которых максимальная производительность достигается уже в моделях ёмкостью 500 Гбайт. В Samsung 860 EVO акцент сделан на более вместительных моделях, и лучшее быстродействие смогут предложить лишь версии объёмом 1 Тбайт и больше.

⇡#Программное обеспечение

Массовые накопители компании Samsung традиционно снабжаются фирменной сервисной утилитой Magician, которая, начиная с версии 5.2, поддерживает в том числе и 860 EVO. Эту утилиту принято ставить примером того, каким ПО должны сопровождаться потребительские SSD, поэтому предъявить какие-либо претензии к её функциональности или интерфейсу не так-то просто. Впрочем, набор возможностей нельзя назвать неожиданным.

Samsung Magician 5.2 позволяет получить общую информацию о накопителе, о режиме его работы, о версии прошивки и об объёме записанных данных. Также утилита даёт возможность ознакомиться с состоянием атрибутов, возвращаемых в S.M.A.R.T.

Утилита позволяет провести оценочные тесты производительности накопителя и убедиться в его полной совместимости с системой, в которой он установлен.

С помощью Magician можно вручную отправить на накопитель пакет команд TRIM, а также скорректировать размер неразмеченного файловой системой пространства, переводя часть ёмкости SSD в дополнительную резервную зону.

Также через Magician выполняется управление встроенными в Samsung 860 EVO функциями аппаратного шифрования (они, как и раньше, поддерживаются в полном объёме). Плюс к сказанному, утилита позволяет создать загрузочную «флешку» для полного стирания данных при помощи команды Secure Erase.

Отдельно стоит упомянуть о том, что посредством Samsung Magician может быть активирован фирменный режим Rapid – программное кеширование запросов к накопителю в оперативной памяти компьютера, работающее на уровне операционной системы.

⇡#Методика тестирования

Тестирование проводится в операционной системе Microsoft Windows 10 Enterprise x64 Build 10586, корректно распознающей и обслуживающей современные твердотельные накопители. Это значит, что в процессе прохождения тестов, как и при обычном повседневном использовании SSD, команда TRIM поддерживается и активно задействуется. Измерение производительности выполняется с накопителями, находящимися в «использованном» состоянии, которое достигается их предварительным заполнением данными. Перед каждым тестом накопители очищаются и обслуживаются с помощью команды TRIM. Между отдельными тестами выдерживается 15-минутная пауза, отведённая для корректной отработки технологии сборки мусора. Во всех тестах используются рандомизированные несжимаемые данные.

Раздел, в пределах которого тестируется скорость операций, имеет размер 32 Гбайт, а продолжительность каждого теста составляет сорок секунд. Такие параметры, в частности, позволят получать более релевантные результаты для тех SSD, которые используют различные технологии SLC-кеширования.

Используемые приложения и тесты:

• Iometer 1.1.0
  • Измерение скорости последовательного чтения и записи данных блоками по 256 Кбайт (наиболее типичный размер блока при последовательных операциях в десктопных задачах). Оценка скоростей выполняется в течение минуты, после чего вычисляется средний показатель.
  • Измерение скорости случайного чтения и записи блоками размером 4 Кбайт (такой размер блока используется в подавляющем большинстве реальных операций). Тест проводится дважды — без очереди запросов и с очередью запросов глубиной 4 команды (типичной для десктопных приложений, активно работающих с разветвлённой файловой системой). Блоки данных выравниваются относительно страниц флеш-памяти накопителей. Оценка скоростей выполняется в течение тридцати секунд, после чего вычисляется средний показатель.
  • Установление зависимости скоростей случайного чтения и записи при работе накопителя с 4-килобайтными блоками от глубины очереди запросов (в пределах от одной до 32 команд). Блоки данных выравниваются относительно страниц флеш-памяти накопителей. Оценка скоростей выполняется в течение тридцати секунд, после чего вычисляется средний показатель.
  • Установление зависимости скоростей случайного чтения и записи при работе накопителя с блоками разного размера. Используются блоки объёмом от 512 байт до 256 Кбайт. Глубина очереди запросов в течение теста составляет 4 команды. Блоки данных выравниваются относительно страниц флеш-памяти накопителей. Оценка скоростей выполняется в течение тридцати секунд, после чего вычисляется средний показатель.
  • Измерение производительности при смешанной многопоточной нагрузке и установление её зависимости от соотношения между операциями чтения и записи. Тест проводится дважды: для последовательных операций чтения и записи блоками объёмом 128 Кбайт, выполняемых в два независимых потока, и для случайных операций с блоками объёмом 4 Кбайт, которые выполняются в четыре независимых потока. В обоих случаях соотношение между операциями чтения и записи варьируется с шагом 20 процентов. Оценка скоростей выполняется в течение тридцати секунд, после чего вычисляется средний показатель.
  • Исследование падения производительности SSD при обработке непрерывного потока операций случайной записи. Используются блоки размером 4 Кбайт и глубина очереди 32 команды. Блоки данных выравниваются относительно страниц флеш-памяти накопителей. Продолжительность теста составляет два часа, измерения моментальной скорости проводятся ежесекундно. По окончании теста дополнительно проверяется способность накопителя восстанавливать свою производительность до первоначальных величин за счёт работы технологии сборки мусора и после отработки команды TRIM.
• CrystalDiskMark 5.5.0
  • Синтетический тест, который выдаёт типовые показатели производительности твердотельных накопителей, измеренные на 1-гигабайтной области диска «поверх» файловой системы. Из всего набора параметров, которые можно оценить с помощью этой утилиты, мы обращаем внимание на скорость последовательного чтения и записи, а также на производительность произвольных чтения и записи 4-килобайтными блоками без очереди запросов и с очередью глубиной 32 команды.
• PCMark 8 Storage Benchmark 2.0
  • Тест, основанный на эмулировании реальной дисковой нагрузки, которая характерна для различных популярных приложений. На тестируемом накопителе создаётся единственный раздел в файловой системе NTFS на весь доступный объём, и в PCMark 8 проводится тест Secondary Storage 2.0. В качестве результатов теста учитывается как итоговая производительность, так и скорость выполнения отдельных тестовых трасс, сформированных различными приложениями.
• Тесты реальной файловой нагрузки
  • Измерение скорости копирования директорий с файлами разного типа. Для копирования применяется стандартное средство Windows – утилита Robocopy, а в качестве тестового набора используется рабочая директория, включающая офисные документы, фотографии и иллюстрации, pdf-файлы и мультимедийный контент общим объёмом 8 Гбайт.
  • Измерение скорости архивации файлов. Тест проводится с той же рабочей директорией, что и копирование, а в качестве инструмента для компрессии файлов избран архиватор 7-zip версии 9.22 beta. Для уменьшения влияния производительности процессора используется метод Deflate.
  • Исследование скорости разворачивания архива. Тест проводится с архивом, полученным при измерении скорости архивации.
  • Оценка скорости запуска игрового приложения. Измеряется производительность дисковой подсистемы при выполнении сценария, захваченного при запуске игры Far Cry 4 и загрузке в ней уровня с пользовательским сохранением. Для минимизации влияния производительности процессора и памяти все задержки, возникающие по их вине, из тестового сценария убраны.
  • Оценка скорости старта приложений, формирующих типичную рабочую пользовательскую среду. Измеряется производительность дисковой подсистемы при выполнении сценария, захваченного при запуске пакета приложений, который состоит из браузера Google Chrome, текстового редактора Microsoft Word, графического редактора Adobe Photoshop и видеоредактора Adobe Premiere Pro с рабочими файлами. Для минимизации влияния производительности процессора и памяти все задержки, возникающие по их вине, из тестового сценария убраны.

⇡#Тестовый стенд

В качестве тестовой платформы используется компьютер с материнской платой ASUS Maximus VIII Ranger, процессором Core i5-6600K со встроенным графическим ядром Intel HD Graphics 530 и 8 Гбайт DDR4-2133 SDRAM. Приводы с SATA-интерфейсом подключаются к контроллеру SATA 6 Гбит/с, встроенному в чипсет материнской платы, и работают в режиме AHCI. Используется драйвер Intel Rapid Storage Technology (RST) 14.8.0.1042.

Объём и скорость передачи данных в бенчмарках указываются в бинарных единицах (1 Кбайт = 1024 байт).

⇡#Список участников тестирования – 480-525 Гбайт, 1 Тбайт

Samsung 860 EVO является полноправным наследником 850 EVO и заменяет его на рынке. То есть производитель ожидает, что новая модель окажется столь же удачной и сможет завоевать репутацию одного из лучших SATA SSD для повседневного использования в среднестатистических ПК. Поэтому для сравнения с Samsung 860 EVO мы собрали такой набор соперников, который, как и главный герой, может похвастать выгодным сочетанием цены и производительности.

В связи с тем, что в модельном ряду Samsung 860 EVO присутствует фактически два разных варианта аппаратной платформы с флеш-памятью с 256-гигабитными и 512-гигабитными ядрами, тестирование поделено на две части. В первой мы представим сравнительные тесты версий Samsung 860 EVO, основанных на 512-Гбит ядрах, то есть с ёмкостью 500 Гбайт и 1 Тбайт. Если же вас интересует тестирование 250-Гбайт накопителя – переходите на следующую страницу.

В первой части тестирования участвовали следующие SSD:

Напомним, что из представленного списка трёхмерная флеш-память с 64 слоями используется не только в Samsung 860 EVO, но и в Samsung 850 EVO, Intel SSD 545s (64-слойная Intel 3D TLC NAND) и в Smartbuy Puls (64-слойная Toshiba BiCS3).

⇡#Производительность последовательного чтения и записи

Samsung 850 EVO 500 Гбайт мог при последовательных операциях задействовать всю пропускную способность SATA-интерфейса. Новый 860 EVO 500 Гбайт работать с такой же производительностью неспособен. Степень параллелизма его массива памяти сократилась вдвое, и при последовательной записи это очень сказывается. Однако версия 860 EVO 1 Тбайт, где массив флеш-памяти состоит из вдвое большего числа NAND-устройств, вновь демонстрирует рекордные скорости.

⇡#Производительность произвольного чтения

В целом при операциях случайного чтения Samsung 860 EVO немного проигрывают предшествующей модели. К сожалению, работа с крупными 512-гигабитными кристаллами V-NAND памяти увеличивает накладные расходы, и это иногда сказывается не лучшим образом.

Кроме того, низкая степень параллелизма массива флеш-памяти в версии 860 EVO ёмкостью 500 Гбайт проявляется при операциях чтения с глубокой очередью запросов. И в этом случае данная модификация достаточно заметно отстаёт от Samsung 850 EVO аналогичного объёма. Впрочем, даже несмотря на это, за Samsung 860 EVO всё равно остаётся место одного из лидеров.

⇡#Производительность произвольной записи

Ситуация, которую мы наблюдали при последовательной записи, повторяется и при случайной. Как только глубина очереди запросов позволяет контроллеру консолидировать обращения для улучшения производительности, версия Samsung 860 EVO с объёмом 500 Гбайт начинает отставать и от Samsung 860 EVO 1 Тбайт, и от предшествующего накопителя. Вывод из этого очевиден: для того чтобы производительность твердотельного накопителя не ограничивалась возможностями флеш-памяти, её массив должен состоять из числа устройств NAND, как минимум вдвое превышающего число каналов контроллера. Для Samsung 860 EVO 500 Гбайт это правило не выполняется, поэтому мы и наблюдаем SSD с производительностью, которая искусственно сдерживается пропускной способностью самсунговской TLC 3D V-NAND.

К производительности же Samsung 860 EVO 1 Тбайт никаких претензий нет. Этот накопитель достойно развивает семейство SSD южнокорейского гиганта и немного поднимает планку быстродействия, хотя раньше нам и казалось, что 850 EVO достиг максимума, возможного для SATA SSD.

⇡#Производительность при смешанной нагрузке

Смешанная нагрузка – это то место, где пришедший из серверной среды контроллер Samsung MJX (бывший MARU) может развернуться с полной силой. Однако для того, чтобы это ему полностью удалось, массив флеш-памяти должен иметь достаточную степень параллелизма. Такое правило выполняется для Samsung 860 EVO 1 Тбайт, и данный накопитель демонстрирует просто-таки поразительные результаты, на голову превосходя все альтернативы.

Что же касается 860 EVO 500 Гбайт, то он выглядит как будто совершенно иная модель SSD. Из-за «ущербности» массива флеш-памяти, для которого Samsung пожалела 256-гигабитные чипы, показатели производительности 860 EVO 500 Гбайт оказываются не только существенно ниже, чем у 850 EVO, но и хуже, чем у многих других популярных потребительских SATA-накопителей.

⇡#Производительность в CrystalDiskMark

Было бы наивным думать, что простой тест CrystalDiskMark способен выявить ключевые различия между Samsung 850 EVO и 860 EVO. Он оперирует небольшим тестовым файлом, который полностью помещается в SLC-кеше, создаваемом в рамках технологии TurboWrite, поэтому в нём новинка смотрится очень выигрышно. Она якобы превосходит 850 EVO по скорости случайного чтения, и к тому же, по мнению CrystalDiskMark, версии 860 EVO объёмом 500 Гбайт и 1 Тбайт вообще не различаются по скоростным параметрам.

⇡#Производительность в PCMark 8 Storage Benchmark 2.0

То, что платформа Samsung 860 EVO, объединяющая контроллер MJX и 64-слойную TLC 3D V-NAND, представляет собой весьма продвинутое решение, не вызывает никаких сомнений. Однако в синтетических тестах мы выявили немало слабых мест накопителя 860 EVO объёмом 500 Гбайт, возникших из-за того, что производитель сильно урезал в нём внутренний параллелизм. Но правда заключается в том, что для обычного пользователя это будет практически незаметно. В 860 EVO реализована продвинутая технология SLC-кеширования Intelligent TurboWrite, благодаря которой даже в 500-гигабайтном накопителе максимальный размер SLC-кеша доведён до 22 Гбайт. Такого объёма вполне достаточно для того, чтобы среднестатистические нагрузки реализовывались исключительно в режиме ускоренной записи. Именно это и иллюстрирует результат PCMark 8. Производительность 860 EVO объёмом 500 Гбайт и 1 Тбайт в нём почти одинакова и примерно соответствует тому результату, который показывал 850 EVO. А значит, Samsung 860 EVO продолжают удерживать в PCMark 8 безоговорочное лидерство.

Однако приведённый выше усреднённый результат скрывает весьма любопытные детали. Если посмотреть на показатели, выдаваемые флеш-приводами при прохождении отдельных тестовых трасс, то окажется, что по профилю производительности 860 EVO несколько отличается от 850 EVO.

Так, 860 EVO превосходит 850 EVO в Adobe After Effects, Battlefield 3 и Microsoft Word, но проигрывает ему в Adobe Illustrator, Adobe InDesign, Microsoft Excel и World of Warcraft.

⇡#Производительность при реальной нагрузке

Массивный SLC-кеш позволяет 860 EVO лихо обходиться с типичными файловыми операциями. Для работы с файловой системой внутри накопителя у Samsung получилось очень неплохое решение.

При запуске программ Samsung 860 EVO объёмом 500 Гбайт и 1 Тбайт немного проигрывают предшественнику. Вполне естественно: скорость случайных операций чтения стала немного ниже, и это выливается в такой результат. Впрочем, особенно переживать по этому поводу вряд ли стоит. В роли системного накопителя Samsung 860 EVO всё равно быстрее всех конкурирующих вариантов, за исключением разве только Intel SSD 545s.

⇡#Список участников тестирования – 240-275 Гбайт

Во второй части тестирования участие приняли следующие модели SSD:

⇡#Производительность последовательного чтения и записи

К накопителям ёмкостью четверть терабайта требования совсем другие. Никто не ждёт, что при прямой записи в массив флеш-памяти они смогут полностью выбирать всю пропускную способность SATA-интерфейса. И результат Samsung 860 EVO 250 Гбайт здесь находится на среднем уровне. Эта версия SSD немного быстрее прошлой, но тем не менее накопители с MLC-памятью или с более вместительным SLC-кешем закономерно выдают более высокие показатели при записи.

⇡#Производительность произвольного чтения

Смена контроллера с MGX на MJX положительно повлияла на быстродействие Samsung 860 EVO при случайном чтении. По сравнению с Samsung 850 EVO накопитель стал несколько быстрее, что позволило ему ещё увереннее закрепиться в верхней части диаграмм.

⇡#Производительность произвольной записи

Скорость записи у 860 EVO ёмкостью 250 Гбайт сохранилась на том же уровне, что был у 850 EVO. Ничего удивительного: в настоящий момент эти модели используют идентичные восьмиканальные массивы флеш-памяти, построенные на 256-гигабитных кристаллах 64-слойной TLC 3D V-NAND.

⇡#Производительность при смешанной нагрузке

Зато при смешанной нагрузке, когда накопителям приходится иметь дело с необходимостью одновременной обработки разнонаправленных операций, Samsung 860 EVO 250 Гбайт показывает чуть лучший по сравнению с 850 EVO результат. Новый контроллер MJX помогает новинке раскрывать высокую производительность именно в таких сложных ситуациях.

⇡#Производительность в CrystalDiskMark

⇡#Производительность в PCMark 8 Storage Benchmark 2.0

Комплексная производительность Samsung 860 EVO 250 Гбайт оказалась ощутимо лучше, чем у 850 EVO. Но удивительнее другое: 250-гигабайтный накопитель способен развивать быстродействие даже выше, чем предлагают варианты 860 EVO большей ёмкости. Это ещё одно подтверждение того, что 256-гигабитная память, которая ставится исключительно в 250-гигабайтную модификацию 860 EVO, обладает несколько лучшими скоростными параметрами.

Интегральный результат PCMark 8 2.0 нужно дополнить и показателями производительности, выдаваемыми флеш-приводами при прохождении отдельных тестовых трасс, которые моделируют различные варианты реальной нагрузки.

⇡#Производительность при реальной нагрузке

Технология Intelligent TurboWrite, существенно расширившая размеры SLC-кеша в Samsung 860 EVO 250 Гбайт — с 3 до 12 Гбайт, хорошо помогает при интенсивной файловой активности. И при содействии контроллера MJX, который способен эффективно обслуживать одновременные разнонаправленные операции, в тестах копирования, архивации и разархивации новинка занимает лидирующие позиции.

Не подведёт Samsung 860 EVO 250 Гбайт и при работе в роли системного накопителя, с которого выполняется запуск приложений. Но здесь особого прогресса по сравнению с 850 EVO не наблюдается: оба накопителя предлагают в данном сценарии примерно одинаковую скорость, которая, тем не менее, выше, чем у конкурирующих моделей.

⇡#Деградация и восстановление производительности

Наблюдение за изменением скорости записи в зависимости от объёма записанной на диск информации — весьма важный эксперимент, позволяющий понять работу внутренних алгоритмов накопителя. В данном тесте мы загружаем SSD непрерывным потоком запросов на случайную запись 4-килобайтных блоков с очередью максимальной глубины и попутно следим за той производительностью, которая при этом наблюдается. На приведённом ниже графике в виде точек отмечены результаты измерений моментальной производительности, которые мы снимаем ежесекундно, а чёрная линия показывает среднюю скорость, наблюдаемую в течение 30-секундного интервала.

В целом Samsung 860 EVO может похвастать отличным постоянством производительности как до исчерпания свободного места во флеш-памяти, так и после этого. Но ничего странного в этом нет: новые накопители базируются на контроллере серверного происхождения, а постоянство производительности – ключевое требование в таких средах.

Кроме того, приведённые на графиках результаты позволяют сделать ряд интересных наблюдений относительно технологии Intelligent TurboWrite. Её влияние заметно лишь в работе накопителей объёмом 250 и 500 Гбайт, терабайтная же модель демонстрирует одинаковую скорость случайной записи на уровне 90 тысяч IOPS как при попадании данных в SLC-кеш, так и при обращении напрямую в массив TLC 3D V-NAND.

Другой интересный момент касается того, что после заполнения SLC-кеша производительность накопителя на некоторое время снижается не до обеспечиваемых самсунговской TLC 3D V-NAND 77 тысяч IOPS, а ещё на 3-4 тысячи IOPS ниже. Можно предположить, что в этот момент контроллер занимается освобождением динамической части SLC-кеша, что создаёт дополнительную нагрузку на контроллер.

Посмотрим теперь, как происходит восстановление скоростных характеристик до первоначальных величин за счёт работы технологии сборки мусора. Для исследования этого вопроса после завершения предыдущего теста, приводящего к снижению скорости записи, мы выжидаем 15 минут, в течение которых SSD может попытаться самостоятельно восстановиться за счёт сборки мусора, но без помощи со стороны операционной системы и команды TRIM, и замеряем быстродействие. Затем на накопитель принудительно подаётся команда TRIM — и скорость измеряется ещё раз, что позволяет убедиться в способности SSD с помощью TRIM полностью восстанавливать свою паспортную производительность.

Команда TRIM у Samsung 860 EVO работает, как и должна, – она позволяет поддерживать производительность накопителя на первоначальном высоком уровне. Автономная сборка мусора без команды TRIM тоже работает, но объём освобождаемого под будущие операции места соответствует размеру статической части SLC-кеша, а значит он – не слишком большой. Тем не менее, как и в случае Samsung 850 EVO, новинку вполне можно использовать там, где команда TRIM не поддерживается: при типичных пользовательских нагрузках и при небольших объёмах записи 860 EVO всё равно сможет предложить высокую (в рамках SATA-интерфейса) скорость.

Попутно стоит сказать и о том, что в Samsung 860 EVO разработчики починили обработку асинхронной команды TRIM. Такой её вариант используется в Linux, и прошлая серия накопителей Samsung имела досадную ошибку в реализации данной команды, из-за которой возникала опасность потери данных. По этой причине серия 850 EVO была занесена в чёрный список, и поддержка TRIM в Linux для неё деактивировалась. Теперь же проблема исправлена, асинхронный TRIM работает, и деградация производительности в Linux накопителям серии Samsung 860 EVO не грозит.

⇡#Особенности реализации TRIM

Выполнение команды TRIM современным накопителям даётся не столь просто, как можно было бы подумать. Когда операционная система передаёт накопителю информацию о том, что какие-то сектора выводятся файловой системой из обращения, контроллер SSD должен консолидировать эти сектора и очистить освобождающиеся страницы флеш-памяти для выполнения будущих операций. Такая перегруппировка требует перезаписи и очистки областей памяти, и это не только занимает заметное время, но и серьёзно нагружает контроллер работой. В результате после удаления с диска больших объёмов данных владельцы SSD могут столкнуться с эффектом временного замедления или даже с «фризами» накопителя.

Обычно это выглядит следующим образом:

Провал в Disk transfer rate с одновременным скачком в загрузке SSD – результат обработки TRIM

Проблему фиксирует даже стандартный диспетчер задач Windows 10. Спустя несколько секунд после удаления большого файла SSD на некоторое время оказывается полностью загружен внутренними процессами и отказывается реагировать на какие-либо поступающие извне запросы. В это время он «погружается в себя» и при самом плохом сценарии прекращает обслуживать даже элементарные запросы на чтение данных. На практике это может вызвать серьёзный дискомфорт, ведь никто не ожидает, что SSD, основным достоинством которого является моментальная реакция на внешние воздействия, будет замирать на несколько секунд.

Поэтому мы добавили в методику дополнительное исследование, которое позволяет отслеживать, насколько незаметно для пользователя тот или иной SSD обслуживает команды TRIM. Способ проверки очень прост: сразу после удаления крупного файла — объёмом 32 Гбайт — мы проверяем, как накопитель справляется с операциями произвольного чтения данных, контролируя как скорость чтения, так и время ожидания, которое проходит с момента каждого запроса данных до ответа накопителя.

Алгоритм обработки представителями серии Samsung 860 EVO команды TRIM можно назвать образцовым. После её отправки время реакции накопителя на внешние воздействия практически не меняется, он продолжает отвечать на запросы с латентностью не более единиц миллисекунд. Стоит заметить, что подобной незаметной сборкой мусора могут похвастать лишь немногие модели потребительских SSD. Вполне обычным является сценарий, когда на время исполнения накопителем операции TRIM (на несколько секунд) его латентность возрастает до сотен миллисекунд. И даже предыдущая самсунговская модель, 850 EVO, заметно увеличивала своё время отклика после передачи на неё команды TRIM.

⇡#Тестирование выносливости

Результаты тестирования надёжности Samsung 860 EVO приведены в отдельном специальном материале «Надёжность SSD: результаты ресурсных испытаний».

⇡#Выводы

Выпуском 860 EVO компания Samsung решает в первую очередь свою собственную задачу – оптимизирует себестоимость своего самого популярного SATA SSD. На рынке твердотельных накопителей грядёт новый раунд ожесточённой ценовой войны, и южнокорейская компания заблаговременно готовит пространство для манёвра. Samsung 860 EVO – это накопитель, розничная цена которого при необходимости может быть снижена существенно сильнее, чем у 850 EVO, поскольку в нём применяется новая 64-слойная TLC 3D V-NAND с кристаллами с удвоенной до 512 Гбит ёмкостью, которая обеспечивает примерно на 20 процентов большую плотность хранения данных (по сравнению с аналогичной 64-слойной памятью с 256-Гбит кристаллами).

Исходя из этого и следует оценивать новинку. Применение более крупных NAND-ядер снижает параллелизм массива флеш-памяти, поэтому если говорить о гипотетической пиковой пропускной способности, которую может обеспечить Samsung 860 EVO, то она стала ниже, чем была в 850 EVO. Однако инженеры Samsung постарались компенсировать уменьшение числа параллельно работающих в накопителе устройств флеш-памяти за счёт применения более мощного контроллера серверного уровня MJX и улучшенной технологии ускоренной записи Intelligent TurboWrite.

И поставленная задача была достаточно успешно решена. С точки зрения обычного пользователя, потребности которого вряд ли требуют взаимодействия с SSD за пределами вместительного SLC-кеша, производительность Samsung 860 EVO в среднестатистических сценариях нагрузки как минимум не хуже, чем у 850 EVO. И даже больше того: новые накопители с ёмкостью 1 Тбайт и выше, у которых параллелизм массива флеш-памяти достаточен для перекрытия полосы пропускания SATA-интерфейса, могут предложить возросшее быстродействие практически в любых ситуациях, вне зависимости от того, о работе с какими объёмами информации идёт речь. Иными словами, претензии к производительности 860 EVO предъявить очень трудно. Как и их предшественники, рассмотренные в этом обзоре новые накопители компании Samsung продолжают удерживать лидерство в быстродействии среди массовых решений с интерфейсом SATA.

Отдельную ремарку необходимо сделать относительно версии Samsung 860 EVO с ёмкостью 250 Гбайт, которая в обновлённом модельном ряду стоит несколько особняком. В отличие от остальных сородичей, она продолжает использовать 256-гигабитные устройства TLC 3D V-NAND, и поэтому её скорость выше, чем у 850 EVO 250 Гбайт, вообще всегда и везде без каких-либо оговорок и допущений.

Вместе с переездом на новую аппаратную платформу инженеры Samsung постарались дать ответ и на все те претензии, которые накопились у пользователей к представителям серии 850 EVO. Во-первых, в новых накопителях в разы увеличен заявленный ресурс записи, что прекрасно сочетается с высокой практической выносливостью самсунговской TLC 3D V-NAND и позволяет не терять гарантию при достаточно интенсивном использовании SSD. Во-вторых, в 860 EVO устранены проблемы с обслуживанием команды TRIM в Linux, из-за которых при сочетании определённых факторов в этой операционной системе могла наблюдаться деградация производительности.

Таким образом, серия Samsung 860 EVO стала ещё на шаг ближе к идеалу. Но что особенно приятно, все проведённые улучшения никоим образом не сказались на текущей розничной цене: производитель планирует продавать накопители 860 EVO не дороже, чем стоили их предшественники. И это в конечном итоге делает из Samsung 860 EVO очень выгодное предложение для персональных компьютеров с дисковой подсистемой на базе интерфейса SATA. Среди всех возможных альтернатив такого рода Samsung 860 EVO не только лидирует по производительности и находится в числе отличных вариантов по надёжности, но и вполне доступен по стоимости.

Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

Обзор твердотельных накопителей Samsung 850 Evo, 860 Evo и 860 Pro

Методика тестирования накопителей образца 2016 года

На начало этого года нами было запланировано небольшое обновление тестовой методики, однако его решено было чуть-чуть отложить, чтобы можно было сравнить еще три интересных накопителя со всеми ранее изученными. Что в них такого интересного? В первую очередь — производитель и его история.

В отличие от многих других компаний, работающих на данном рынке, компания Samsung стояла у его истоков (если можно так выразиться), причем ее всегда «интересовали» устройства высокого класса. В частности, именно Samsung 64 GB SSD SATA-2 около десяти лет назад был одним из немногих конкурентов Intel X25-M на момент выхода последнего, причем в ряде сценариев он тогда так и остался непревзойденным. Конечно, это его не спасло: как и у всех устройств «первого поколения», высокие скоростные характеристики достигались благодаря использованию быстрой, но очень дорогой SLC-памяти. X25-M же продемонстрировал другой способ повышения производительности: сочетание [относительно] недорогого MLC-флэша с интеллектуальным контроллером. В итоге получилось быстрое устройство ценой в $600 за 80 ГБ — на что Samsung и остальные могли ответить разве что моделью с 64 ГБ за $1000.

Выводы компания сделала правильные, сразу же занявшись разработкой контроллеров. Первое время они продавались многим производителям, но звезд с неба не хватали. С другой стороны, это позволило накопить необходимый опыт и окончательно определиться с направлениями дальнейшего развития. Приняты были два серьезных решения: во-первых, продать бизнес накопителей на жестких магнитных дисках (чтоб не мешал), а во-вторых, выпускать твердотельные накопители полностью собственной разработки, причем не отдавая компоненты «на сторону». Первое на тот момент казалось смелым, но рискованным шагом: все-таки винчестеры имели очень устойчивый спрос благодаря ценам, так что напрямую флэш-память с ними конкурировать никак не могла. Однако с т. з. крупнейшего производителя полупроводников логичным было как раз поработать над тем, чтоб смогла 🙂 Что компания и делала последующие годы, тем более имея в рукаве такой серьезный козырь, как самостоятельное производство всего необходимого, а также первое место по объемам производства конкретно флэш-памяти. В итоге контроллеры всегда можно было «подогнать» под память, а память — под контроллеры, да и от рыночной конъюнктуры Samsung зависел гораздо слабее, чем большинство производителей — скорее, компания ее определяла. Многие перспективные направления тоже были правильно просчитаны заранее. В частности, более четырех лет назад мы уже знакомились с Samsung SSD 840 Evo — по сути, второй попыткой компании (первой был «обычный» 840) создать быстрый и надежный накопитель на базе TLC-памяти, которую для этого тогда не использовал никто. И даже не пытался. Нельзя сказать, что обошлось совсем без шероховатостей, но ценный опыт был накоплен. В частности, тогда же была опробована технология SLC-кэширования.

Казалось бы, что тут особенного? Сейчас TLC-память уже привычна — ее используют все. И SLC-кэш тоже. Но это было, напомним, в 2013 году. И примерно тогда же в Samsung было решено заняться «трехмерной» флэш-памятью, поскольку традиционный подход с сохранением «обычных» ячеек и уменьшением норм производства начал постепенно заходить в тупик. Впрочем, о переходе на 3D NAND в те годы заговорили все производители, поскольку все находились в сходном положении. Но от разговоров до внедрения всегда проходит достаточно много времени — кто-то преодолевает этот путь быстрее, кто-то медленнее. Samsung удалось опередить всех: уже в середине 2014 года появились первые коммерческие продукты, использующие V-NAND (как ее назвал разработчик). Первое время компания конфигурировала эту память исключительно как MLC, для работы в более щадящем режиме, однако с 2015 года начало́ увеличиваться количество кристаллов, способных надежно работать и с восемью уровнями, что позволяет хранить три бита информации. Отметим, кстати, что Samsung предпочитает не использовать аббревиатуру «TLC», говоря о «3-bit MLC». В принципе, это вполне корректно, хоть некоторых и может сбивать с толку. Но большинству покупателей важно, все-таки, не как что называется, а как оно работает. И сегодня мы это изучим на примере трех продуктов Samsung — двух совсем новых и одного тоже почти нового.

Samsung V-NAND SSD 850 Evo 500 ГБ

Первые накопители линейки с таким названием появились, как уже было сказано, в 2015 году. В принципе, они были сильно похожи на 840 Evo, но использовали вместо планарных кристаллов по 128 Гбит 32-слойную 3D той же емкости. Чуть похудел ассортимент: 120 / 250 / 500 / 1000 ГБ — без интересной промежуточной модели емкостью 750 ГБ. В старшей модели остался даже тот же трехъядерный контроллер MEX, что и в 840 Evo, а остальные получили двухъядерные, но усовершенствованные MGX, работающие в паре с памятью LPDDR2 с частотой 1066 МГц и емкостью до 1 ГБ. При этом накопитель (как и предшественник) позиционировался как конкурент устройствам среднего уровня — в то время в основном использующим MLC-память. Впрочем, даже таковые зачастую имели лишь трех-, а не пятилетнюю гарантию, ставшую визитной карточкой семейства Evo. В том числе, и появившейся чуть позже модификации на 2 ТБ — что по тем временам было очень серьезным значением, так что потребовало и появления специального контроллера MHX (заодно и DRAM-кэш в этой модели перевели на более быструю LPDDR3-память).

Существенно превзойденным во втором поколении 850 Evo, где применялась уже 48-слойная 3D NAND с кристаллами по 256 Гбит. В принципе, это и при прочих равных позволило бы преобразовать модельный ряд из «120 /250 / 500 / 1000 / 2000 ГБ» в «250 / 500 / 1000 / 2000 / 4000 ГБ», что и было сделано, но и прочими равными компания не ограничилась. Переведя, например, DRAM-кэш с LPDDR2 на LPDDR3 во всей линейке и т. п. Впрочем, в основном эти улучшения были уже косметическими и на производительности не слишком сказывались. Да это и не требовалось — отлаженный процесс производства позволял выпускать быструю и надежную память в то время, как конкуренты все еще делали только лишь первые шаги на этом пути.

А в конце прошлого года компания в очередной раз обновила 850 Evo — поскольку производство было уже переведено на 64-слойную память: более выгодную экономически. Принципиальных изменений между моделями нет, так что, как и предыдущий «апгрейд» этот прошел тихо: просто с определенного момента прекратились поставки накопителей старого образца и начали отгружаться исключительно новые. Какие-то отличия в части модификаций можно было бы и поискать — в частности, устройства емкостью от 1 ТБ начали использовать кристаллы по 512 Гбит, но в 250 и 500 ГБ для сохранения ТТХ на прежнем уровне так и осталось 256 Гбит. И кэш-память типа LPDDR3 из расчета «мегабайт на гигабайт емкости». Гарантия, естественно, осталась пятилетней — ограниченной TBW по формуле «75 ТБ на каждые 250 ГБ», т. е. 150 ТБ для нашего героя.

Главным для покупателя в общем-то во всех этих эволюционных изменениях было постоянное снижение цен. Остальные производители как правило добивались подобного эффекта выпуском новых моделей — Samsung предпочитал дорабатывать имеющуюся. В итоге 850 Evo в конце жизненного цикла это совсем не тот 850 Evo, что в начале. В 2015 году эти накопители не пытались по цене конкурировать с самыми дешевыми SSD на рынке — для этого Samsung иногда выпускал устройства на планарной TLC, типа 750 Evo или 650. В 2017 уже могли. При этом их скоростные характеристики как минимум не снижались — внедрение же TLC-памяти в продуктах других компаний, как мы уже не раз отмечали, сопровождалось обычно уменьшением производительности и надежности. Впрочем, три года — срок немалый: за это время «подтянулись» и производители контроллеров, и 3D NAND других поставщиков. На что Samsung заготовил даже не один, а два ответа.

Samsung V-NAND SSD 860 Evo 500 ГБ

Буквально через несколько месяцев после последнего «апгрейда» 850 Evo, компания выпустила новую линейку накопителей — на той же памяти. Практически на той же: в моделях от 1 ТБ не изменилось ничего, а модификация на 500 ГБ (которую мы сегодня и будем тестировать) получила аналогичные старшим кристаллы по 512 Гбит, вместо 256 Гбит. Таким образом, в каких-то условиях она может и отставать от предшественницы, что можно считать недостатком. Но вполне предсказуемым: 500 ГБ ныне уже никакого пиетета не вызывает, постепенно превращаясь в ходовой объем, по цене доступный уже многим пользователям. Для чего нужно снижать себестоимость — пусть даже ценой снижения некоторых скоростных характеристик.

Поскольку происходить это будет не всегда: новая серия накопителей получила и новый контроллер MJX. Он остался двухъядерным, зато тактовая частота выросла почти в два раза, что позволяет работать с более сложными алгоритмами. В частности, впервые за долгие годы (с самого появления в 840 Evo!) изменился SLC-кэш. Ранее он был статическим, теперь же при необходимости и наличии свободных ячеек новый контроллер может задействовать часть их в SLC-режиме, отложив «уплотнение» данных «на потом» — когда нагрузка уменьшится. На практике это означает, что, если 840 Evo и все версии 850 Evo на 500 ГБ могли на высокой скорости принять лишь 6 ГБ данных (статический SLC-кэш, размерами 3 ГБ на каждые 250 ГБ емкости), то в аналогичном 860 Evo предел увеличен уже до 22 ГБ. В принципе, последние контроллеры Silicon Motion (типа SM2258 или SM2259) могут записывать в SLC-режиме хоть все свободные ячейки (т. е. в пределе до трети полной емкости устройства), однако на практике достаточно и первого значения. Строго говоря, большинству пользователей, не увлекающемуся «охотой на попугаев» в бенчмарках, и 6 ГБ было более чем достаточно, однако раз уж конкуренты появились, надо как-то на это отвечать.

В принципе, и увеличение TBW для сохранения гарантийных условий можно тоже считать ответом на внешние воздействия. К примеру, появившиеся в прошлом году накопители серии Intel 545s имеют пятилетнюю гарантию, но ограниченную 72 ТБ на каждые 128 ГБ емкости. В 850 Evo, напомним, 75 ТБ на 250 ГБ, т. е. почти вдвое меньше. А в 860 Evo уже стало чуть больше, поскольку предыдущее значение удвоено: 150 ТБ на каждые 250 ГБ. В общем-то, компании никто не мешал сделать это и раньше. И не только потому, что накопители на это физически способны — просто при их использовании «по-назначению» в обычных персональных компьютерах объемы записи куда скромнее. Почему же производители их ограничивают? Чтобы немного защититься от достаточно популярного «нецелевого» использования — когда потребительские накопители с длинной гарантией устанавливают куда-нибудь в сервер: резервные копии есть, а «накроется» — поменяют. Естественно, это снижает продажи устройств соответствующего назначения, что их основным поставщикам (а Samsung к таковым относится в полной мере) абсолютно не нужно. Особенно с учетом наличия в ассортименте еще одного продукта…

Samsung V-NAND SSD 860 Pro 512 ГБ

Выпуск в 2018 году в новой линейке SATA-накопителя на базе MLC-памяти — решение, конечно, очень смелое, но вполне оправданное. Во всяком случае, если абстрагироваться только лишь от запросов сферических пользователей ПК в вакууме, а посмотреть на рынок шире. После чего мы сразу же увидим, например… разнообразные сетевые хранилища. NVMe-устройства там не нужны. До последнего времени считалось, что и SSD вообще не нужны, поскольку стоят они слишком дорого, а производительность определяется не ими. При использовании гигабитных сетевых адаптеров и небольшом количестве одновременных запросов это действительно так. А с каким-нибудь корпоративным хранилищем может сразу работать и десяток-другой пользователей, да и для соединения его с коммутатором вполне может использоваться канал на 10 Гбит/с — и вот тут уже винчестеры будут узким местом, что мы в процессе тестирования топовых NAS неоднократно наблюдали. А твердотельные накопители — не будут. Конечно, они обойдутся дороже, но если проблему можно решить за деньги, то это уже не проблема, а всего лишь расходы 🙂 В принципе, для такой работы подойдет и устройство на базе TLC-памяти, но MLC обеспечит более стабильные скоростные характеристики, да и ресурс тоже.

Более интересен в данном случае вопрос используемой памяти. Предыдущая MLC-линейка компании, а именно накопители серии 850 Pro использовали отбраковку от 3D TLC NAND — с чем связан и немного атипичный размер кристалла на старте: 86 Гбит. Слова «отбраковка», разумеется, пугаться не стоит: очевидно, что режим работы ячеек с четырьмя уровнями является куда более щадящим, нежели с восемью, а не только более быстрым. В новых же накопителях применяются кристаллы 64-слойной MLC 3D NAND, емкостью 256 Гбит. С TLC это никак не «бьется», так что можно предположить, что Samsung делает такую память специально. С другой стороны (что более вероятно с учетом того, что на дворе уже 2018 год) это может быть и побочным результатом работы по освоению выпуска кристаллов QLC 3D NAND емкостью 512 Гбит. Понятно, что выпуск качественной памяти такого типа очень сложен, но заниматься ей все равно нужно. А дальше срабатывает то, о чем было сказано выше — имея собственное производство (причем крупнейшее по объемам), от рыночной конъюнктуры Samsung не зависит. Если бы компании нужно было закупать память на открытом рынке, выпуск SSD на MLC был бы крайне рискованным мероприятием. При собственном производстве — нет. Особенно, если это действительно те чипы, которые неспособны хранить по четыре бита в ячейке — куда-то же их девать все равно нужно. А покупатели в итоге могут приобрести устройство с большим ресурсом — TBW для моделей на 1 ТБ и выше впору именовать PBW, поскольку счет там идет на петабайты, что для накопителей пользовательского назначения немного непривычно. Собственно, и для 512 ГБ речь идет о 600 ТБ на пятилетней срок гарантии — против 300 и 150 ТБ соответственно для 860 / 860 Evo. Но не дешево, разумеется. Но, по крайней мере, соответствующее предложение в ассортименте компании есть, чем можно и воспользоваться — при необходимости или просто при желании (и финансовой возможности).

Конкуренты

Для сравнения мы решили взять результаты двух накопителей: Intel 545s 512 ГБ и WD Blue 3D SSD 500 ГБ, благо оба актуальны на данный момент и используют сходную (в первом приближении) память. 545s с нашими героями также роднит пятилетняя гарантия, причем и ограничения ее условий сходны с 860 Evo (впрочем, кто на ком стоял вопрос сложный, как уже было сказано выше). У Blue 3D до последнего времени срок гарантии составлял три года, однако сейчас компания начала процедуру его увеличения до тех же пяти лет. Впрочем, и при «старых» условиях сравнивать Blue 3D с остальными участниками можно — это тоже накопитель от крупного и известного производителя, да и цены близкие.

Тестирование

Методика тестирования

Методика подробно описана в отдельной статье. Там можно познакомиться с используемым аппаратным и программным обеспечением.

Производительность в приложениях

Как и следовало ожидать, с точки зрения тестов высокого уровня все примерно одинаковы. Но не совсем — если вооружиться лупой, можно разглядеть, что тройка SSD Samsung немного быстрее, чем предложения Intel и WD. А распределение мест внутри нее тоже предсказуемо: самым быстрым оказывается 860 Pro, а самым медленным — 860 Evo. Однако чтобы это заметить, нужна уже не лупа, а микроскоп 🙂

Что же касается потенциальных возможностей накопителей, то в целом картина не изменилась — разве что отрыв от «преследователей» увеличился. В итоге современные версии Evo — первые попавшие к нам в руки SATA-накопители на TLC-памяти, способные в этом тесте «перевалить» за 300 МБ/с. Впрочем, и безотносительно ее типа ранее у нас в лаборатории побывало лишь одно способное на это устройство — Toshiba Q300 Pro 256 ГБ. Таким образом, единственное, что несколько омрачает значимость события — потенциальность данного результата.

Предыдущая версия тестового пакета демонстрирует нам аналогичную картину. В целом для накопителей Samsung скорее благоприятную, чем наоборот. Т. е. понятно, что если разница в скорости заметна только в тестах, ей можно и пренебречь — но почему бы при прочих равных не выбрать более быстрый накопитель. При неравных — уже выбирать нужно: что важнее.

Последовательные операции

С этими сценариями при ограниченной области данных давно все ясно — ограничителем для SATA-накопителей является собственно интерфейс SATA. В т. ч. и при записи, поскольку SLC-кэширование давно уже стало стандартным поведением накопителей на базе TLC, а для MLC-памяти никакие ухищрения и сами по себе не нужны. Поэтому в обновленной тестовой методике мы задачу усложним 🙂 А сегодня просто отложим окончательный вердикт до более серьезных нагрузок.

Случайный доступ

Контроллеры Samsung давно уже с такими нагрузками справляются легко и непринужденно, 3D NAND собственного производства медлительностью тоже никогда не отличалась — в итоге и результаты высокие. Разве что проигрыш 860 Evo предшественнику той же емкости может кого-то расстроить, однако ничего неожиданного в нем нет — увеличение емкости кристаллов и уменьшение их количества так и должно было сработать. В конце-концов, запас производительности был достаточным для того, чтобы даже после ее снижения все равно опережать накопители того же класса от других производителей, а «внутрифирменная» конкуренция все равно не планируется: по мере исчерпания старых запасов, 850 Evo просто исчезнет с прилавков.

Работа с большими файлами

Чтение данных как неоднократно было сказано проблемой для памяти любого типа давно не является (вот контроллеры могут производительность ограничивать), так что все дружно уперлись в интерфейс на сопоставимом уровне.

Запись заведомо «вылетает» за емкость SLC-кэша, несмотря на увеличение его емкости в 860 Evo, а производительность собственно массива памяти за счет снижения параллелизма снизилась. Соответственно, если 850 Evo выдавал максимум для SATA600, то его сменщик этого не может. И даже отстает от конкурентов, использующих в моделях такой емкости кристаллы по 256 Гбит, «придерживая» более крупные для больших емкостей.

Еще один сложный (до сих пор) сценарий для TLC-накопителей — запись одновременно с чтением. Впрочем, 860 Pro по понятным причинам эта проблема не касается — использование двухбитных ячеек в паре с высокопроизводительным контроллером позволяет устройству демонстрировать максимальную доступную для SATA600 производительность. А вот накопители семейства Evo заметно медленнее — особенно при (псевдо)случайном доступе. Впрочем, несложно также заметить, что обеспечить заметно более высокую производительность можно разве что за счет хитростей, типа «бесконечного» SLC-кэша накопителей на базе последних контроллеров Silicon Motion, но не при использовании обычного статического кэширования. Да и «необычного» как в 860 Evo тоже — справляется оно только при меньших объемах информации. Однако все это становится незначимым, если вспомнить, что большинстве твердотельных накопителей дела обстоят не лучше 🙂 Но, при этом, такого выбора, как Samsung (обновивший MLC-линейку — пусть и по соответствующей цене), их производители покупателю не оставляют.

Рейтинги

Как уже было сказано выше, производительность 860 Evo можно было и снизить — все равно «в попугаях» он длиннее основных конкурентов. А если нужно еще больше «пернатых», охотиться за ними принято в других местах — снабженных другими интерфейсами, во всяком случае. Последний давно уже многое определяет — почему мы сразу и написали, что 860 Pro это в первую очередь не «про скорость». Во всяком случае, не про ту, которая интересна индивидуальному пользователю ПК.

Но, естественно, представители этой линейки отлично справятся и с такими нагрузками — просто для этого они избыточны. Равно как и гарантийный ресурс тоже совсем из другой области, но особо мнительным покупателям может пригодиться. А с точки зрения производительности и Evo вполне достаточно. В т. ч. и новой серии — где таковая немного снизилась, но все равно осталась заметно более высокой, чем у большинства конкурирующих разработок. Во всяком случае, в пределах класса — понятно, что смена интерфейса позволяет убрать некоторые узкие места (как минимум, в плане низкоуровневых характеристик), но это отдельная история.

Цены

В таблице приведены средние розничные цены протестированных сегодня SSD-накопителей, актуальные на момент чтения вами данной статьи:

Итого

В принципе, на какие-либо открытия мы не рассчитывали: Samsung, как уже было сказано в начале, имеет солидный опыт как разработки твердотельных накопителей в целом, так и использования (и производства, что особенно важно) 3D NAND TLC. По сути, компания просто обогнала конкурентов «на повороте»: о необходимости перехода на 3D NAND говорили все, но вот сам переход у большинства проходил с большими сложностями. Полученной форой в пару лет в Samsung распорядились правильным образом, в результате чего сейчас решения компании на базе TLC-памяти являются одними из лучших на рынке. И очень важно, что к настоящему моменту они даже могут считаться недорогими: из «среднего» класса линейка Evo постепенно спустилась в бюджетный, не растеряв попутно своих преимуществ.

При этом высокие объемы производства позволяют компании не забрасывать полностью MLC NAND. Конечно, эта память уже превратилась в нишевое решение, но ниша у нее однозначно есть. А при дальнейшем снижении цены она только расширится. И конечно, 860 Pro будет относительно популярен и у обычных пользователей, поскольку некоторые из них до сих пор настороженно относятся к TLC-памяти. Понятно, что за психологический комфорт им придется доплатить… Но с другой стороны, а за что еще стоит платить, как не за комфорт? 🙂

Таково положение на день сегодняшний. Что будет завтра — неизвестно. На полупроводниковом рынке безусловно нужно бежать, чтобы просто оставаться на месте, а чтобы куда-то попасть — бежать нужно вдвое быстрее. В скором будущем нас ожидают новые «повороты» в виде внедрения QLC NAND, а то и вовсе «не-NAND»-памяти. И кто из производителей справится с переходом в наилучшей степени, покажет только время. Пока же положению Samsung на рынке SSD никто серьезно не угрожает, и новые линейки накопителей целиком и полностью это подтверждают.

Samsung представила 850 EVO M.2 и 850 EVO mSATA

В декабре прошлого года Samsung выпустила твердотельные накопители 850 EVO в 2,5″ формате, теперь за ними последовали версии в форматах M.2 и mSATA, которые лучше всего подходят для компактных систем или ультрабуков. Накопители опираются на новую память 3D V-NAND, в которой ячейки уже не просто расположены в плоскости, а находятся в стеке из концентрических цилиндров, то есть имеют трёхмерную структуру. Современная 3D-память Samsung опирается на 32 слоя. Каждая ячейка у 850 EVO хранит три бита, что позволяет говорить о типе 3D TLC. В топовой линейке 850 PRO используется память 3D MLC, а у предшественника 840 EVO Samsung использовала классическую 2D-память TLC. Дополнительную информацию вы можете почерпнуть из наших тестов настольных накопителей 850 EVO.

Samsung 850 EVO M.2 и 850 EVO mSATA.

Накопители Samsung 850 EVO mSATA будут доступны в ёмкостях 1 TB, 512 GB, 256 GB и 128 GB. Скорость чтения заявлена на уровне настольной версии – 540 Мбайт/с. Скорость записи указана на уровне 520 Мбайт/с. Накопитель Samsung 850 EVO M.2 доступен в ёмкостях 512, 256 и 128 GB. Samsung при той же скорости записи указывает скорость чтения только 500 Мбайт/с. С помощью собственной технологии TurboWrite Samsung планирует достигать высокой производительности ввода/вывода, особенно в SSD высокой ёмкости. Samsung указывает производительность 97.000 IOPS для чтения и 88.000 IOPS для записи.

Samsung указывает общее количество записанных данных в терабайтах (TBW) на уровне 150 TB для моделей на 512 GB и выше. Для ёмкостей 128 и 256 Гбайт указано уже 75 Тбайт. Для моделей ёмкостью от 128 до 512 GB Samsung использует контроллер MGX, работающий с памятью 3D V-NAND. Версия с ёмкостью 1 TB работает с контроллером MEX.

Все остальные функции идентичны между настольной и компактной версиями. Среди них – аппаратное шифрование AES 256 бит. Samsung обеспечивает гарантию в пять лет. Пока неизвестно, по каким ценам Samsung предложит две компактные линейки.

Твердотельный накопитель 500Gb M.2 2280 Samsung 850 EVO Series MZ-N5E500BW

Обзор

• SSD диск для ноутбука и настольного компьютера
• объем 500 ГБ
• форм-фактор 2280
• Разъем M.2
• интерфейс SATA 6Gb/s

Характеристики

Скорость записи/Скорость чтения	500/540 Мб/с
Бренд	Samsung
Назначение	для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера
Тип	SSD
Контроллер	Samsung MGX
Тип флэш-памяти	TLC
Форм-фактор	m.2 2280
Объем	500 ГБ
Интерфейс (разъем подключения)	m.2
Внешняя скорость передачи данных	600 Мб/с

Отзывы

‘), prdu = “/ssd-500-gb-sata-6gb–s-samsung-850-evo-series–mz-75e500b-w–rtl-25-v-nand-tlc-/”; $(‘.reviews-tab’).append(loading) .load(prdu + ‘reviews/ .reviews’, { random: “1” }, function(){ $(this).prepend(‘

Обзор твердотельного накопителя Samsung 850 EVO 500 ГБ

Твердотельные накопители серии Samsung 850 EVO были представлены еще в конце 2014 года. Несмотря на почтенный, по меркам компонентов такого плана возраст, SSD данной серии все еще остаются на первых позициях в рейтинге популярности накопителей на hotline.ua. Оправдан ли повышенный интерес к устройствам данной линейки мы попробуем выяснить, познакомившись поближе с 500-гигабайтовой версией Samsung 850 EVO.

от 4 932 грн

Предложений: 1

Samsung 850 EVO

История накопителей линейки Samsung 850 EVO началась еще в 2014 году. Тогда впервые для SSD начали использоваться многослойные микросхемы флеш-памяти 3D V-NAND c трехбитовыми ячейками TLC. Изначально для накопителей применялась память 3D V-NAND TLC второго поколения. Эти чипы состояли из 32 слоев и производились по нормам 40 нм. В середине 2016 года Samsung начала использовать для моделей серии 850 EVO новые 3D-чипы уже третьего поколения с 48-слойной архитектурой и увеличенной плотностью компоновки. При этом название не только серии, но даже моделей не изменились.

Использование других чипов теоретически могло бы повлиять на производительность и надежность накопителей, однако производителю удалось сохранить заявленные показатели на прежнем уровне. Проведенные после обновления тестирования показали, что производительность Samsung 850 EVO первой волны и моделей с 3D V-NAND TLC третьего поколения практически идентична, а уменьшение техпроцесса изготовления чипов не сказалась на количестве доступных циклов перезаписи. По этой причине нет никакого смысла выискивать ранние модификации, доступные в продаже Samsung 850 EVO второй ревизии ни в чем не уступают предшественникам, разве что немного экономичнее.

На момент анонса линейка Samsung 850 EVO включала накопители объемом 120 ГБ, 250 ГБ, 500 ГБ и 1 ТБ. Со временем были также представлены модели емкостью 2 ТБ и 4 ТБ.

Для моделей 120–500 ГБ используется двухъядерный контроллер Samsung MGX, тогда как для старших версий емкостью 1–4 ТБ применяется еще более скоростной трехъядерный чип Samsung MHX. Накопители также оснащаются кеш-буферами, емкость которых также зависит от объема SSD. 120-гигабайтовая версия имеет 256 МБ, накопители на 250 ГБ и 500 ГБ получили 512 МБ, тогда как версия на 1 ТБ оснащена кеш-буфером на 1 ГБ, 2 ТБ – 2 ГБ, а 4 ТБ – целых 4 ГБ. Во всех случаях используется память стандарта LPDDR3.

Samsung 850 EVO 500 ГБ (MZ-75E500B)

Накопитель предлагается в картонной коробке средних габаритов. SSD внутри закреплен в дополнительной пластиковой оболочке, защищающей устройство во время транспортировки.

В комплекте имеется гарантийный талон, инструкция по быстрой установке и диск с цифровой версией руководства, а также сервисными приложениями.

Накопитель имеет металлический корпус толщиной 7 мм. На лицевой панели нанесено лишь наименование производителя, тип устройства, а также небольшой стрелкой отмечена сторона с интерфейсным разъемом.

Тыльную панель устройства прикрывает крупная наклейка, на которой указаны название модели, объем, серийный номер и базовые требования к источнику питания.

Для подключения SSD предусмотрены стандартные SATA-коннекторы.

Что касается скоростных характеристик, то для Samsung 850 EVO заявлены линейные скорости чтения/записи на уровне 540/520 МБ/c. Производительность при работе с 4К-блоками минимально отличается в зависимости от объема. Для накопителя на 500 ГБ это 98 000 IOPS на операциях чтения (4К, QD32) и 90 000 IOPS при записи. Для ситуаций с глубиной очереди запросов QD1, накопитель должен обеспечивать на операциях чтения до 10 000 IOPS, записи – до 40 000 IOPS.

Накопители конечно поддерживают S.M.A.R.T., TRIM и алгоритм Garbage Collection. Кроме того, на Samsung 850 EVO реализована поддержка режима Device Sleep для снижения потребления в простое и аппаратное шифрование AES 256-бит, а также TCG/Opal 2.0 и IEEE-1667.

Время наработки на отказ (MTBF) составляет 1,5 млн. часов. При этом гарантированный объем записанных данных (TBW, Total Bytes Written) для накопителя объемом 500 ГБ составляет 150 ТБ. Срок гарантии – 5 лет. Учитывая значение TBW, несложно вычислить, что ежедневный условный лимит записи в течение гарантированного рабочего периода составляет порядка 84 ГБ. Обратим внимание на то, что в данном случае речь идет не о надежности накопителя, а гарантийных условиях производителя. Это 5 лет или 150 ТБ записи, в зависимости от того, что наступит раньше.

TBW лишь косвенно говорит о фактических возможностях накопителей. Как показывают ресурсные тесты, возможное количество записанных данных может на порядок превосходить гарантированный объем. Однако, TBW все же стоит учитывать, если вы рассчитываете на гарантию производителя.

После форматирования доступная емкость накопителя составляет 466 ГБ. При выборе накопителя определенной емкости важно не забывать о сопутствующих потерях при переводе миллиардов доступных байтов в гигабайты.

Производитель предлагает утилиту Samsung Data Migration для переноса системного раздела с текущего накопителя на новый SSD.

Для управления и сервисного обслуживания предлагается фирменное приложение Samsung Magician. Здесь можно оценить фактическое количество записанных данных, просмотреть состояние S.M.A.R.T., провести полную очистку накопителя и даже оценить производительность SSD.

Производительность

Исследовать скоростные возможности MZ-75E500B мы начали с предлагаемого производителем приложения.

Согласно внутреннему тесту Samsung Magician, линейная скорость чтения накопителя может составлять почти 550 МБ/c, записи – 530 МБ/c. При этом производительность при произвольном доступе на операциях чтения оказалась очень близка к заявленным показателям – 97 300 IOPS для чтения и 88 200 IOPS для записи.

Приложение ATTO демонстрирует схожие пиковые показатели.

Почти 5500 баллов в Anvil’s Storage Utilities – это очень достойный общий результат, который складывается из хороших показателей как линейных трансферов, так и работы с мелкими блоками. Здесь опять видим 95 000 IOPS для чтения 4K QD16 и 87 500 IOPS на записи.

Crystal Disk Mark 5.2.1 и AS SSD Benchmark с некоторыми особенностями, но в целом подтверждают полученные ранее результаты.

Общие 4996 балла в тесте накопителей из пакета PCMark 8 в целом малоинформативны, а вот пропускная способность в 294 МБ/c куда более показательна. Это один из лучших результатов для SATA-устройств. Напомним, что в данном тесте генерируется нагрузка идентичная той, что возникает при использовании реальных приложений, представленных в итоговом списке.

Чтобы увеличить скорость записи для Samsung 850 EVO используется механизм TurboWrite. Фактически речь идет о классическом SLC-буфере для которого выделяется часть объема накопителя – 6 ГБ в случае с накопителем на 500 ГБ. Для SSD на базе флеш-памяти c TLC такой массив зачастую оказывается очень полезен. Но, здесь случай особый. Несмотря на то, что Samsung 850 EVO также использует память с трехбитными ячейками, изначально повышенную скорость записи позволяет поддерживать трехмерная компоновка 3D V-NAND и производительный двухъядерный процессор Samsung MGX с восьмиканальным доступом к массиву флеш-памяти. В совокупности, на графике последовательной записи в AIDA64 мы видим прямую линию на уровне 500 МБ/c. Характерного для накопителей на базе TLC падения производительности после исчерпания SLC-буфера не происходит.

На копирование трех файлов общим объемом 18,8 ГБ с системного накопителя на Samsung 850 EVO понадобилось 42 секунды, то есть скорость реальной записи на SSD составила порядка 458 МБ/c. Даже после исчерпания SLC-буфера темп записи не снижался.

1000 фотографий объемом 5,24 ГБ залетели на Samsung 850 EVO за 14,2 секунды.

В условиях открытого стенда во время покоя температура накопителя держится на уровне 26–28 градусов. После 15-минутной непрерывной записи во время экспериментов в AIDA64 температура контроллера SSD на пике повысилась до 51С. В целом это приемлемое значение для таких условий использования. При этом корпус устройства оставался едва теплым на ощупь, а на табло бесконтактного термометра отображались 39–40С.

Цена

Samsung 850 EVO MZ-75E500B объемом 500 ГБ предлагается на рынке по цене порядка 4700 грн. ($177). Это точно не самая доступная модель подобной емкости на базе TLC. Более того, накопитель стоит даже несколько дороже некоторых SSD с микросхемами MLC. Однако, по одному лишь типу памяти определять возможности накопителя – слишком наивно и недальновидно. Тем более, когда речь идет не о планарных чипах, а 3D V-NAND. В целом, текущая стоимость выглядит чуть выше той, которую хотелось бы видеть, но, с учетом реальных возможностей накопителя, цена кажется оправданной.

 

Плюсы: Отличная производительность; стабильные скоростные показатели; удобные сервисные утилиты; 5 лет гарантии производителя

Минусы: Относительно высокая цена

Вывод: Samsung EVO 850 500 ГБ оставляет очень приятные впечатления. Это сбалансированный твердотельный накопитель с отличными скоростными показателями. Несмотря на использование флеш-памяти с трехбитными ячейками, благодаря прогрессивным 48-слойным чипам, мощному контроллеру и удачной прошивке, производительность SSD не уступает таковой для лучших представителей на базе микросхем MLC. Адекватный показатель TBW и 5-летний срок гарантии производителя добавляют привлекательности рассмотренной модели. Если не смущает относительно высокая стоимость, полутерабайтник Samsung 850 EVO отлично подойдет на роль универсального SSD в составе производительной домашней системы.

Технические характеристики

	Samsung 850 EVO MZ-75E500B 4 932 – 4 932 грн Сравнить цены
Тип	SSD накопитель
Объем, ГБ	500
Интерфейс	SATA rev. 3.0
Тип флеш-памяти	V-NAND
Контроллер	Samsung MGX
Поддержка TRIM	+
Серия	850 EVO
Форм-фактор	2,5
Размеры, мм	100×69,85×7
Масса, г	54
Максимальная скорость чтения, МБ/с	540
Максимальная скорость записи, МБ/с	520
Скорость случайного чтения блоками 4KB, IOPS	98000
Скорость случайной записи блоками 4KB, IOPS	90000
Ресурс записи (TBW), TB	150
Среднее время безотказной работы (MTBF), млн. часов	2
Стойкость к ударам	нет данных
Разное	–

Wd ssd 500gb

Raven test score chart

Highest stud fee

Western Digital Blue 500GB SSD A NEW DIMENSION OF STORAGE Ready for your high performance computing needs, a WD Blue™ 3D NAND SATA SSD offers high capacity, enhanced reliability, and blazing speed. WD SSD Blue 3D 500GB. Каталожен номер: 2760983 . Напишете първия коментар. 139.00 лв …

Epoxy resin in mouth

The WD Blue SN500 NVMe SSD allows resellers, system builders and consumers to take advantage of a reliable NVMe storage solution when creating their next PCs. Available in 250GB and 500GB capacities in an M.2 2280 form factor, the WD Blue SN500 NVMe SSD will give your system the boost you need.1 TRANSFER SPEEDS UP TO 1700MB/S Crucial MX500 500GB 2.5 inch SSD 7mm & 9.5mm adaptor, 560MB/s reading & 510MB/s Writing . 5 years Warranty Micron quality a higher level of reliability. 5 Years Warranty Extremely popular SSD with amazing performance!

Wood burner for sale used

Ổ cứng SSD Western Digital WD Green 240GB M.2 2280 SATA 3 – WDS240G2G0B. 930.000 … Oct 07, 2017 · The IRST software used to cache the mechanical HDD and indicate it was doing so. Since the 500GB SSD is installed the IRST software has nothing to cache. When I first booted from the SSD, the IRST software complained that the cached drive no longer exists and offered to reset the 32GB, which I did. Now it’s showing as an unformated drive.

Flagmaker 3

Apr 25, 2018 · Prices for the Samsung 970 Evo line up perfectly with WD’s pricing scheme with 250GB drives starting at $119 or £106 (about AU$160), followed quickly by $229 or £205 (about AU$300) 500GB and …

Canvas quizzes cheating

Sep 19, 2019 · WD My Passport Go SSD was launched earlier this year for those who are on the go. This portable SSD was launched in two variants – 500GB and 1TB in India for Rs. 14,500 and Rs. 29,500. However …

Amazon book sale

WD Black SSD Dashboard : The WD BLACK SSD Dashboard gives you the ability to optimize performance by enabling the gaming mode feature. This disables the low power mode function on the SSD, which keeps your drive firing on all cylinders during intense gaming sessions. Capacity. 500 GB. Interface. NVMe PCI-e. Brand. Featuring the innovative Western Digital NVMe SSD storage architecture, it’s where blazing speed, top-tier performance, and Western Digital 3D NAND technology combine. With up to 600TBW and 1.75M hours MTTF, the WD Black NVMe SSD is the virtually invincible SSD you can rely on. Capacity. 250GB, 500GB, 1TB Interface. PCIe Gen3 8 Gb/s, up to 4 …

Liftmaster purple learn button instructions

Apr 29, 2020 · Western Digital announced its new WD Blue SN550 NVMe SSD earlier last month as the successor to the WD Blue SN500 and the latest addition to its WD Blue lineup. Compared to the SN500, the SN550 now offers up to 1TB capacity and features a higher sequential read and write performance up to 2400MB/s and 1750MB/s respectively, which is a nice improvement over the previous generation design. Dec 28, 2020 · The WD_Black 500GB SN750 is a budget-priced NVMe internal gaming SSD that doesn’t lack in performance, and you can get one for $59.99 shipped, today only, originally $129.99. Its ultra transfer speeds provide users with near-instant access to their games and files, allowing them to get back into gam

Bamboo plates wedding

500 GB SSD (เอสเอสดี) WD BLUE ( WDS500G1B0A )(#0454004461) The WD_BLACK™ SN850 NVMe™ SSD reaches irrational 7000MB/s read speed and 5300MB/s write speed to get you in quicker, with up to 1,000,000 IOPS for a smooth, responsive and powerful gaming experience.

Stark county family court docket

Buy WD Blue SN550 500GB 2400MB/s NVMe M.2 (2280) SSD WDS500G2B0C at the cheapest price on shopping express online Australia, money back guarantee. Western Digital 500GB WD Blue SN550 NVMe Internal SSD – Gen3 x4 PCIe 8Gb/s, M.2 2280, 3D NAND, Up to 2,400 MB/s – WDS500G2B0C 4.8 out of 5 stars 9,279. $50.99 …

Blomberg dishwasher user guide

Western Digital Black SN750 500GB SSD, M.2 2280, PCI-E NVMe, 3000MBps (Read)/2600MBps (Write), (WDS500G3X0C) 83,82 € WD Black SN750 NVMe SSD M.2 2280 500GB WDS500G3X0C, NVMe PCIe Gen3 x4, Read 3430MB/s, Write 2600MB/s, 5YW (ΕΩΣ 12 ΔΟΣΕΙΣ) Acer Aspire 5742Z 15.6″ Laptop Intel i5 8gb Ram 500gb WD SSD with Windows 10 Pro.

Hp officejet 7500a specs

Apr 09, 2019 · This is it folks, the end of SATA is upon us and the WD Blue SN500 is harbinger to the whole affair. Stuffed onto its 80 x 22mm frame is a single 500GB chip of WD’s TLC 3D NAND alongside the… Western Digital 500GB WD Blue 3D NAND Internal PC SSD – SATA III 6 Gb/s, 2.5″/7mm, Up to 560 MB/s – WDS500G2B0A. Arrives before Christmas. Samsung 970 EVO Plus SSD 500GB – M.2 NVMe Interface Internal Solid State Drive with V-NAND Technology (MZ-V7S500B/AM).

Yakuza 0 chapter 5 real estate

WD Blue 3D NAND SATA SSD – 500GB / 2.5-inch / SATA-III – SSD (Solid State Drive) JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser. Buy WDS500G2B0C WD Blue SN550 500GB NVME PCI-e Gen 3 SSD Read 2400MB/s/ Write 950MB/s Stockcode : WD-SN55500 from Novatech

Davenport wiki

Dec 25, 2020 · WD Blue SN550 NVMe M.2 500GB SSD $50 newegg $49.99. $50.99 18 22. Crucial P1 1TB 3D NAND NVMe PCIe Internal SSD, up to 2000 MB/s – CT1000P1SSD8 $96.99. Western Digital 500GB WD Blue SN550 NVMe Internal SSD – Gen3 x4 PCIe 8Gb/s, M.2 2280, 3D NAND, Up to 2,400 MB/s – WDS500G2B0C 4.8 out of 5 stars 9,279. $50.99 …

Minecraft map captcha

WD Black SN750 500GB M.2 SSD – M.2 2280, PCIe 3.0 x4, NVMe, 3470/2600MB/s read/write. 600TBW SSD 120GB 250GB 480GB 500GB 1TB WD Green 2.5″ Solid State Drive SSD HARD DRIVE. AU $80.00 + AU $80.00 shipping

Ucr webmail

Buy WDS500G2B0C WD Blue SN550 500GB NVME PCI-e Gen 3 SSD Read 2400MB/s/ Write 950MB/s Stockcode : WD-SN55500 from Novatech Super fast M.2 NVMe SSDs from Samsung, Western Digital, Intel and more. Amazing storage solutions. … WD Blue 500GB 3D NAND SSD M.2 2280. High capacity and enhanced …

Обзор Samsung SSD 850 EVO mSATA / M.2

Четыре месяца назад Samsung представила миру TLC V-NAND в виде SSD 850 EVO. Он хорошо показал себя в наших тестах и ​​показал, что технология 3D NAND по существу выводит TLC NAND на уровень, на котором сегодня стоит планарная MLC NAND. Первоначальный запуск включал только самый популярный форм-фактор 2,5 дюйма, но не касался рынка обновлений, где популярность mSATA и M.2 постоянно растет. С сегодняшним выпуском Samsung расширяет линейку 850 EVO за счет M.2 и mSATA.

Этот шаг на самом деле не удивителен, потому что Samsung выпустила версию SSD 840 EVO с mSATA чуть больше года назад, а при первоначальном запуске 850 EVO нам сказали, что модели mSATA и M.2 появятся позже. Добавление M.2 является новым для розничной линейки Samsung, но оно имеет большой смысл, учитывая, что многие OEM-производители ПК перешли с mSATA на M.2, и в конечном итоге M.2 полностью заменит mSATA.

Архитектурно mSATA и M.2 ничем не отличаются от своих 2,5-дюймовых собратьев. Сердцем накопителей по-прежнему является собственный контроллер MGX от Samsung (за исключением модели емкостью 1 ТБ, которая питается от более старого контроллера MEX), а NAND – это 32-слойный 128-гигабитный TLC (3- бит на ячейку) V-NAND, изготовленная с использованием литографии 40 нм. Также включена технология TurboWrite (псевдо-SLC-кэширование Samsung), а размеры кэша остались неизменными по сравнению с 2,5-дюймовой моделью. DevSleep и TCG Opal 2.0 (eDrive) также поддерживаются, а выносливость составляет достойные 75 ТБ для моделей 120/250 ГБ и 150 ТБ для моделей 500 ГБ / 1 ТБ.

Учитывая сходство с 2,5-дюймовой моделью, я настоятельно рекомендую вам прочитать наш обзор 850 EVO, где вы найдете полный спектр TurboWrite, TLC V-NAND и других лакомых кусочков, поскольку я не буду описывать их подробно в этом обзоре.

Samsung SSD 850 EVO mSATA Технические характеристики
Вместимость	120 ГБ	250 ГБ	500 ГБ	1 ТБ
Форм-фактор	мSATA
Контроллер	Samsung MGX			Samsung MEX
NAND	Samsung 40 нм 128 Гбит TLC V-NAND
ОЗУ (LPDDR2)	512 МБ			1 ГБ
Последовательное чтение	540 МБ / с	540 МБ / с	540 МБ / с	540 МБ / с
Последовательная запись	520 МБ / с	520 МБ / с	520 МБ / с	520 МБ / с
Случайное чтение 4 КБ (QD1)	10 К IOPS	10 К IOPS	10 К IOPS	10 К IOPS
Случайное чтение 4 КБ (QD32)	95 тыс. Операций ввода-вывода в секунду	97 К IOPS	97 К IOPS	97 К IOPS
Случайное чтение 4 КБ (QD1)	40K IOPS	40K IOPS	40K IOPS	40K IOPS
Случайная запись 4 КБ (QD32)	88 К IOPS	88 К IOPS	88 К IOPS	88 К IOPS
Устойчивое состояние произвольной записи 4 КБ	3.1 К IOPS	4,9 тыс. Операций ввода-вывода в секунду	6,8 К IOPS	9,7 тыс. Операций ввода-вывода в секунду
DevSleep Энергопотребление	2 мВт	2 мВт	2 мВт	4 мВт
Энергопотребление в режиме сна	50 мВт
Активное энергопотребление (чтение / запись)	Макс 3,5 Вт / 4,3 Вт
Шифрование	AES-256, TCG Opal 2.0, IEEE-1667 (eDrive)
Выносливость	75 ТБ (41 ГБ / день)		150 ТБ (82 ГБ / день)
Гарантия	Пять лет

Как и его предшественник, 850 EVO mSATA предлагает емкость до 1 ТБ, что по-прежнему остается самым емким диском mSATA в отрасли.Samsung имеет существенное преимущество в своей технологии упаковки NAND, потому что в настоящее время никто другой не поставляет упаковки с 16 кристаллами в больших объемах, а Samsung делает это уже довольно давно. Я слышал, что у Toshiba есть несколько пакетов с 16 кристаллами, но производительность очень низкая, а цена составляет около доллара за гигабайт, тогда как другие пакеты стоят около 30 центов за гигабайт. У Micron также есть упаковка с 16 кристаллами на бумаге, но я еще не видел, чтобы они использовались в каких-либо реальных продуктах.

Samsung SSD 850 EVO M.2 Технические характеристики
Вместимость	120 ГБ	250 ГБ	500 ГБ
Форм-фактор	M.2 2280 (односторонний; SATA 6 Гбит / с)
Контроллер	Samsung MGX
NAND	Samsung 40 нм 128 Гбит TLC V-NAND
ОЗУ (LPDDR2)	512 МБ
Последовательное чтение	540 МБ / с	540 МБ / с	540 МБ / с
Последовательная запись	500 МБ / с	500 МБ / с	500 МБ / с
Случайное чтение 4 КБ (QD1)	10 К IOPS	10 К IOPS	10 К IOPS
Случайное чтение 4 КБ (QD32)	97 К IOPS	97 К IOPS	97 К IOPS
Случайная запись 4 КБ (QD1)	40K IOPS	40K IOPS	40K IOPS
Случайная запись 4 КБ (QD32)	89K IOPS	89K IOPS	89K IOPS
Устойчивое состояние произвольной записи 4 КБ	2.8K IOPS	4,1 тыс. Операций ввода-вывода в секунду	5,8 К IOPS
DevSleep Энергопотребление	2 мВт	2 мВт	2 мВт
Энергопотребление в режиме сна	50 мВт
Активное энергопотребление (чтение / запись)	Макс 2,4 Вт / 3,5 Вт
Шифрование	AES-256, TCG Opal 2.0, IEEE-1667 (eDrive)
Выносливость	75 ТБ (41 ГБ / день)		150 ТБ (82 ГБ / день)
Гарантия	Пять лет

К сожалению, M.2, максимальная емкость составляет 500 ГБ. Причина кроется в том, что M.2 представляет собой односторонний дизайн, в котором есть место только для двух пакетов NAND. Есть довольно много ноутбуков, которые используют односторонний форм-фактор M.2 2280, поскольку он позволяет использовать более тонкие конструкции, но мне все же хотелось бы увидеть двустороннюю версию объемом 1 ТБ. Стоит отметить, что хотя устройства на базе PCIe и SATA могут иметь форм-факторы M.2, в настоящее время Samsung выпускает только 850 EVO M.2 в формате SATA.

С кристаллом 128 Гбит и шестнадцатью кристаллами на пакет максимальная емкость для каждого пакета составляет 256 ГБ, что дает чистую емкость NAND 512 ГБ, из которых 500 ГБ можно использовать в 850 EVO.

Тестовая система твердотельных накопителей AnandTech 2015
Процессор	Intel Core i7-4770K, работающий на частоте 3,5 ГГц (Turbo & EIST включен, C-состояния отключены)
Материнская плата	ASUS Z97 Deluxe (BIOS 2205)
Набор микросхем	Intel Z97
Драйверы чипсета	Intel 10.0.24+ Intel RST 13.2.4.1000
Память	Corsair Vengeance DDR3-1866 2x8GB (9-10-9-27 2T)
Графика	Intel HD Графика 4600
Драйверы графики	15.33.8.64.3345
Разрешение рабочего стола	1920 x 1080
ОС	Windows 8.1 x64

Samsung 850 Evo M.2 500 ГБ и 850 Evo 250 ГБ mSATA Обзор

«Пусть идут хорошие времена», должно быть, сейчас думает подразделение Samsung по SSD. Прошлым летом компания Samsung представила самый быстрый в мире твердотельный накопитель SATA, а в декабре соблазнила экономных энтузиастов своей серией 850 Evo на базе V-NAND. Как и 840 Evo 2013 года, 850 Evo был оснащен TLC NAND, хотя и с изюминкой 3D TLC NAND, известной как V-NAND в решениях Samsung.

В то время как NAND обычно строится горизонтально (плоско), это ограничивает плотность.V-NAND строится вверх, делая его горизонтальным и вертикальным, следовательно, трехмерным, что позволяет Samsung накладывать слой за слоем транзисторов (ячеек) для значительного повышения плотности. Кроме того, в то время как другие производители продвигают 20-нм NAND или меньше, Samsung может обойтись без 40-нм техпроцесса.

Помимо повышения плотности, долговечности и производительности, эта новая конструкция также помогает снизить производственные затраты. Уже доказав это с сериями 850 Pro, а теперь и 850 Evo, Samsung продолжила продвигать свою технологию V-NAND в большем количестве твердотельных накопителей.

Ранее в этом году мы увидели появление портативного твердотельного накопителя USB 3.0 T1, основанного на технологии 850 Evo, и сегодня у нас есть два таких же «новых» накопителя.

Как и T1, это новые продукты 850 Evo, которые ориентированы на различные форм-факторы. В то время как в исходной серии 850 Evo использовался интерфейс SATA 6 Гбит / с, в последних версиях используется более компактный интерфейс mSATA и интерфейсы M.2 с более высокой пропускной способностью.

Известен просто как Samsung SSD 850 Evo mSATA и SSD 850 Evo M.2 ‘эти новейшие твердотельные накопители предназначены для клиентских ПК. Версия mSATA, несомненно, понравится пользователям мобильных и компактных ПК, а версия M.2 будет более востребована опытными пользователями.

Samsung SSD 850 Evo mSATA

Вместо того, чтобы снова и снова говорить о характеристиках SSD 850 Evo, мы остановимся на особенностях версии mSATA. Для начала, диски mSATA будут доступны в моделях 120 ГБ, 250 ГБ, 500 ГБ и 1 ТБ, самая большая из которых использует контроллер Samsung MEX и 1 ГБ кэш-памяти LPDDR2 DRAM.

Между тем, меньшие модели 120 ГБ / 250 ГБ и 500 ГБ используют контроллер Samsung MGX, и все они имеют 512 МБ кэш-памяти LPDDR3 DRAM. Всем моделям была предоставлена ​​максимальная скорость последовательного чтения 540 МБ / с со скоростью записи 520 МБ / с с использованием функции TurboWrite.

Являясь накопителем mSATA, он имеет размеры всего 29,8 x 50,8 мм и толщину всего 3,85 мм. Более того, накопитель ни в чем не заключен, это просто небольшая печатная плата с штыревым разъемом mSATA. Это в сочетании с крошечными размерами означает, что даже самая тяжелая версия (1 ТБ) весит всего 8.5 грамм.

На серию 850 Evo mSATA распространяется пятилетняя гарантия, хотя маловероятно, что она умрет от перегрузки за это время, поскольку модели 120/250 ГБ позволяют записывать 40 ГБ данных в день, а 500 ГБ / Модели емкостью 1 ТБ вдвое превышают эту цифру. Это означает, что модели 120/250 ГБ подходят для записи в общей сложности 75 ТБ и 150 ТБ для моделей 500 ГБ / 1 ТБ.

Для сравнения, я уже два с половиной года использую диск Samsung SSD 840 Pro в своей основной системе и записал только 27 ТБ данных.При моей текущей траектории мой SSD будет записывать около 54 ТБ данных за пять лет, что все еще намного ниже 75 ТБ, указанных для меньших моделей.

Samsung SSD 850 Evo M.2

Когда в июне 2013 года появилась микроархитектура Haswell, мы меньше волновались по поводу последних процессоров Intel и гораздо больше интересовались новым интерфейсом M.2, ранее известным как форм-фактор следующего поколения (NGFF) . В то время массовые твердотельные накопители были ограничены интерфейсом SATA 6 Гбит / с, и, хотя некоторые использовали адаптерные карты PCIe, они были дорогими и гораздо менее практичными.

Движением вперед явно был SATA Express и его альтернатива в малом форм-факторе M.2, обеспечивающая поддержку PCI Express 3.0 и Serial ATA 6 Гбит / с. Хотя мы только что рассмотрели mSATA-версию SSD 850 Evo, форм-фактор M.2 фактически заменяет mSATA.

В то время как mSATA использует физическую схему мини-карты PCI Express, M.2 представляет собой более гибкую физическую спецификацию, которая позволяет использовать модули различной ширины и длины. Что еще более важно, M.2 обеспечивает значительно большую пропускную способность (по крайней мере 2 ГБ / с), что более чем в три раза больше, чем у SATA 3.0 автобус.

Однако только наличие 2 ГБ / с доступной пропускной способности не делает SSD M.2 автоматически быстрее, чем SSD SATA. Некоторые твердотельные накопители M.2 по-прежнему связаны ограничениями интерфейса SATA 3.0, в то время как другие предназначены для использования полосы пропускания PCIe x2 и PCIe x4.

К сожалению, 850 Evo M.2 по-прежнему является твердотельным накопителем SATA 6 Гбит / с, что ограничивает его теоретическую пиковую пропускную способность всего 600 МБ / с.

Сегодня доступно несколько настоящих твердотельных накопителей PCIe M.2. Популярным примером является Samsung XP941, который представляет собой 4-полосный M.2 SSD со скоростью последовательного чтения до 1170 МБ / с и скоростью записи 950 МБ / с.

Серия 850 Evo M.2 имеет более скромную пропускную способность – 540 МБ / с при чтении и 500 МБ / с при записи (обратите внимание, что скорость записи на 20 МБ / с ниже, чем у моделей mSATA).

Хотя серия 850 Evo M.2 использует форм-фактор M.2, это не сужает размеры или разъемы, как в случае с mSATA. Форм-фактор M.2 имеет три различных разъема или «ключа», которые определяют максимальное количество линий PCIe, которые может использовать накопитель.

Клавиши известны как «клавиша B», «клавиша M» и «клавиша B & M». Клавиша «B» ограничена двумя линиями PCIe, тогда как клавиша «M» может использовать четыре линии PCIe. Как ни странно, большинство дисководов, ограниченных PCIe x2, имеют ключи B и M, что позволяет им работать с обоими сокетами, оставляя только диски PCIe x4, использующие «M ключ».

Если это вас не смущает, не все диски M.2 имеют одинаковую длину или ширину, а некоторые материнские платы менее гибкие, чем другие. Стандарт M.2 допускает ширину модуля 12, 16, 22 и 30 мм и длину 16, 26, 30, 38, 42, 60, 80 и 110 мм.

В настоящее время диски M.2, предназначенные для использования в ПК, имеют ширину 22 мм, но они бывают различной длины.

Чтобы упростить определение размеров диска, ширина и высота выражаются одним числом, которое объединяет два измерения. Например, серия 850 Evo M.2 имеет ширину 22 мм и длину 80 мм, поэтому они указаны как 2280 (22 мм x 80 мм).

Несмотря на то, что допускаются диски длиной более 110 мм, Samsung ограничила диапазон M.2 максимальной емкостью 500 ГБ, поэтому модели на 1 ТБ не существует.

SAMSUNG 850 EVO M.2 2280 Вертикальный внутренний твердотельный накопитель объемом 500 ГБ, SATA III, Sing – SimplyNAS

Что такое NASBIT?

NASBIT © является лицензированным товарным знаком SimplyNAS. Аббревиатура расшифровывается как «сжигание подключенного к сети хранилища при тестировании». Этот термин используется для описания процесса тестирования нового оборудования и прошивки сетевого хранилища (NAS) на предмет сбоев перед их использованием в реальной среде. Это делается путем запуска программного обеспечения «Стресс-тестирование» в течение установленного периода времени, часто от 24 до 48 часов, но при необходимости и дольше.

Когда мы получаем заказ на систему NAS с предустановленными дисковыми накопителями, она подготовлена ​​и настроена с использованием RAID с последующим тестированием на прожиг, чтобы убедиться, что вся система проходит тщательную проверку, таким образом гарантируя, что сервер проходит все тесты в соответствии с самыми высокими стандартами, установленными нами. Если оборудование системы или какие-либо связанные компоненты выйдут из строя в какой-либо момент цикла тестирования, система будет извлечена и возвращена как неисправная нашему соответствующему партнеру-поставщику, процесс кажется простым, но настроить его далеко не так просто.

Жесткие диски

Все жесткие диски проходят предварительное тестирование перед интеграцией; мельчайшие неисправности, допустимые в рамках отраслевых стандартов, классифицируются нами как неисправности, жесткий диск отклоняется и исключается из процесса, а затем снова возвращается к источнику как D.O.A. (мертв по прибытии). Мы продолжаем выбирать диски из разных партий, чтобы исключить любые плохие партии, которые могли быть произведены во время производства.

One, интегрированный, диски проходят интенсивную процедуру, которая включает в себя стресс-тестирование, в том числе температурные тесты и множество операций чтения и записи, чтобы убедиться, что пластины диска нагружены до энной степени.

Память

Во-первых, когда новый сервер включен, мы загружаемся из сети и переходим к запуску теста памяти, который занимает свое время, почти 10-12 часов в зависимости от производителя и модели.

RAID

Соответствующий уровень RAID установлен, и система ожидает завершения синхронизации RAID. После завершения сервер NAS подвергается многочисленным перезагрузкам, удалению исходного RAID и повторному окончательному повторному построению уровня RAID.

Зачем нужна запись NASBIT при тестировании (NASBIT ©)?

Если в течение указанного периода времени серверы NAS все еще работают и без сбоев, это считается подходящим для развертывания для наших клиентов. Если происходит сбой любого рода, система заменяется новой, включая жесткие диски, и процесс запускается снова, пока серверы NAS не пройдут с НУЛЕВЫМИ сбоями.

Обычно можно ожидать, что этот уровень тестирования будет завершен производителями оборудования, и поэтому эти тесты не должны обнаруживать никаких ошибок.По нашему опыту тестирования сотен машин мы действительно находим неисправности и отправляем системы обратно.

Причина, по которой так важно выполнять этот уровень тестирования на серверах NAS, заключается в том, что требования к времени безотказной работы очень высоки. Малейшие неисправности вызовут простои и простои. После того, как сервер NAS будет развернут, у вас больше никогда не будет возможности отключить его и выполнить такое подробное тестирование. Даже если произойдет сбой, всегда есть требование, чтобы он был как можно быстрее снова включен в сеть, а не оставался в автономном режиме, пока не будет завершена тщательная диагностика.

Всегда помните, что это аппаратное обеспечение, и сбои могут произойти и будут происходить даже после того, как было проведено горящее тестирование, это факт жизни, которого мы не можем избежать, но мы пытаемся устранить некоторые из факторов хлопот с помощью тестирования. Спасибо за покупку у нас, мы искренне ценим ваш обычай.

НЕДОСТУПНО ДЛЯ БЕЗДИСКОВЫХ МОДУЛЕЙ – ТОЛЬКО ДЛЯ СИСТЕМ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫХ С ЖЕСТКИМИ ДИСКАМИ

Copyright 2020 by SimplyNAS, все права защищены.Федеральный закон об авторском праве запрещает несанкционированное воспроизведение любыми способами и налагает штраф до 25 000 долларов за нарушение.

Обзор

Samsung 850 Evo | TechRadar

Samsung 850 EVO 500GB сделок

Samsung 850 EVO – последний из доступных в линейке высокопроизводительных твердотельных накопителей, демонстрирующий стремление Samsung продвигать вперед твердотельную игру, даже в нижней части стека цена / производительность.

Когда дело доходит до твердотельных накопителей, Samsung действительно прибил свои цвета к мачте; он будет первым на рынке с новыми технологиями, он будет агрессивно снижать цены, и он будет делать это в одиночку.

С этой целью Samsung 850 Pro стал первым потребительским твердотельным накопителем, в котором использовалась трехмерная память, состоящая из различных компонентов. Samsung 850 Evo также делает это, используя новую технологию V-NAND для более доступного диапазона твердотельных накопителей. И когда мы говорим о доступном по цене, мы имеем в виду именно это – это один из самых экономичных твердотельных накопителей на рынке сегодня.

В этой новой линейке твердотельных накопителей используется новое поколение 3D V-NAND, которое вращается вокруг наложения чипов друг на друга с «сквозными кремниевыми переходными отверстиями» (TSV), которые обеспечивают соединения непосредственно через стек.Это помогает увеличить пропускную способность, поскольку соединения физически ближе, но также означает, что диски большей емкости более доступны – их можно производить, не полагаясь на постоянно уменьшающиеся модули NAND, из которых состоят твердотельные накопители.

Таким образом, новое поколение 3D V-NAND было разработано, чтобы проложить путь к твердотельным накопителям большей емкости в ближайшие годы. 3D V-NAND второго поколения от Samsung состоит из полных 32 слоев, уложенных друг на друга в каждом модуле. Это означает, что Samsung 850 Evo имеет общую плотность 86 Гбит.

• Samsung 850 EVO 500GB (Black SSD) на Amazon за 44,99 доллара США

Dense

Теперь это не самая высокая плотность NAND, которую вы найдете в сегодняшних дисках – и Crucial, и Intel выбрасывают диски с плотностью 128 Гбит они и объединились для создания своей собственной 256-гигабитной 3D NAND на 2015 год, но разница в том, что Samsung использует для этого только 40-нм кремний.

Из-за пресловутого сокращения производственных процессов во всех сферах вычислений – от процессоров до памяти и графических чипов – на первый взгляд может показаться, что это шаг назад.

В конце концов, мы привыкли использовать 19-нм NAND в наших твердотельных накопителях, даже начиная с 16-нм, поэтому использование производственного процесса, который более чем в два раза больше, наверняка отменит все повышения производительности и эффективности, которые мы получили за вниз.

Но из-за способности 3D V-NAND достигать этих высоких плотностей с такой объемной литографией в сочетании с увеличением пропускной способности TSV внутри составных модулей, более крупные матрицы не оказывают никакого влияния на относительную производительность.

Повышение эффективности от предыдущих сокращений производства также в значительной степени компенсируется снижением мощности при переходе с 2D на 3D NAND.

По оценкам Samsung, эксплуатационная мощность Samsung 850 EVO снизится на 30% по сравнению со старым Samsung 840 EVO.

Hardy NAND

40-нанометровый процесс вступает в свои права, когда мы начинаем говорить о выносливости.

Самым большим преимуществом является то, что более крупные производственные процессы более надежны и долговечны, чем их более мелкие потомки.Когда вы, как и Samsung, переключаетесь с 2-битной многослойной ячейки (MLC) своего более высокого уровня 850 Pro на менее надежный 3-битный MLC, любое повышение выносливости приветствуется.

Традиционно 3-битный MLC работает не так долго, как 2-битный, поэтому вы увидите, что Samsung 850 Pro имеет полную десятилетнюю гарантию.

С 40-нанометровым 3-битным MLC Samsung 850 EVO у него действительно более короткая пятилетняя гарантия, но это все же намного дольше, чем у остального мира доступных SSD с их трехлетними хеджированными ставками.

Цены – Samsung 850 EVO 500GB: ▼

Samsung 850 Evo

mSATA и m.2 Обзор

Плюсы

• Обеспечивает очень высокую скорость доступа
• Очень хорошая долговечность и гарантия
• По конкурентоспособной цене

Минусы

• Нет поддержки PCIe, поэтому не будет работать на многих материнских платах

Основные характеристики

• Цена обзора: £ 62.29
• Технология Samsung 3D V-NAND
• Емкость 120 ГБ, 250 ГБ, 500 ГБ и 1 ТБ
• SATA, но несовместимый с PCIe

Что такое Samsung 850 Evo mSATA и m.2?

Samsung зарекомендовал себя как один из лучших вариантов твердотельных накопителей для настольных ПК и ноутбуков, где линейки 2,5-дюймовых Evo и Pro предлагают одну из лучших характеристик по любой цене.

Теперь он использует новейшие технологии для меньших mSATA и m.2, чтобы сделать их идеальными модификациями для сверхпортативных ноутбуков и ПК с малым форм-фактором. Имея размер от 120 ГБ до 1 ТБ и цену от 62,29 фунтов стерлингов, есть вариант практически для любого бюджета.

Samsung 850 Evo mSATA и m.2 – Дизайн

Когда дело доходит до продуктов бытовой электроники, в дизайне есть несколько таких обыденных вещей, как твердотельные накопители, и это вдвойне применимо к форм-факторам mSATA и m.2, поскольку они даже не упакованы в корпус, который можно взволнован.

СМОТРИ ТАКЖЕ: Обзор Samsung 850 Pro

Таким образом, усилия Samsung столь же обычны, как и следовало ожидать, с чипами различных типов, установленными на простой зеленой печатной плате. Их отличает форма: mSATA короче и толще, а m.2 тоньше и длиннее.

Оба форм-фактора можно найти на некоторых материнских платах для настольных ПК в качестве сверхкомпактного хранилища, хотя для многих материнских плат ни одна из этих моделей на самом деле не подходит для подходящих вариантов, поскольку они SATA, в то время как большинство материнских плат используют PCI-Express для этих вариантов хранения.

Вместо этого они идеально подходят для использования в качестве модернизации ноутбуков и ПК с малым форм-фактором. Старый стандарт mSATA по-прежнему используется в некоторых системах, но в целом постепенно отменяется, особенно в ноутбуках, где m.2 является предпочтительным форм-фактором. Подобные Asus UX305, Alienware 15 и Dell XPS 13 используют диски m.2.

Samsung 850 Evo mSATA и m.2 – Характеристики

Основной технологией этих накопителей является память Samsung 3D V-NAND. Это другой поворот по сравнению с традиционной NAND, используемой в твердотельных накопителях, поскольку она переворачивает транзисторы на бок и укладывает их вертикально.

Это позволяет Samsung размещать 32 ячейки друг над другом, что обеспечивает гораздо более плотную упаковку хранилища. В свою очередь, это дает преимущества в мощности и производительности, а это означает, что у Samsung одни из самых быстрых SSD на сегодняшний день.

Управляет всей этой памятью собственный контроллер MGX от Samsung для всех дисководов, кроме дисков емкостью 1 ТБ, где используется контроллер MEX. Первый – двухъядерный, а второй – трехъядерный.

Все диски имеют аппаратное шифрование (AES-256, TCG Opal 2.0, IEEE-1667 (eDrive)) и имеют впечатляющую пятилетнюю гарантию. Уровни выносливости тоже очень хорошие: модели 120 ГБ и 250 ГБ рассчитаны на 75 ТБ (41 ГБ / день), а диски 500 ГБ и 1 ТБ могут выдержать 150 ТБ (82 ГБ / день). Эти цифры более чем вдвое превышают те, которые вы получили бы с двигателем начального уровня.

Samsung также предлагает свою технологию RAPID для этих дисков, которая загружает до 4 ГБ данных в системную память для сверхбыстрого доступа. Это довольно полезная функция, которая действительно обеспечивает сверхбыструю производительность, но не отражает истинную скорость хранения и не является тем, что мы рекомендуем для большинства пользователей, поэтому это скорее дополнительный бонус для тех, кто этого хочет.

Если вы хотите купить один из этих дисков в качестве обновления, вам, вероятно, также понадобится подходящий контейнер для дисков, чтобы копировать данные. Как правило, это будет контейнер mSATA или m.2-SATA, который затем можно подключить непосредственно к порту SATA на настольном ПК или использовать с адаптером USB-SATA. Например, в нашем тестировании мы использовали адаптеры для дисков Startech, которые можно купить примерно по 20 фунтов стерлингов каждый.

Samsung SSD 860 EVO M.2 Обзор SATA: быстрое и доступное твердотельное хранилище

Недавно Samsung выпустила свои новейшие твердотельные накопители на базе SATA, SSD 860 Pro и SSD 860 EVO, в которых используются 2-битные (MLC) или 3-битные (TLC) версии 64-слойной флэш-памяти 3D V-NAND. Пару недель назад мы опубликовали обзор 2,5-дюймового накопителя Samsung SSD 860 Pro 2 ТБ, но сегодня у нас есть кое-что новое. Здесь представлена ​​оценка Samsung SSD 860 EVO емкостью 2 ТБ, но в версии M.2. Этот диск по-прежнему оснащен интерфейсом SATA, но предназначен для более гладких и современных M.2 2280 форм-фактора.

В нынешнем ландшафте ПК, который переполнен относительно доступными твердотельными накопителями M.2 на базе NVMe, предложение M.2 на основе SATA может показаться немного насмешливым. Однако у SSD 860 EVO есть несколько преимуществ, особенно его цена. Взгляните на его основные функции и характеристики вместе с его старшим братом ниже, а затем пролистайте страницы вперед, чтобы увидеть, как работает накопитель…

Твердотельные накопители Samsung SSD 860 PRO и 860 EVO SATA Технические характеристики и особенности

---

Хотя мы показываем вам M.2 от Samsung SSD 860 EVO, диски предлагаются в более распространенных форм-факторах 2,5 дюйма и mSATA. Однако с точки зрения функций и производительности все диски будут работать одинаково – различаются только их форм-факторы и доступная емкость.
Здесь вы видите SSD 860 EVO от Samsung емкостью 2 ТБ. На плате всего пара частей флеш-памяти, а также кеш-память DDR4 DRAM и контроллер. Используемый здесь контроллер Samsung MJX является новым и, как сообщается, улучшает производительность связи с хостом и улучшает совместимость с Linux, хотя это тот же контроллер, что и в модели Pro.Кэш LPDDR4 будет различаться по размеру в зависимости от емкости, но будет иметь максимум 4 ГБ. Показанный здесь диск емкостью 2 ТБ имеет 2 ГБ кеш-памяти DRAM.
Все накопители Samsung 860 EVO также оснащены новейшей 64-слойной трехмерной (3D) вертикальной флэш-памятью TLC NAND (V-NAND). В этой NAND используется собственная вертикальная структура ячеек Samsung, основанная на технологии 3D Charge Trap Flash (CTF), а также используется технология вертикального межсоединения для связи массива ячеек 3D. Используя обе эти технологии, 3D V-NAND от Samsung может обеспечить лучшее масштабирование, чем планарная флеш-память NAND, по крайней мере, согласно данным Samsung.Эта последняя V-NAND в сочетании с новым контроллером и настройками прошивки также позволила Samsung повысить рейтинг выносливости этих накопителей по сравнению с 850 EVO предыдущего поколения.
Samsung повышает рейтинг выносливости твердотельных накопителей серии 860 EVO до 2400 ТБайт на накопителе максимальной емкости 4 ТБ и до 1200 ТБ на накопителе емкостью 2 ТБ, который у нас есть. Компания также предлагает полную 5-летнюю гарантию на диски. Это не призрачные рейтинги выносливости, но они вполне хороши для такого доступного по цене SSD, как этот.

Samsung 850 EVO не обнаруживается в Windows 10

О Samsung 850 EVO SSD

Samsung 850 EVO SSD – один из самых популярных SSD среди пользователей персональных компьютеров. Он стоит дешевле, чем Samsung 850 PRO, но обеспечивает почти такую ​​же производительность для своих пользователей. 850 EVO имеет разные форм-факторы 2,5 дюйма, mSATA и M.2. Емкость SSD варьируется от 120 ГБ до 4 ТБ. Также протестированные скорости последовательного чтения и записи составляют до 540 МБ / с и 520 МБ / с. С точки зрения производительности, стоимости или емкости Samsung 850 EVO может стать идеальным диском для любого домашнего пользователя.

В связи с широким использованием SSD 850 EVO по всему миру, возникает одна очевидная проблема с этим диском. Многие пользователи жаловались, что Samsung 850 EVO не обнаруживается в Windows 10. Проблема «не обнаружено» может возникнуть при установке Windows, в BIOS, в проводнике Windows или когда они хотят заменить жесткий диск на Samsung EVO 850 SSD. Что, черт возьми, вызвало эту проблему? Давайте познакомимся с ними по очереди.

Ситуации и исправления: Samsung 850 EVO не обнаруживается в Windows 10

Как правило, твердотельный накопитель Samsung не может быть обнаружен в Windows, если он неправильно отформатирован, например, неправильная файловая система, такая как EXT2, не может быть распознана Windows.В этом случае вы можете переформатировать диск в FAT32 или NTFS. Кроме того, если у него есть поврежденная основная загрузочная запись (MBR), которая была испорчена вирусом или несоответствующим поведением, вы получите ошибку Samsung SSD 850 не найден. Затем вы можете исправить MBR в Windows 10 и повторить попытку.

Кроме того, диск не инициализирован, также не будет обнаружен. Вы можете инициализировать или отформатировать Samsung 850 EVO с помощью диспетчера устройств Windows или бесплатного инструмента для переформатирования диска. Чтобы быть конкретным, наиболее часто встречаются пять ситуаций, когда Samsung SSD 850 EVO не обнаруживается в Windows 10.

Samsung 850 EVO не определяется в BIOS

Эта проблема в некотором роде важна, потому что сначала вам понадобится BIOS, чтобы распознать ее, а затем вы можете ее использовать. Продолжайте нажимать F2, F8 или Del сразу после включения компьютера, чтобы перейти в интерфейс BIOS. Если вы не можете найти свой Samsung 850 EVO, это может быть вызвано следующими причинами. Вы можете обратиться к последующим предложениям.

• BIOS обновляется. Вам необходимо обновить BIOS до последней версии.

• Твердотельный накопитель Samsung не подключен правильно.Вы можете отключить его и попробовать еще раз.

• Это также может быть проблема порта SATA. Вы можете подключить свой Samsung 850 EVO SSD к другому порту и повторить попытку.

Samsung 850 EVO не определяется при установке Windows 10

Некоторые пользователи сообщали, что Samsung 850 EVO не отображался, когда начинался процесс установки, на какой диск устанавливать Windows. Что ж, если каждый шаг установки исправляется, и вы получаете сообщение об ошибке: 0Xc000021A, это может быть проблема прошивки UEFI.Вы можете обновить прошивку UEFI.

Если вы по-прежнему не можете найти Samsung SSD в списке. Подключите SSD к другому компьютеру. Перейдите в Управление дисками Windows. Щелкните твердотельный накопитель правой кнопкой мыши и выберите «Новый простой том», чтобы создать новый раздел. Затем повторите установку, и вы сразу увидите, на какой диск вы хотите установить Windows.

Если вы получили сообщение: «Не удалось создать новый раздел или найти существующий…» во время установки Windows 10, вы можете попросить другой инструмент о помощи другим способом.То есть у вас будет Windows 10 на Samsung 850 EVO путем клонирования со старого жесткого диска на этот SSD. Вы можете использовать адаптер SATA-USB и установить Samsung Magician для клонирования. Это программное обеспечение поможет вам правильно установить твердотельный накопитель Samsung.

Пожалуйста, посетите Windows не может установить на SSD, если у вас есть другие проблемы с установкой Windows 10.

Samsung 850 EVO не обнаруживается Samsung Magician

Если ваш SSD определяется Windows, но не Magician, вы можете попробовать следующие операции.

• Во-первых, этот SSD должен быть определен как устройство IDE или AHCI. Если нет, вы можете установить стандартный драйвер контроллера AHCI для Windows 10, чтобы решить проблему.

• Во-вторых, если ваш Samsung 850 EVO подключен к контроллеру устройства хранения данных RAID / SCSI, Samsung Magician может не обнаружить его должным образом. Вы можете установить драйвер Microsoft по умолчанию, который автоматически устанавливается при установке операционной системы Microsoft.

Некоторые пользователи пытались заменить второй накопитель на Samsung SSD 850 EVO с помощью Samsung Magician, однако это программное обеспечение не может обнаружить SSD 850 EVO.При таких обстоятельствах было бы предложено попробовать другое программное обеспечение для клонирования дисков. AOMEI Partition Assistant Standard, как один из лучших бесплатных менеджеров разделов диска, может отлично работать.

Шаги по использованию этого бесплатного программного обеспечения также просты, как ABC. Это будет: подключите Samsung 850 EVO SSD к Windows 10, откройте AOMEI Partition Assistant Standard, выберите исходный жесткий диск, с которого вы хотите клонировать, выберите Samsung 850 EVO SSD, на который вы хотите клонировать, нажмите Применить и продолжить, чтобы выполнить отложенные операции, заменить старый диск с Samsung SSD, и готово.

Samsung SSD 850 EVO M.2 не обнаружен

Как уже говорилось, 850 EVO имеет три форм-фактора, и M.2 является одним из них. Он немного отличается от других 850 EVO в настройке BIOS. Если вы устанавливаете Windows 10 на 850 EVO M.2 SSD и не можете позволить компьютеру обнаружить его, вы можете сделать это изменение в BIOS.

1. Нажмите F5, чтобы открыть настройки по умолчанию.

2. Нажмите F7, чтобы открыть Расширенные настройки.

3. На вкладке «Дополнительно» выберите «Конфигурация бортового устройства», а затем измените «Конфигурация режима SATA» на M.2.

Samsung 850 EVO не отображается на «этом ПК»

Другой случай, когда SSD Samsung не обнаруживается в Windows 10, заключается в том, что он не может отображаться в проводнике Windows «Этот компьютер». Эту проблему можно решить с помощью следующих исправлений. Сначала убедитесь, что этот SSD может быть обнаружен диспетчером устройств Windows, BIOS или Samsung Magician.

• Изменить букву диска. Дайте разделу на 850 EVO другую букву диска, например, от E до F.

• Отформатируйте SSD в управлении дисками.Щелкните правой кнопкой мыши раздел на твердотельном накопителе и выберите «Форматировать …». Кроме того, вы можете попробовать вышеупомянутый инструмент, чтобы быстро отформатировать его или безопасно стереть SSD.

• Если вы обнаружите, что ошибка «защита от записи» становится препятствием для форматирования 850 EVO, вы можете удалить ее, выполнив следующие действия. Сначала вызовите командную строку и введите следующие команды по порядку: diskpart> list volume> select volume #> attributes volume> attributes volume clearonly readonly. Обратите внимание, что # обозначает защищенный том.

• Иногда SSD Samsung 850 отображается в командной строке как тип DVD-ROM, который нельзя изменить. В этом случае, чтобы вернуть его в нормальное состояние, вы можете попробовать этот метод. Сначала перейдите в «Управление дисками», чтобы преобразовать его в динамический диск. Затем запустите Diskpart> список дисков> выберите номер диска> очистить. Обратите внимание, что # – это диск 850 EVO. Наконец, вернитесь в Управление дисками, чтобы инициализировать его. Затем вы должны были решить, что Samsung EVO 850 не распознается в головоломке Windows 10.

Резюме

Вышеупомянутые ситуации и соответствующие решения также применимы к Samsung 850 EVO, не обнаруженному в Windows 7 и Windows 8, а также к Samsung SSD 850 PRO, не распознаваемому в Windows 10. Диспетчер закрытых разделов AOMEI Partition Assistant – универсальная и надежная утилита для Samsung. SSD тоже. Например, вы можете переместить ОС на новый твердотельный накопитель Samsung без переустановки Windows с помощью этого программного обеспечения. Загрузите, чтобы узнать больше.

.